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本發(fā)明選擇結(jié)核桿菌生長(zhǎng)期和休眠期主要的保護(hù)性抗原 Mtb10.4 和 Hsp16.3，構(gòu)建融合蛋白 Mtb10.4-Hsp16.3(MH)。在大腸桿菌中表 達(dá)純化該蛋白，將該蛋白和佐劑混合構(gòu)建亞單位疫苗，分別于 BCG 初免后 12、14 周加強(qiáng)免疫 C57BL/6 小鼠兩次，最后一次免疫 6 周后 檢測(cè)細(xì)胞免疫反應(yīng)，最后一次免疫后 10 周進(jìn)行結(jié)核菌毒株&nb

我國(guó)草地業(yè)發(fā)展緩慢，最直接的影響就是造成畜牧業(yè)發(fā)展也減 速，因而致使每年我國(guó)從國(guó)外進(jìn)口牧草以及購(gòu)買嬰兒奶制品的數(shù)量逐 年上升。究其原因主要是因?yàn)槲覈?guó)缺少具有抗性的優(yōu)異牧草品種，如 有殺蟲活性的牧草。每年我國(guó)牧草由于各種昆蟲的危害，造成大面積 減產(chǎn)和生長(zhǎng)緩慢，并且還影響奶制品的安全。雖然現(xiàn)階段化學(xué)合成的 殺蟲藥物在植物病害防治中起著不可代替的作用，但是大家對(duì)農(nóng)藥毒 性和農(nóng)藥對(duì)環(huán)境的污染問題越來越重視，從微生物中尋找新的

排異反應(yīng)是異體組織進(jìn)入有免疫活性宿主的不可避免的難題。一般在人體器官移植手術(shù)后，病人的免疫系統(tǒng)會(huì)很快識(shí)別出外來的新器官，并對(duì)新器官有強(qiáng)烈的排斥作用，這種排異現(xiàn)象是導(dǎo)致器官移植手術(shù)徹底失敗的主要原因之一，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使病人不喪失生命。為解決器官移植的排異問題，出現(xiàn)了免疫抑制劑的概念。目前臨床常用的免疫抑制劑有環(huán)孢素 A（CsA）、他克莫司（tacrolimus, FK506）、雷帕霉素（Rapamycin，簡(jiǎn)稱 RAPA）等，但這幾種都有較大的副作用，所以尋求在臨床上高活性、低毒的新型免疫抑制劑很有必要。

本發(fā)明選擇結(jié)核桿菌生長(zhǎng)期和休眠期主要的保護(hù)性抗原 Mtb10.4 和 Hsp16.3，構(gòu)建融合蛋白 Mtb10.4-Hsp16.3(MH)。在大腸桿菌中表 達(dá)純化該蛋白，將該蛋白和佐劑混合構(gòu)建亞單位疫苗，分別于 BCG 初免后 12、14 周加強(qiáng)免疫 C57BL/6 小鼠兩次，最后一次免疫 6 周后 檢測(cè)細(xì)胞免疫反應(yīng)，最后一次免疫后 10 周進(jìn)行結(jié)核菌毒株&nb

雄激素受體(androgen receptor，AR)被認(rèn)為在前列腺癌的發(fā)生、發(fā)展和轉(zhuǎn)移中起到關(guān)鍵作用。因此，雄激素撤除療法(androgendeprivation therapy)成為治療晚期前列腺癌的最常用和有效的方法。但是在治療的兩到三年內(nèi)，大部分晚期前列腺癌就會(huì)發(fā)展成去勢(shì)抵抗性前列腺癌(CRPC)。對(duì)于 CRPC 目前缺乏有效治療手段，成為前列腺癌治療中最為棘手的問題。在雄激素撤除環(huán)境下，AR 的再激活存在多種途徑，主要包括病灶部位雄激素的合成、AR 的基因突變、倍增和可變剪切以及 AR 共

一種局部自適應(yīng)可控浸潤(rùn)性耦合微結(jié)構(gòu)強(qiáng)化沸騰換熱方法具體為：在換熱基底微結(jié)構(gòu)頂部設(shè)置電極膜，電極膜與金屬電極連接至電源形成電場(chǎng)，換熱工質(zhì)中帶電金屬納米顆粒在電場(chǎng)作用下間歇吸附于換熱表面，實(shí)現(xiàn)換熱表面浸潤(rùn)性的可控轉(zhuǎn)換；所述金屬電極固定在換熱基底外部；金屬電極優(yōu)選為銅電極、鋁電極，形狀優(yōu)選為板狀、網(wǎng)狀或棒狀。 所述換熱基底材料為金屬如紫銅或單晶硅、藍(lán)寶石、石墨烯等非金屬，可以理解的是，換熱領(lǐng)域常用的換熱材料均適用于本發(fā)明，優(yōu)選導(dǎo)熱性良好的基底材料。換熱基底形狀為平板、圓管或異形，其中異形為換熱領(lǐng)域常見換熱器形狀。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)為尺寸為納米級(jí)或微米級(jí)的微柱、微坑或微槽道；可以理解的是，現(xiàn)有技術(shù)中，所有用于提高換熱效率的微結(jié)構(gòu)均適用于本發(fā)明，優(yōu)選為納米級(jí)或微米級(jí)的方形微柱、矩形微柱、半球形微坑或圓柱形微坑。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)的排列方式為規(guī)則排列如陣列式、交錯(cuò)式排列，或?yàn)椴灰?guī)則排列。所述電極膜通過電極引線引出，以將電極膜連通并連接至電源；換熱基底、電極膜、電極引線的表面均絕緣。所述表面絕緣可以通過在表面設(shè)置絕緣層實(shí)現(xiàn)，所述絕緣層厚度為百納米級(jí)。其中，換熱基底材料為單晶硅等非導(dǎo)電材料時(shí)，則無(wú)需設(shè)置絕緣層。所述絕緣層材料為惰性金屬、金屬氧化物、陶瓷或硅膠；優(yōu)選導(dǎo)熱性優(yōu)良的絕緣材料，可以通過摻雜導(dǎo)熱性優(yōu)良材料的方式來提高絕緣材料導(dǎo)熱性。所述電極膜、電極引線材料為導(dǎo)電材料；優(yōu)選為金屬，進(jìn)一步優(yōu)選為金、銀、銅或鋁。 所述電極膜厚度為百納米級(jí)。所述帶電金屬納米顆粒具有均勻親水性表面、均勻疏水性表面或雙親浸潤(rùn)性表面；親水、疏水或雙親浸潤(rùn)性表面通過改性獲得；帶電金屬納米顆粒尺度為納米級(jí)、微米級(jí)，形狀規(guī)則或不規(guī)則，優(yōu)選為球形或柱形。所述帶電金屬納米顆粒浸潤(rùn)性與換熱基底的浸潤(rùn)性不同，用于改變換熱表面浸潤(rùn)性。如換熱基底表面為親水（或疏水），帶電金屬納米顆粒表面為疏水（或親水），也可以具有雙親浸潤(rùn)性。所述電源為直流電源或交流電源；其中直流電源通過通、斷電實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)可控；交流電源通過控制交流頻率實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)可控，交流頻率根據(jù)沸騰氣泡動(dòng)力學(xué)周期調(diào)節(jié)。

目前在中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域研究的大容量直流開斷設(shè)備，需考慮體積、成本等問題。該成果適用于中壓直流配電網(wǎng)領(lǐng)域，特別是涉及一種適用于中壓直流斷路器的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，基于混合式直流斷路器，提供一種適用于中壓場(chǎng)合的電流轉(zhuǎn)移電路及方法，通過配置輔助換流單元，對(duì)儲(chǔ)能電容器預(yù)先充以適量電壓，實(shí)現(xiàn)對(duì)故障電流的轉(zhuǎn)移，滿足中壓直流配電網(wǎng)對(duì)故障快速切除需求。 該成果提出一種中壓混合式直流斷路器電流轉(zhuǎn)移電路及方法，使故障電流轉(zhuǎn)移與關(guān)斷功能集成化，又能兼顧中壓直流配網(wǎng)對(duì)斷路器設(shè)備的體積、成本以及工作可靠性等要求，對(duì)擴(kuò)大直流斷路器的應(yīng)用范圍具有重要工程意義。

本發(fā)明公開一種低合金高強(qiáng)鋼制品的節(jié)約型免回火強(qiáng)韌化工藝方法，包含鋼材冶煉及成型、高溫加熱和保溫和冷卻及等溫處理工藝三個(gè)步驟，本工藝方法適用于C-Mn系低合金高強(qiáng)鋼。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種工藝簡(jiǎn)單、適宜大規(guī)模生產(chǎn)且具有良好強(qiáng)韌性配合的低合金高強(qiáng)鋼制品的制備工藝，其特點(diǎn)在于從高溫下的控制冷卻和中斷冷卻并在冷卻終止溫度下進(jìn)行保溫的強(qiáng)韌化制造工藝。相對(duì)于傳統(tǒng)的淬火回火工藝，該工藝簡(jiǎn)化了淬火獲得馬氏體和馬氏體+貝氏體復(fù)相組織，然后再進(jìn)行回火處理的工藝，相對(duì)Q-P-T工藝而言，本工藝具有更適宜于規(guī)?；a(chǎn)的可操作性，簡(jiǎn)化了由P工藝立即升溫到T工藝的過程，使生產(chǎn)更容易操作。

一種高速鐵路CRTS-II型板式無(wú)砟軌道橋臺(tái)水平位移測(cè)試方法，其步驟為：a)測(cè)試端刺水平位移，b)測(cè)試摩擦板水平變形，c)測(cè)試相對(duì)于摩擦板的橋臺(tái)水平位移，d)測(cè)試溫度校正值，e)計(jì)算橋臺(tái)水平位移。溫度校正位移傳感器測(cè)試值實(shí)現(xiàn)了端刺與摩擦板上基準(zhǔn)桿端部連接的位移傳感器測(cè)試值的校正，該測(cè)量方法原理清晰、測(cè)量誤差小、精度高，滿足高速鐵路CRTS-II型板式無(wú)砟軌道橋臺(tái)水平位移的測(cè)試。

本發(fā)明公開了一種采用選擇性激光熔化快速成形技術(shù)制備高溫 鈦合金的方法，包括以下步驟：(1)按照鈦合金的名義化學(xué)成分中各元 素的質(zhì)量比例來配置各元素的粉末，隨后進(jìn)行真空感應(yīng)熔煉；(2)采用 氣霧化制粉法對(duì)熔煉形成的鈦合金進(jìn)行制粉；(3)建立零件三維模型， 并導(dǎo)入到選擇性激光熔化快速成形設(shè)備中；(4)將粉末置入到選擇性激 光熔化快速成形設(shè)備里，并在基板上進(jìn)行零件成形；(5)采用線切割工 藝將成形的零件從基板上分離，再將零