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本發明公開了一種脈沖功率開關電路封裝結構。包括第一銅箔、 半導體脈沖功率開關芯片、電容、第二銅箔、銅柱、磁開關和第三銅 箔；電容的一端焊接第三銅箔，另一端焊接銅柱的一端，銅柱與電容 的中心軸垂直，銅柱的另一端穿過磁開關的中心焊接至第二銅箔的一 端，第二銅箔與電容的中心軸平行，其另一端靠近電容的一面焊接半 導體脈沖功率開關芯片的陽極，半導體脈沖功率開關芯片的陰極焊接 第一銅箔。本發明將多個外圍器件與半導體脈沖功率開關封

三種產品及其關鍵技術： 1、冷凝端擴展型仿生毛細管芯平板熱管 基本原理：（1）在散熱翅片內構造許多通道，增加平板熱管冷凝端的散熱面積。（2）在平板熱管蒸發端表面上燒結仿生毛細管芯，提高熱管蒸發端的傳熱系數。（3）熱管蒸發端和冷凝端（散熱翅片）采用一體化設計，從而確保平板熱管和散熱器之間的緊密接觸。（4）眾多散熱翅片內的通道與仿生毛細芯相結合，類似于許多微型熱管同時工作。 技術指標：（1）提高散熱性能20%（用于大功率LED的散熱器產品如圖5所示）。（2）中心溫度降低20℃；減少產品重量50%。（3）材料成本可節省50％。 綜合優勢：（1）由于固體翅片內存在延伸冷凝器，可為加熱區提供充足的液體，保證加熱區在超高熱流密度下不會達到干燥狀態。（2）翅片不僅用作散熱器，還用作冷凝器。固體翅片內的冷凝傳熱確保了沿翅片高度方向均勻溫度，從而提高翅片效率。（3）散熱器可在反重力狀態下運行，體積小，重量輕。由于集成設計，蒸發器和翅片散熱器之間不存在接觸熱阻。 應用領域：電力電子、航空航天、能源動力、石油化工、軍工設備等領域中大功率、大熱流密度芯片及其設備的散熱，例如大功率激光器、照明LED、控制芯片、燃料電池、新能源汽車、激光、雷達及大數據計算中心等。 2、回路熱管 基本原理：（1）回路熱管內部構造了三層毛細芯，第一層毛細芯為多尺度結構吸液芯，取代了傳統回路熱管中的實心溝槽微通道。多尺度結構吸液芯可將蒸發器內的汽－液流動路徑分開，液體通過多尺度毛細芯吸入，蒸汽在固－液－汽界面處產生，并通過大尺度溝槽溢出。多尺度毛細芯同時滿足了兩個需求：蒸汽溢出需要多尺度孔隙，液體吸入需要小尺度孔隙。（2）第二層和第三毛細芯不僅起到回流液體的作用，還起到防止熱泄露的作用。第三毛細芯為超低導熱率材料，可大大減少從蒸發器到補償箱的熱泄漏。 技術指標：（1）與傳統回路熱管相比，蒸發器中心溫度可降低20-50℃，最大熱流密度可達40W/cm2。（2）在300W加熱功率下，最大反重力高度可達500mm。 綜合優勢：（1）可在反重力狀態下運行。（2）散熱功率大，散熱距離長。 應用領域：航空航天、能源動力和軍工裝備等領域光電設備的散熱。 3、超薄熱管 基本原理：（1）將仿生多尺度微－納結構應用于熱管蒸發端毛細芯。（2）熱管超親水蒸發端和超疏水冷凝端相互匹配，共同調節熱管內部的汽液相分布。（3）熱管蒸發端和冷凝端的相變傳熱主要是核態傳熱機制，傳熱系數對于熱流密度的變化具有自適應響應特性。 技術指標：（1）顯著降低熱管蒸發端中心溫度30-40℃(~100W/cm2)。（2）蒸發傳熱系數提高2.4倍。（3）冷凝傳熱系數提高4倍。 綜合優勢：（1）體積小，重量輕。（2）顯著提高設備穩定性、可靠性和使用壽命。 應用領域：筆記本電腦、微處理器、手機等小型電子設備的散熱。

成果介紹基片集成類導波結構是近十幾年發展起來的一類新型平面集成高性能導波結構，2011年被國際微波雜志列為“改變未來無源與控制器件的十大非凡發明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011）。本項目組是國際上這一領域的主要貢獻者之一，在國家自然科學基金委創新群體基金和國家973項目等的資助下，對基片集成類導波結構的傳輸特性、諧振特性、損耗機理、模式轉換機理、極化轉換機理等科學問題及其在多個分支的創新應用開展了系統深入的研究，建立了精確有效的設計方法，構建了基礎設計公式，提出并命名了半模基片集成波導等新型導波結構，提出了一系列基片集成類無源元件新結構等。技術創新點及參數1、在國際上最早提出并發展了適合于周期性基片集成類導波結構的頻域有限差分和直線法全波分析模型，揭示了其傳輸機理，并在此基礎上構建了一組閉式設計公式。這組公式已被廣泛用于基片集成類導波結構元器件的設計。相關代表作單篇正面他引均超過150次。2、提出并命名了半模基片集成波導、折疊半模基片集成波導等新型導波結構，系統研究了其導波特性、損耗機理和模式轉換機理等，構建了設計公式，并在此基礎上發展了一系列新型微波毫米波高性能元器件，其中代表作單篇正面他引均超過100次。3、提出了多種基片集成波導無源新結構，深入研究了其諧振特性、耦合特性和損耗機理，并在此基礎上發展了一系列高性能新型元器件及單基片集成系統。相關代表作合計正面他引350余次。4、在基片集成波導天線輻射機理研究的基礎上，突破了經典Elliott設計公式的局限性，建立了相應的分析模型和設計方法，發展了一系列新穎的高性能基片集成類天線及陣列，相關代表作由于其基礎性和創新性被合計正面他引300余次。市場前景項目研究成果已獲54項授權國家發明專利，其中部分專利已進行技術轉讓并應用于企業產品中。

該項目以基片集成類導波結構的工作機理與創新應用為主線，對這類結構及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎科學問題進行了深入研究，提出了半模基片集成波導等多種新型平面導波結構，發展了相應的設計方法，并發明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實際應用。

近日，清華大學航院、柔性電子技術研究中心馮雪教授課題組在《國家科學評論》（National Science Review）在線發表了題為“可抑制運動噪聲的類皮膚可穿戴連續血壓監測系統”（Wearable skin-like optoelectronic systems with suppression of motion artifact for cuff-less continuous blood pressure monitor）的論文，描述了課題組制備的一種柔性超薄光電傳感器件與電路系統，能夠自然貼附在人體皮膚上實現醫學意義上的連續血壓和血氧測量，并實時無線傳輸數據到智能設備終端。該系統利用類皮膚可延展傳感技術建立了新型連續血壓測量方案，為解決血壓和血氧長期動態監測提供了一條新途徑。同時，此類柔性可穿戴設備是遠程醫療的重要突破，能夠為遠程監測提供醫療級硬件，解決精準醫療數據遠程獲取難題。類皮膚連續血壓監測系統示意圖心血管疾病及其相關并發癥已經成為威脅人類生命和健康的重大隱患。根據世界衛生組織（WHO）估計，每年大約有1790萬人死于心血管相關疾病，占全球死亡總數的31％。目前，最常用的血壓測量方案為袖帶加壓法。該方法需要袖帶捆綁在人體手腕或手臂處，測量過程不方便，也無法實現連續血壓監測，影響個人的生活質量和自我監測長期依從性，在便利性及連續測量等關鍵問題上仍未突破。類皮膚血壓監測器件實物圖針對上述問題，馮雪教授課題組發展了基于光學原理的血壓監測方案，利用生物兼容性材料制備了可以與人體自然共形貼附的光電系統。通過測量血液對不同波長的光波吸收情況，判斷血液的容積和流速變化，從而測量出血氧和血壓值。馮雪課題組結合多年的力學研究基礎和可延展柔性電子器件設計經驗，通過虛功原理建立了專門應用于柔性光電子系統的血壓測量模型，并提出了基于多波長測量的光路差分方法，用來抑制由人體活動等帶來的噪聲干擾，從而精確測量脈搏波播速，實現連續血壓的精確監測并動態實時傳輸到智能終端。臨床試驗表明，與有創連續血壓測量相比，該類皮膚血壓監測系統測量的血壓值絕對誤差小于10 mmHg，具有重要的臨床應用價值。清華大學馮雪課題組長期致力于研究可延展／超柔性等超常規微器件與大規模集成技術，所發展的柔性電子技術應用于健康醫療、智能感知及重大裝備，近年來在《科學進展》（Science Advances）、《先進材料》（Advanced Materials）、《先進功能材料》（Advanced Functional Materials）、《力學和固體物理學期刊》（Journal of the Mechanics and Physics of Solids）等期刊發表一系列高水平論文。航院、柔性電子技術研究中心李海成博士為文章第一作者，馮雪教授為論文通訊作者，參與該工作的還有北京清華長庚醫院許媛主任團隊。該項研究得到了國家重點基礎研究發展計劃（973計劃）、國家自然科學基金等的資助。

本項目主要研究和開發高遷移率透明氧化物半導體薄膜，重點研究摻鋅氧化銦(IZO)透明氧化物半導體薄膜;篩選合適的介質層材料，研 究和制備優質致密的透明介質層薄膜;研究制備摻鎢氧化銦(IWO)高 遷移率 TCO 薄膜，使其與 TOS 薄膜具有良好的電接觸特性;研究制 備采用上述透明導電氧化物電極、透明氧化物半導體溝道層和透明介 質層構成的全透明 TFT，研究 TFT 的尺寸和各種工藝技術對 I-V 特

微流體數字化技術通過對裸結構的微噴嘴實施脈沖的慣性力，使微量流體在慣性力與黏性力交替作用下實現微流體的脈沖流動，從而實現數字化可控的微量流體的噴射，適用于液體微噴射、粉體微噴射等領域。 成熟度：基于非晶態玻璃材料毛細加工原理，進行了拉制、鍛制、殘余應力熱處理等工序研究，制作了出微納米級的微噴嘴、微管道。以玻璃微噴嘴制備儀為平臺研究了不同拉制參數、鍛制參數對微噴嘴幾何形狀的影響規律。基于微流體脈沖驅動-控制技術，分別采用拉制、鍛制的微噴嘴穩定地制備了均一的微液滴。 微流體

采用光互連技術可以有效的解決集成電路進一步發展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸的速度和頻率。Si基光子集成是實現集成電路光互聯的核心技術和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優良的光電轉換效率已經在光電子器件領域得到廣泛的應用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現Si基光子芯片的一種理想途徑。

寧波大學晶體材料實驗室在國際上首次成功開發鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術。 一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 閃爍單晶是廣泛應用于高能射線探測成像技術的光學功能材料。寧波大學晶體材料實驗室在國際上首次成功開發鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術。近年來所制備閃爍單晶性能完全達到射線探測器制造所要求實用化指標，CWO閃爍單晶材料可廣泛應用于安檢設備、集裝箱檢查系統、CT診療儀等技術領域。迄今已經形成單晶原坯、多規格晶片和單晶陣列的批量生產能力，相關材料產品已銷往國內外相關射線探測成像設備制造廠商。