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復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室引進(jìn)了多名來自英飛 凌公司器件部門的歸國人才，其中上海市千人計(jì)劃引進(jìn)人才 2 人，國 家萬人計(jì)劃中青年科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才 1 人。近年來引進(jìn)人才在集成電 路新型器件研究方向取得了多項(xiàng)處于國際領(lǐng)先水平的器件技術(shù)。比如 2013 年發(fā)表在美國《科學(xué)》雜志上的半浮柵器件，是國內(nèi)首次發(fā)表 在這類高水平雜志上的原創(chuàng)成果。主要技術(shù):1) 新型低壓超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)及制造專利技術(shù)2)

本發(fā)明公開了一種用于電子器件轉(zhuǎn)移的裝置，包括:上電極層 和下電極層，其對(duì)置間隔布置，通電后在兩者之間可產(chǎn)生電場;粘性 層，其固結(jié)在下電極層的下表面;還包括設(shè)置在上電極層和下電極層 之間的電活性層，其可在兩電極層通電而產(chǎn)生的電場作用下被擠壓而 產(chǎn)生縱向以及橫向的變形，該變形驅(qū)動(dòng)電極層和粘性層產(chǎn)生變形，從 而產(chǎn)生剪力和/或者凹凸頂起力，使其被脫粘并放置于受體基板上。本 發(fā)明還公開了利用上述裝置進(jìn)行電子器件轉(zhuǎn)移的方法及其應(yīng)用。本發(fā) 明可實(shí)現(xiàn)電子器件主動(dòng)放置，裝置結(jié)構(gòu)簡單，具有快速、可靠，容易 控制等優(yōu)點(diǎn);

我國新型顯示產(chǎn)業(yè)規(guī)模和在建產(chǎn)線均居世界第一，但主要核心裝備依賴進(jìn)口，制約我國新型顯示產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展。新型顯示器件向大尺寸、超高清、柔性化方向發(fā)展，其面臨的重大挑戰(zhàn)是如何在大面積柔性基板上實(shí)現(xiàn)納米特征-微米結(jié)構(gòu)-米級(jí)器件跨尺度高精度制造。光刻/蒸鍍技術(shù)受限于模板尺寸和平面工藝，傳統(tǒng)噴印受制于打印分辨率低（>20μm），均無法滿足大尺寸/超高清/柔性化新型顯示高精度/高效率/高可靠制造要求，急需發(fā)明新的制造原理、技術(shù)與裝備。 針對(duì)新型顯示器件高精高效制造國際難題，本項(xiàng)目原創(chuàng)高分辨率電流體噴印新原理，發(fā)明了電流體噴印新噴頭、新技術(shù)和新裝備，國際首創(chuàng)多款柔性新型顯示器件并占領(lǐng)高端市場。 目前提出的“拉伸式”高分辨率電流體噴印新原理，實(shí)現(xiàn)<200nm結(jié)構(gòu)的噴印制造，兼具按需點(diǎn)噴、射流直寫、霧化制膜等不同噴射模式，突破了傳統(tǒng)噴墨打印技術(shù)分辨率低、材料適用范圍窄、噴射模式單一的問題。 本成果發(fā)明了陣列化獨(dú)立可控電流體噴印系列噴頭、高速視覺測量裝置等核心裝置與智能控制算法，開發(fā)了國際首臺(tái)新型顯示電流體噴印裝備。部分核心專利作價(jià)3000萬元實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化，創(chuàng)新技術(shù)支持下開發(fā)的系列裝備在顯示龍頭企業(yè)測試應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)了高分辨率OLED/QLED/PeLED（>300PPI）等新型顯示器件集成制造。

成果簡介：利用高速旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子產(chǎn)生的高離心力對(duì)在高承載環(huán)境下使用的器件進(jìn)行加載試驗(yàn)，采用成熟試驗(yàn)技術(shù)方法和檢測手段，實(shí)現(xiàn)對(duì)微小型機(jī)械結(jié)構(gòu)件和電子器件、加速度傳感器在高承載環(huán)境下的高載荷試驗(yàn)和標(biāo)定。該設(shè)備最高加速度實(shí)驗(yàn)值：8萬g，最高加速度標(biāo)定值：1萬g，實(shí)驗(yàn)對(duì)象最大回轉(zhuǎn)半徑：50mm，加速度實(shí)驗(yàn)精度：3%，標(biāo)定精度：6%，實(shí)驗(yàn)對(duì)象尺寸：實(shí)驗(yàn)件最大尺寸長度≤18mm，實(shí)驗(yàn)件三維尺寸處于直徑D=18，高度H=15的圓柱體范圍里。適合鋼、鋁及銅質(zhì)等各種材質(zhì)加工的，在高承載環(huán)境下工作的機(jī)械結(jié)構(gòu)件、電子元器件

項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在印刷制造領(lǐng)域有多年的研究基礎(chǔ)，形成“基礎(chǔ)研究-關(guān)鍵技術(shù)-應(yīng)用突破”的全鏈條研究方式，構(gòu)建了印刷電子低成本制造技術(shù)及應(yīng)用集成模式，發(fā)展了系列先進(jìn)防偽功能油墨、高性能導(dǎo)電油墨和活性儲(chǔ)能功能油墨，并實(shí)現(xiàn)了其在光學(xué)防偽、智能服裝以及智能包裝等領(lǐng)域的應(yīng)用推廣。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在印刷制造領(lǐng)域有多年的研究基礎(chǔ)，形成“基礎(chǔ)研究-關(guān)鍵技術(shù)-應(yīng)用突破”的全鏈條研究方式，構(gòu)建了印刷電子低成本制造技術(shù)及應(yīng)用集成模式，發(fā)展了系列先進(jìn)防偽功能油墨、高性能導(dǎo)電油墨和活性儲(chǔ)能功能油墨，并實(shí)現(xiàn)了其在光學(xué)防偽、智能服裝以及智能包裝等領(lǐng)域的應(yīng)用推廣，成果達(dá)到國際領(lǐng)先水平。發(fā)表SCI論文80余篇，出版專著4部，授權(quán)專利23項(xiàng)（發(fā)明專利20項(xiàng)）。本成果的關(guān)鍵技術(shù)與創(chuàng)新點(diǎn)主要體現(xiàn)在四個(gè)方面： （1）基于上/下轉(zhuǎn)換多模式光學(xué)功能油墨化策略，發(fā)展了新型長效功能防偽油墨，將傳統(tǒng)的單一顏色印刷光學(xué)防偽圖案升級(jí)為全彩色防偽圖像，在國際上率先實(shí)現(xiàn)了特定波長防偽和機(jī)密印刷圖文信息隱藏與編碼。實(shí)現(xiàn)了一系列包括近紅外激發(fā)的多色可見上轉(zhuǎn)換發(fā)光防偽功能油墨、紫外光激發(fā)多色下轉(zhuǎn)換發(fā)光防偽油墨以及兼具上/下轉(zhuǎn)換發(fā)光特性的防偽功能油墨的配制，能夠滿足多種印刷方式（絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷以及R2R印刷），在多種包裝基底材料上（PET、紙張、織物等）具有良好的印刷效果和防偽應(yīng)用。 （2）創(chuàng)新的采用同時(shí)從電極結(jié)構(gòu)內(nèi)部和功能油墨外部優(yōu)化的雙重策略，利用大面積絲網(wǎng)印刷技術(shù)實(shí)現(xiàn)了柔性超級(jí)電容器的全印刷工藝制備，率先揭示了印刷工藝對(duì)器件性能影響的關(guān)鍵決定機(jī)制和內(nèi)在工作機(jī)理。實(shí)現(xiàn)了多種高性能儲(chǔ)能材料，如金屬氧化物，導(dǎo)電聚合物，MOF類功能材料及其復(fù)合材料的制備與油墨化處理，所制備的印刷柔性超級(jí)電容器的比電容可達(dá)到16.8 mF cm-2（0.1 mA cm-2），同時(shí)具有長的循環(huán)穩(wěn)定性（＞5000次），優(yōu)異的能量密度和功率密度（0.5 mW cm-2）。本項(xiàng)目提出的印刷電子技術(shù)代表了超級(jí)電容器制造業(yè)的一種范式轉(zhuǎn)變，它為柔性超級(jí)電容器提供了一系列簡單、低成本、省時(shí)、多功能和環(huán)保的制造技術(shù)，在未來電子產(chǎn)品中具有巨大的應(yīng)用潛力。 （3）發(fā)展了系列功能傳感油墨，實(shí)現(xiàn)了高度靈敏和循環(huán)穩(wěn)定的柔性傳感器的全印刷制造，揭示了功能導(dǎo)電油墨組分與配比對(duì)傳感性能的影響規(guī)律以及印刷柔性傳感器的傳感機(jī)理，系統(tǒng)評(píng)估了印刷柔性傳感器的傳感性能，所制備的印刷傳感器的應(yīng)力傳感范圍可達(dá)到155%，最大靈敏度為6.3×104，最快響應(yīng)速度可達(dá)到18 ms，循環(huán)穩(wěn)定性＞1000次，并且成功應(yīng)用于運(yùn)動(dòng)、健康監(jiān)測和智能包裝中。 （4）完善了全印刷制造相關(guān)理論，解決了印刷制造薄膜類電子器件結(jié)構(gòu)精度低共性問題，利用多種印刷技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能柔性/可拉伸電極和柔性加熱器件的圖案化制造，研究并揭示了其運(yùn)行工作機(jī)理，實(shí)現(xiàn)了部分印刷電子器件的集成與成果轉(zhuǎn)化。

研制開發(fā)并形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、環(huán)保、高效、可靠的廢棄線路板無損拆解技術(shù)、粉碎技術(shù)、分離技術(shù)、再利用技術(shù)等相關(guān)技術(shù)，設(shè)計(jì)開發(fā)具有中國特色的廢棄線路板回收處理及再利用整體工藝及生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)對(duì)廢棄線路板的無污染回收處理及再利用。該設(shè)備是一種環(huán)保、節(jié)能、高效的廢棄線路板元器件無損拆解設(shè)備，由傳動(dòng)、加熱、振動(dòng)、除煙味等單元構(gòu)成，該設(shè)備主機(jī)長為3.5m，寬0.8m，高為1.5m，生產(chǎn)能力為300～700塊線路板/小時(shí)。在第三屆北京發(fā)明創(chuàng)新大賽中，“線路板無損拆解設(shè)備”獲得節(jié)能環(huán)保專項(xiàng)獎(jiǎng)和大賽銀獎(jiǎng)。拆解效率高，溫度可控，節(jié)能效果好，元器件無損拆解率高；設(shè)備環(huán)保；功率小，便于中小規(guī)模生產(chǎn)；加工操作簡單；故障診斷、自我保護(hù)和聲光報(bào)警功能。主要性能指標(biāo)如下。1. 功率：4KW 2. 拆解率：98%3. 電壓：220 4. 煙塵、氣味：過濾效率99.9%5. 產(chǎn)量： 100~200 kg/h 6. 主機(jī)外形尺寸： 3500×80×1500 7. 整機(jī)重量：1.0臺(tái)/t 廢棄線路板基板的主要組成是纖維強(qiáng)化熱固性樹脂，由于熱固性塑料本身的特點(diǎn)，除了焚燒回收熱值，還有作為粉末用于涂料、鋪路材料等重新利用，這些再生品質(zhì)量低下、檔次不高，而且在經(jīng)濟(jì)投資和資源利用方面也是不合理的。本項(xiàng)目根據(jù)廢棄線路板基板原材料的不同，進(jìn)行分別粉碎處理，將粉碎后的PCB粉末作為填料或增強(qiáng)體，以不飽和聚酯、環(huán)氧樹脂等熱固性材料作為基體，采用熱壓成型工藝，最終生產(chǎn)出多種復(fù)合材料，根據(jù)復(fù)合材料的不同性能，可以制成多種產(chǎn)品應(yīng)用在廣泛的領(lǐng)域里，代木、代鋼、代塑、代瓷制品，所以具有明顯的社會(huì)效益。該技術(shù)解決了固體廢棄物帶來的環(huán)境污染問題，又節(jié)約了一次資源，降低了制造成本，具有良好的環(huán)境、社會(huì)、經(jīng)濟(jì)三大效益。主要性能指標(biāo)如下。抗彎強(qiáng)度/MPa 沖擊強(qiáng)度/ Kg?m-2密度/ g?cm-3使用溫度/℃ 成本價(jià)格/元/噸 廢棄PCB粉體/短切玻璃纖維/不飽和聚酯150 17.92 1.59 50 4000 廢棄線路板粉體/環(huán)氧樹脂/偶聯(lián)劑134.1 11.67 1.54 139.1 7000 申請(qǐng)專利：1. 吳國清，張宗科. 一種應(yīng)用于廢棄線路板無損拆解的處理設(shè)備及方法，專利號(hào)：200810224887.7 2. 吳國清，張宗科. 一種線路板夾具體，200810224853.8 3. 吳國清，張宗科，趙玉振. 廢棄線路板的回收及再利用方法. 200910091996.0 4. 吳國清，趙玉振. 廢棄電子元器件的回收及再利用方法. 200910091995.6 

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號(hào)測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光與顯示器件的制備方法，具體地說，是涉及一種基于紫外光激發(fā)的白光發(fā)射器件及其制備方法，屬光電集成技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見光區(qū)發(fā)光的白光發(fā)射器件。 技術(shù)推廣意向：半導(dǎo)體發(fā)光與顯示領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新：本發(fā)明具有如下的有益效果：器件結(jié)構(gòu)簡單，無污染，制備成本低；不需要熒光粉，發(fā)光效率高；發(fā)光性能穩(wěn)定，光譜波長范圍寬。

本發(fā)明公開了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無鉛釬料，屬于金屬材料類及冶金領(lǐng)域釬焊材料。該種無鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設(shè)計(jì)所需成分配比，預(yù)先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護(hù)氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無鉛釬料對(duì)應(yīng)無鉛焊點(diǎn)的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發(fā)明公開了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護(hù)層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無需再對(duì)壓電纖維 進(jìn)行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對(duì)彎曲運(yùn)動(dòng)機(jī)械 能的捕獲效果。