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一種基于光纖薩格納克干涉儀的聲波傳感測量裝置
本發明公開了一種基于光纖薩格納克干涉儀的聲波傳感測量裝 置，包括單色光源、光纖耦合器、第一單模光纖、少模光纖、第二單 模光纖、長周期光纖光柵、第三單模光纖、光電探測器和示波器；在 光纖耦合器的第三端和第四端之間的第一單模光纖、少模光纖、第二 單模光纖、長周期光纖光柵、第三單模光纖依次連接構成了薩格納克 閉環結構；長周期光纖光柵與少模光纖在薩格納克閉環內實現了級聯； 當外界聲波作用于該裝置的長周期光纖光柵時，其曲率受到
華中科技大學
2021-04-14
一種納米壓印制備柔性透明表面增強拉曼散射基底的方法
本發明專利公開了一種柔性透明表面增強拉曼散射基底的制備 方法。該方法結合了多孔氧化鋁模板與納米壓印技術。首先，利用陽 極氧化方法制備了多孔氧化鋁模板；然后，在多孔氧化鋁模板上沉積 貴金屬納米顆粒；最后，利用納米壓印技術將多孔氧化鋁模板的納米 結構和貴金屬納米顆粒轉移到聚合物薄膜上，得到一種柔性透明的表 面增強拉曼散射基底。基底具有優異透明性、柔性、均勻性及高靈敏 度，可以應用在瓜果蔬菜表面農藥殘留的原位探測、水溶液中
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于 RFID 安全通信的橢圓曲線加密協處理器
本發明公開了一種適用于 RFID 安全通信的橢圓曲線加密協處 理器，所述協處理器包括寄存器陣列、模算術邏輯單元和 ECC 協處理 器指令控制器，所述寄存器陣列用于存儲橢圓曲線加密計算過程中的 橢圓曲線參數、私鑰、計算過程數據以及計算結果；所述模算術邏輯 單元包括加法電路、乘法電路、平方電路、控制單元和寄存器 T，用 于完成加法、乘法、平方運算；所述 ECC 協處理器指令控制器用于對 所述模算數邏輯單元發送加法、乘法、
華中科技大學
2021-04-14
接枝兩性離子提高聚酰亞胺膜抗污染性能的方法及產品
本發明公開了一種提高聚酰亞胺膜抗污染性能的方法及產品， 屬于聚酰亞胺膜的改性領域。本發明包括如下步驟：將聚酰亞胺膜浸 漬在二胺溶液中 0.1h～24h，之后取出洗凈；將洗凈的聚酰亞胺膜浸漬 在酸性溶液中 1h～48h，之后取出洗凈。本發明利用了兩性離子具有 良好的親水性的特點，成功地將兩性離子接枝到聚酰亞胺膜的表面， 賦予聚酰亞胺膜較高的親水性能，明顯提高了膜的親水性，進而提高 抗污染性能，并能減少微生物吸附和抑制生
華中科技大學
2021-04-14
一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測量方法
本發明公開了一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測量方法，所述方法包括如下步驟：(1)確定待測對象區域，并利用通電螺線管對待測區域施加交流激勵磁場；(2)利用探測線圈采集交流激勵磁場下待測區域的磁感應強度 H1；(3)保持交流激勵磁場不變，將磁納米樣品放置于待測對象的待測區域內，利用探測線圈采集施加磁納米樣品之后待測區域的磁感應強度 H2；(4)計算磁納米粒子的交流磁化率χ的實部χ’和虛部χ”；其中的 A1，A2，α都
華中科技大學
2021-04-14
一種基于磁納米粒子一次諧波幅值的成像方法
本發明公開了一種基于磁納米粒子一次諧波幅值的成像方法。采用交流磁化強度一次諧波幅值實現磁納米濃度成像，只需在一個方向施加高頻正弦磁場并在不同方向提供掃描磁場便可實現一維、二維以及三維空間的掃描；用低頻三角波掃描磁場或低頻正弦波掃描磁場控制空間區域零磁場點的位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子的一次諧波幅值，最終實現磁納米濃度成像，從而避免了通過改變直流電源的大小來移動零磁場點掃描空間，有效提高了磁納米粒子成像的
華中科技大學
2021-04-14
一種測量激光光束質量的裝置、方法及光路準直方法
本發明公開了一種測量激光光束質量的裝置、方法及光路準直 方法，解決了現有激光光束質量測量系統放置激光器后需要花費大量 時間進行手動準直的問題。本發明包括激光器，第一衰減片，第二衰 減片，全反射棱鏡，反射鏡，圖像采集模塊，光束傳輸距離調節模塊， 光束傳輸角度調節模塊，數據處理模塊。本發明通過光束傳輸距離調 節模塊和數據處理模塊測量出不同光束傳輸距離下的光斑中心位置計 算出光束偏離角度，從而通過光束傳輸角度調節模塊對激光
華中科技大學
2021-04-14
一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法
本發明公開了一種硅太陽能電池正面銀電極用銀粉的制備方法， 包括以下步驟：將硝酸銀和檸檬酸溶于去離子水配制得到 A 溶液；將 瓜爾豆膠、抗壞血酸以及硝酸溶于去離子水中配制得到 B 溶液；在攪 拌的情況下，將 A 溶液逐漸滴加到 B 溶液，反應一段時間；靜置，沉 淀得到銀粉。本發明通過引入瓜爾豆膠為反應離子分散劑、檸檬酸為 粒子表面改性劑，在液相化學還原法下制備得到平均粒徑 D50 為 1.0-3.0μm 的銀粉，并兼顧
華中科技大學
2021-04-14
基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發明公開了一種基于 SiCx 織構的硅量子點浮柵非易失性半導 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導電 區和漏導電區，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構中的硅量子點。本發明有效利用硅 量子點-SiCx 織構間的隧穿勢壘，構成了控制柵氧化層-SiCx 織構-Si 量子點-SiC
華中科技大學
2021-04-14
一種用于同步 OCDMA 系統的變重二次同余碼獲取方法
本發明公開了一種用于同步 OCDMA 系統的變重二次同余碼獲 取方法，包括：構建原始二次同余碼碼集；對原始二次同余碼碼集中 的任意一個區內的 p 個碼字序列進行時移變換獲得移位序列碼集；對 移位序列碼集中的子序列進行子序列問插獲得問插序列碼集；將原始 二次同余碼碼集的碼字子序列與問插序列碼集的子序列進行交換處理 后獲得交換序列碼集；對交換序列碼集中的碼字序列進行轉置處理獲 得變重二次同余碼碼集。對 p 個組(G0，G
華中科技大學
2021-04-14