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國內(nèi)外研究證明，稻谷中 64%的營養(yǎng)素集中在米糠中，世界上譽米糠為“天 賜營養(yǎng)源”，美國、日本等發(fā)達國家研究證明，米糠深加工可轉(zhuǎn)化成食品、保健 品、精細化工等高附加值產(chǎn)品，附加值可提高 20 倍，我國年產(chǎn)米糠 1000 多萬 噸，資源極為豐富，米糠營養(yǎng)素和米糠營養(yǎng)纖維項目的研究成功對提供食品營養(yǎng)基料，開創(chuàng)了米糠轉(zhuǎn)化健康食品的新時代。在此研究成果基礎(chǔ)上，進而研發(fā)成功 米糠高效增值全利用技術(shù)。以米糠為原料可同時生產(chǎn)出米糠油、植酸鈣或植酸、 米糠膳食纖維和高蛋白飼料粉四種產(chǎn)品。使米糠附加值提高 8 倍。 

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產(chǎn)品詳細介紹  1、臺面板： 臺面板采用實芯理化板 2、柜體： 柜體采用18mm厚國家一級三聚氰胺雙貼面中密度成型板制作。柜門及抽屜面采用2mm厚PVC封邊條封邊，所有封邊連接處均做圓弧過渡處理。 3、連接件： 連接件采用尼龍制預埋母，優(yōu)質(zhì)鋅合金連接桿，鋅合金偏心輪三合一連接件連接，既保證牢固耐用又便于組裝搬運。 4、鉸鏈： 采用鋅合金鉸鏈，二段力，開門角度110度。 5、抽屜滑道： 抽屜滑道采用自滑式靜音滑道，滑道鋼板厚度為1.2mm，滑輪使用純尼龍料。也可根據(jù)用戶需要采用450mm黑色二節(jié)式鋼制滑道。 6、柜門、抽屜拉手： 可根據(jù)用戶要求選用鋅合金U型亞光拉手、內(nèi)嵌式拉手或封邊拉手。 7、電源： 每組單位長度實驗臺或邊臺配有國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)電源插座。  

目前我國開始發(fā)展單體泵燃油噴射系統(tǒng)以使發(fā)動機的排放達到歐III排放標準，這對于我國節(jié)約能源、保護環(huán)境、降低車輛運輸成本等具有重要意義。本項目開發(fā)對單體泵內(nèi)的關(guān)鍵零件—柱塞進行表面改性的工業(yè)化應(yīng)用技術(shù)，使表面改性處理的柱塞不僅具有優(yōu)異的耐磨壽命（顯著優(yōu)于表面覆有TiN薄膜的柱塞），同時具有很低的摩擦系數(shù)（為TiN薄膜的～1/6），使柱塞/泵體摩擦副均具有高度的壽命水平和保持長期精度。

我們已采用磁控濺射沉積方法成功地制備和研究了環(huán)境友好的鈦酸鋇和鉍鎂鋯鈦氧的復合薄膜，發(fā)現(xiàn)其儲能密度和儲能效率在-100~200 °C溫度區(qū)間內(nèi)都表現(xiàn)出了良好的熱穩(wěn)定性，并且其寬溫儲能密度明顯高于鉛基材料在這個溫度區(qū)間報道的最大值，使其成為替代鉛基儲能材料的最佳選擇。為了降低生產(chǎn)成本，目前我們正在通過研究和調(diào)控薄膜的生長工藝來實現(xiàn)在成本低廉的Si、Ni等襯底上制備大面積、高質(zhì)量、高性能的復合儲能薄膜。

本發(fā)明公開了一種基于超磁致伸縮薄膜驅(qū)動器的平面線圈驅(qū)動式微閥，包括下閥體 （1）、依次壓疊在下閥體（1）上的基片（3）、上閥體（4）和平面螺旋線圈（6），下閥 體的底部沿徑向方向分別設(shè)有進液流道（2）和出液流道（11），下閥體的上部設(shè)有液體腔 （13），進液流道（2）設(shè)有垂直向上的與液體腔連通的流道口，出液流道（11）與所述液 體腔連通；基片（3）上表面鍍有具有逆磁致伸縮效應(yīng)薄膜（7），下表面鍍有具有正磁致伸 縮效應(yīng)薄膜（9）；平面螺旋線圈（6）通電后，磁致伸縮薄膜驅(qū)動器在激勵磁場的作用下發(fā) 生形變向上彎曲，使得工作流體通道打開，實現(xiàn)液壓系統(tǒng)回路的通斷。本發(fā)明具有體積小、 易于微型化、響應(yīng)速度快、可控性強等特點。

該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導體的晶界，提升其機械性能，實現(xiàn)了柔性有機晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進一步實現(xiàn)了晶粒間的粘合作用。

本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現(xiàn)非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進行操作實現(xiàn)非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。

本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應(yīng)的時間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬