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三相六開(kāi)關(guān)整流器負(fù)載電流觀測(cè)的直接功率預(yù)測(cè)控制方法
三相六開(kāi)關(guān)整流器負(fù)載電流觀測(cè)的直接功率預(yù)測(cè)控制方法。本發(fā)明公開(kāi)了一種三相整流器負(fù)載電流觀測(cè)的直接功率預(yù)測(cè)控制技術(shù)，其步驟是：A、通過(guò)電流傳感器、電壓傳感器分別測(cè)出三相電流、三相電網(wǎng)電壓和直流側(cè)電容電壓；B、通過(guò)測(cè)量的直流電容電壓計(jì)算出八種開(kāi)關(guān)組合(000,001,010,100,011,101,110,111)對(duì)應(yīng)的電壓矢量；C、給定的直流電壓通過(guò)濾波器后得到本采樣周期的瞬時(shí)參考電壓，根據(jù)直流側(cè)和交流側(cè)功率守恒原則獲
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于矢量電力系統(tǒng)穩(wěn)定器的雙饋風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于矢量電力系統(tǒng)穩(wěn)定器的雙饋風(fēng)力發(fā)電系 統(tǒng)，包括風(fēng)力機(jī)、齒輪箱、發(fā)電機(jī)、轉(zhuǎn)子側(cè)變換器、網(wǎng)側(cè)變換器、直 流電容、濾波器、轉(zhuǎn)子側(cè)控制器、矢量信號(hào)采集器和矢量電力系統(tǒng)穩(wěn) 定器；矢量信號(hào)采集器的輸入端連接電網(wǎng)；矢量電力系統(tǒng)穩(wěn)定器的輸 入端連接至矢量信號(hào)采集器的輸出端；轉(zhuǎn)子側(cè)控制器的第一輸入端連 接至發(fā)電機(jī)的輸入端，第二輸入端連接至電網(wǎng)，第三輸入端連接至矢 量電力系統(tǒng)穩(wěn)定器的輸出端，輸出端連接至轉(zhuǎn)子側(cè)變換器的控制端。 本發(fā)明引入了風(fēng)機(jī)端電壓矢量信號(hào)作為輸入信號(hào)來(lái)獲得電磁轉(zhuǎn)矩控制 補(bǔ)償信號(hào)和端電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種氧化鋅納米線(xiàn)陣列紫外光電探測(cè)器的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于氧化鋅納米線(xiàn)陣列的紫外光電探測(cè)器，屬于光電子器件領(lǐng)域。本發(fā)明利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，通過(guò)調(diào)節(jié)雙溫區(qū)管式爐裝中真空壓力等實(shí)驗(yàn)參數(shù)，在氮化鎵襯底上實(shí)現(xiàn)氧化鋅納米線(xiàn)陣列的均勻可控生長(zhǎng)，然后利用透明導(dǎo)電玻璃直接貼壓法，得到對(duì)365nm 紫外光具有毫秒量級(jí)的快速響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間的紫外光電探測(cè)器。本方法工藝簡(jiǎn)單，材料成本低廉，在快速紫外光電傳感器和短長(zhǎng)光電器件領(lǐng)域有廣泛的運(yùn)用前景。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種兩自由度隔振與精密定位的復(fù)合主動(dòng)隔振器
本發(fā)明公開(kāi)了一種兩自由度隔振與精密定位的復(fù)合主動(dòng)隔振器， 該隔振器包括基礎(chǔ)平臺(tái)(10)和負(fù)載平臺(tái)(30)，該隔振器還包括隔振單 元，其設(shè)置在所述基礎(chǔ)平臺(tái)(10)和負(fù)載平臺(tái)(30)之間，所述隔振單元包括沿第一方向設(shè)置的空氣彈簧(20)和第一音圈電機(jī)(25a)，所述隔振單 元還包括沿第二方向設(shè)置的可調(diào)剛度片彈簧和第二音圈電機(jī)(25b)，該 隔振器還包括定位單元，其設(shè)置在所述隔振單元的外側(cè)，所述定位單 元包括沿第一方向設(shè)置的比例壓力閥(26)，所述定位單元還包括沿第二 方向的第二音圈電機(jī)(25b)。本發(fā)明
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種基于選權(quán)迭代的星敏感器在軌幾何定標(biāo)方法及系統(tǒng)
一種基于選權(quán)迭代的星敏感器在軌幾何定標(biāo)方法及系統(tǒng)，利用星敏感器拍攝多張恒星背景，獲取恒 星控制點(diǎn)的方向矢量和量測(cè)矢量，構(gòu)建星敏感器在軌幾何定標(biāo)模型，利用選權(quán)迭代與最小二乘方法解算 定標(biāo)參數(shù)，獲取定標(biāo)結(jié)果。本發(fā)明可以有效的抑制由于星敏感器相機(jī)參數(shù)存在偏差造成的星圖誤識(shí)別引 入的錯(cuò)誤恒星控制點(diǎn)信息，有效的提高星敏感器在軌幾何定標(biāo)的可靠性與穩(wěn)定性，提高衛(wèi)星測(cè)量精度。
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種基于 555 斯密特觸發(fā)器的聲控鼓風(fēng)機(jī)電路
本實(shí)用新型提供一種基于 555 斯密特觸發(fā)器的聲控鼓風(fēng)機(jī)電路，包括依次連接的音頻采集電路、放 大電路和驅(qū)動(dòng)電路。本實(shí)用新型對(duì)微小的音頻信號(hào)進(jìn)行采集，放大和處理，使得音頻信號(hào)經(jīng)過(guò)觸發(fā)器之 后成為高電平方波信號(hào)，觸發(fā)鼓風(fēng)機(jī)電機(jī)工作，達(dá)到送風(fēng)的目的。本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)實(shí)用， 可以通過(guò)簡(jiǎn)易的電路信號(hào)處理裝置，將音頻信號(hào)轉(zhuǎn)化成為一種觸發(fā)信號(hào)。
武漢大學(xué)
2021-04-14
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輸出電容低ESR開(kāi)關(guān)變換器雙緣PFM調(diào)制電壓型控制方法及其裝置
本成果來(lái)自國(guó)家科技計(jì)劃項(xiàng)目，現(xiàn)已結(jié)題，并獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)（ZL201310022469.0），知識(shí)產(chǎn)權(quán)屬于西南交通大學(xué)。該成果公開(kāi)了一種輸出電容低ESR開(kāi)關(guān)變換器雙緣PFM調(diào)制電壓型控制方法及其裝置，檢測(cè)流過(guò)輸出電容的電流ic以及輸出電壓Vo，將兩者相加得到信號(hào)Vos，電壓控制信號(hào)Vc與Vos經(jīng)過(guò)時(shí)間運(yùn)算器生成可變時(shí)間，結(jié)合預(yù)設(shè)的恒定時(shí)間，再經(jīng)過(guò)控制時(shí)序生成器產(chǎn)生由恒定時(shí)間和可變時(shí)間組成的控制時(shí)序，控制開(kāi)關(guān)變換器開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷。本成果具有輸出電壓低紋波且無(wú)低頻振蕩、穩(wěn)定范圍廣、瞬態(tài)響應(yīng)速度快、穩(wěn)壓精度高的優(yōu)點(diǎn)。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素?fù)诫s鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽(yáng)極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對(duì)一氧化碳 有較好的響應(yīng)。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性 能優(yōu)異。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述 內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內(nèi)電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒 結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法， 包括多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串，每一個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個(gè)分立的電荷存儲(chǔ)層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個(gè)電荷存儲(chǔ)層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14