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本發(fā)明公開了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉(zhuǎn)移裝置， 包括薄膜進給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉(zhuǎn)移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進給單元用于薄膜的進給運動并對薄膜進 行模切，模切后的薄膜經(jīng)真空輥吸附單元驅(qū)動至壓輥轉(zhuǎn)移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉(zhuǎn)移單元中實現(xiàn)與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元則根據(jù)工況需要提供多種對廢料的實時檢測和剔除操作。通過本 發(fā)明，各個模塊單元之間相互聯(lián)系，共同協(xié)作，實現(xiàn)對成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測轉(zhuǎn)移過程，同時具備運動穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu) 點。

本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納

在海洋環(huán)境、酸雨污染、高溫高濕等的環(huán)境條件下，紫銅、黃銅及其合金的加工器件在中間工序存放和使用過程中會造成點蝕，進而擴展為大面積腐蝕，而作為連接部件會加劇縫隙腐蝕引發(fā)應(yīng)力腐蝕斷裂。該項目成功研制了耐腐蝕耐磨防腐蝕環(huán)保涂料，大大延長銅類尤其是紫銅的自然存放期，對銅器件生產(chǎn)和運輸過程中起到了很好的保護作用；由于耐蝕性優(yōu)異，也可作為長期防護涂層。該技術(shù)獲得的涂層在厚度為5μ條件下測試相關(guān)主要技術(shù)指標如下：   外觀    無色透明   可保留銅的金屬光澤；可調(diào)整任意顏色   粘度    25秒      《涂料粘度測定法》（涂-4杯）（GB/T 1723-1993）    附著力  0級      《色漆和清漆漆膜的劃格試驗》（GB/T9286-1998）    耐鹽霧   200h       《色漆和清漆耐中性鹽霧的測定》（GB/T1771-1991）   耐沖擊  50Kg·cm   《漆膜耐沖擊測定法》GB/T1732-1993   耐磨擦  0.005千克 《漆膜耐磨性測定法》（GB/T1768-1989）   硬度    4H        《涂膜硬度鉛筆測定法》（GB/T6739-1996）   相容性  與彈藥相容 《真空安定性試驗-壓力傳感器法》（GJB772A-97 501.2） 該技術(shù)適合噴涂、刷涂、輥涂等工藝，不含任何有害稀釋劑，為環(huán)保產(chǎn)品。該產(chǎn)品用量少、性能和使用工藝優(yōu)于防銹油；其另一特色在于必要時很容易去除，比防銹油的去除要容易的多。

本項目將提供一款高品質(zhì)的非晶 ZnTiSnO 微型半導(dǎo)體氣體傳感器，為一種具有納米材料特征的薄膜型氣體傳感器，用于可燃性氣體（特別是乙醇）的檢測。該半導(dǎo)體氣體傳感器具有下述優(yōu)點：靈敏度高、選擇性好、響應(yīng)快、穩(wěn)定性好、抗干擾性強、可室溫工作、易于微型化、與微電子系統(tǒng)兼容，而且制作工藝簡單、組裝成本低、價格低廉。 （1）半導(dǎo)體氣體傳感器件的核心材料為氣敏層，即非晶ZnTiSnO 薄膜，該材料質(zhì)量如何直接決定了器件的性能。通過前期預(yù)研究，我們設(shè)計并合成了具有表面微納結(jié)構(gòu)的絨面 a-ZnTiSnO 薄膜，如何進一步優(yōu)化工藝參數(shù)，更加提升 a-ZnTiSnO 薄膜高質(zhì)量，實現(xiàn)精確可控生長，依然是本項目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （2）氣體傳感器的實用性在于器件參數(shù)的確立，因而，通過系統(tǒng)研究，建立非晶 ZnTiSnO 氣體傳感器各氣敏性能與氣體參數(shù)之間的定量關(guān)系曲線，特別是室溫工作條件下的定量關(guān)系，是本項目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （3）為使氣體傳感器獲得廣泛應(yīng)用，器件良好的穩(wěn)定性至關(guān)重要。通過工藝優(yōu)化、器件設(shè)計和封裝保護等措施，實現(xiàn)非晶ZnTiSnO 氣體傳感器的高穩(wěn)定性和抗干擾性，使器件具有長的使用壽命，也是本項目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。制備出高質(zhì)量非晶 ZnTiSnO 薄膜，具有均勻且均一的表面微納結(jié)構(gòu)，絨度大于35%；薄膜與襯底附著力大于 21N。非晶 ZnTiSnO氣體傳感器性能指標：氣敏層尺寸 10~300μm，易于集成化；對可燃性氣體有高選擇性，其中對乙醇的敏感度最高；室溫工作條件下，對 100ppm 乙醇的響應(yīng)度不低于 30；響應(yīng)時間小于 1.8s，恢復(fù)時間小于 1.5s；穩(wěn)定性好，有效使用壽命不低于3 年。 理論與實驗相結(jié)合，揭示出 a-ZnTiSnO 氣體傳感器室溫氣敏性能和穩(wěn)定性機理，建立理論模型，闡明器件的耐候性規(guī)律。研制出具有實用價值的高品質(zhì) a-ZnTiSnO 半導(dǎo)體氣體傳感器，建立一套非晶 ZnTiSnO 材料生長和器件制備的完整工藝，關(guān)鍵技術(shù)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。 應(yīng)用范圍：  納米氧化銅產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類抗菌、抗紫外線、空氣凈化產(chǎn)品中，如抗菌保鮮膜、抗菌塑料、抗菌纖維、抗菌整理液、抗菌陶瓷、抗菌地板、抗菌紡織品、防嗮化妝品、室內(nèi)甲醛治理等產(chǎn)品中。 納米CuO應(yīng)用前景 催化劑：主要用于國防領(lǐng)域，作為復(fù)合固體推進劑的重要成分，用來調(diào)節(jié)推進劑燃耗性能。 傳感器：納米氧化銅對外界環(huán)境的溫度，光，濕氣等十分敏感，并且可以提高傳感器的響應(yīng)速度，靈敏度和選擇性。 在超導(dǎo)，陶瓷，電極活性材料等領(lǐng)域作為一種重要的無機材料有廣泛的應(yīng)用。 用作玻璃，瓷器的著色劑，光學(xué)玻璃磨光劑，有機合成的催化劑，油類的脫硫劑，氫化劑。 用于制造人造寶石及其它銅氧化物，用于人造絲的制造，以及氣體分析和測定有機化合物等。 用于飼料中，提高銅的表觀消化率。 用于抗菌劑，納米氧化銅具有清潔，高效，能耗低，污染小，被廣泛用于醫(yī)藥，紡織等領(lǐng)域。 用于粒子助力制冷器節(jié)能，提高熱傳遞效率。 降低冷凍機油的粘度。 提高煙氣脫硝性能。 應(yīng)用范圍： 橡膠工業(yè)中硫化活性劑，石油化工行業(yè)催化及添加劑，是汽車輪胎、飛機輪胎、工業(yè)電纜行業(yè)材料以及氧化鋅陶瓷； 涂料油漆、透明橡膠、乳膠和塑料行業(yè)用，可增加產(chǎn)品強度和致密性、粘合性、光潔度； 抗菌抑菌和除臭材料、醫(yī)藥衛(wèi)生用殺菌材料、玻璃陶瓷殺菌自潔材料、醫(yī)藥行業(yè)殺菌敷料； 電子工業(yè)和儀表工業(yè)、制造電器件、無線電、無線熒光燈、圖像記錄儀、變阻儀、熒光體； 軍事工業(yè)：紅外吸收材料。   五、納米氧化鋅分散液 項目 Item 標準 Standard 氧化鋅(W/%) ZnO 4% 外觀 Exterior 乳白略顯黃色易流動液體 Milky white slightly yellow liquid PH 7.2   分散液氧化鋅含量可以根據(jù)需要在30%以下定制

已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3 年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM 關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS 工藝成

薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場儀表顯示、車站、機場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內(nèi)外同類產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)

內(nèi)容介紹： 本項目通過通過研究EMI多層片式LC濾波器的制造技術(shù)，攻克了材料 的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)、器件的獨石化流延工藝技術(shù)、異種材料的疊層共燒技術(shù) 和多層片式LC濾波器的結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)難題，釆用先進 的流延成型工藝技術(shù)制備出尺寸為2Xl.2X0.8mm （0805規(guī)格）的EMI多 層片式LC濾波器，電學(xué)參數(shù)測試結(jié)果表明其各項性能參數(shù)與國外同類產(chǎn) 品相當，關(guān)鍵技術(shù)獲得國家專利3項，并榮獲陜西省科

本技術(shù)涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實現(xiàn)材料、裝備、器件協(xié)同發(fā)展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進行開發(fā)研究，該技術(shù)屬于我國“卡脖子”技術(shù)，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發(fā)了大尺寸智能單晶生長設(shè)備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設(shè)計、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發(fā)、生長-檢測-分析-控制人工智能系統(tǒng)。采用離子束切片鍵合技術(shù)制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統(tǒng)的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜

本項目的創(chuàng)新點主要是采用環(huán)形鏡解調(diào)和GSM數(shù)字移動網(wǎng)傳輸信號的技術(shù)。具有響應(yīng)速度快、調(diào)諧范圍寬、可實時檢測、使用壽命長、抗電磁干擾能力強等優(yōu)點，有重要實用意義。 光纖光柵傳感器陣列的每一個光柵反射率大于90%，線寬小于0.4nm，各光柵中心波長間隔大于1nm。 研制出寬帶光源等實驗裝置，寬帶光源輸出功率大于1mw，帶寬30nm；已成功應(yīng)用于光纖光柵傳感器陣列檢測實驗。 研制出寬帶光源、高雙折射光纖環(huán)鏡濾波邊緣濾波解調(diào)系統(tǒng)的實驗樣機。 研制出快

水肥一體化滴灌技術(shù)是基于作物生長特性和環(huán)境狀況等條件，借助新型滴灌系統(tǒng)， 在灌溉的同時將肥料配兌成肥液一起輸送到作物根部土壤，確保水分養(yǎng)分均勻、準確、 定時定量地供應(yīng)，達到節(jié)水節(jié)肥、提高水肥利用效率、增產(chǎn)增收等效果。在山東省首次 提出了完整配套的冬小麥智能滴灌水肥一體化栽培技術(shù)體系，實現(xiàn)了冬小麥的節(jié)水、節(jié) 肥、高效、環(huán)保的可持續(xù)生產(chǎn)，整體達到國內(nèi)先進水平，經(jīng)濟、生態(tài)和社會效益顯著。 目前，冬小麥智能化滴灌水肥一體化栽培技術(shù)體系在青島、煙臺、濰坊等推廣應(yīng)用每年 超過了5萬畝，實現(xiàn)節(jié)水40%-60%，提高勞動效率80%以上，增加產(chǎn)量產(chǎn)量10％-20％。