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本實(shí)用新型涉及一種放射科用醫(yī)療裝置，具體涉及一種放射科用X光膠片觀察燈，一種放射科用X光膠片觀察燈，包括箱體，安裝在箱體內(nèi)的光源、設(shè)置在箱體前面板的透光板、設(shè)置在前面板框上端的膠片夾緊裝置，箱體上設(shè)有電源輸入端，其特征在于：所述的膠片夾緊裝置包括殼體、彈簧和彈性球，所述的彈簧一端水平與殼體內(nèi)表面相連，另一端連接有彈性球，且彈性球與透光板之間相接觸；還包括定位系統(tǒng)以及位于膠片夾緊裝置內(nèi)的控制開關(guān)。本實(shí)用新型能夠方便的控制燈源的開關(guān)，達(dá)到節(jié)約電能的目的，并且還能夠方便進(jìn)行定位攝像，滿足不同的使用需求。

本實(shí)用新型公開了一種側(cè)向給光的種蛋孵化光照調(diào)控裝置。將裝有種蛋的蛋托放置于每層可翻轉(zhuǎn)蛋架上，在每層可翻轉(zhuǎn)蛋架一側(cè)或多側(cè)上方平行于可翻轉(zhuǎn)蛋架安裝LED燈，LED燈隨著可翻轉(zhuǎn)蛋架的翻轉(zhuǎn)；或在立體蛋架的外部一側(cè)或多側(cè)、水平或豎直或斜向安裝LED燈，LED燈不隨翻轉(zhuǎn)蛋架的翻轉(zhuǎn)；光進(jìn)入后，種蛋對(duì)光進(jìn)行漫反射，使光趨于均勻，種蛋孵化時(shí)，定期開啟LED燈，光透過種蛋蛋殼，胚胎之間通過蠕動(dòng)相互影響，形成一致的作息節(jié)律與激素水平，提高胚胎健康狀態(tài)，促進(jìn)胚胎生長(zhǎng)，縮短孵化時(shí)間，提高種蛋孵化率與雛雞的內(nèi)臟器官發(fā)育及抗應(yīng)激能力。本實(shí)用新型用于種蛋孵化過程中進(jìn)行光照調(diào)控，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，結(jié)構(gòu)合理，大幅度提高光能使用率。

本發(fā)明屬于晶圓鍵合技術(shù)，為一種短波長(zhǎng)光輔助硅片直接鍵合方法，其步驟包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③將硅片用短波長(zhǎng)光繼續(xù)輔助活化，活化后取出；短波長(zhǎng)光的波長(zhǎng)范圍為 100～400nm，短波長(zhǎng)光照射光強(qiáng)為 5～30mW/cm²，活化時(shí)間為 0.5～30分鐘；④預(yù)鍵合；⑤退火。經(jīng)過短波長(zhǎng)光輔助活化處理后的鍵合硅片對(duì)結(jié)合緊密，無需外壓力作用就能實(shí)現(xiàn)硅硅直接鍵合。本發(fā)明所需設(shè)備簡(jiǎn)單，鍵合速度快，鍵合周期短，鍵合面積大，鍵合溫度低，且在鍵合強(qiáng)度及鍵合可靠性上具有

本發(fā)明公開了一種光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)能量管理控制方法，包括光伏 儲(chǔ)能系統(tǒng)配置方法、集中儲(chǔ)能系統(tǒng)控制方法和分布式儲(chǔ)能系統(tǒng)控制方 法。相比于傳統(tǒng)混合儲(chǔ)能結(jié)構(gòu)，本發(fā)明采用集中儲(chǔ)能與分布式儲(chǔ)能分 層控制方式，能夠方便、有效地對(duì)光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)進(jìn)行全局控制和局部 控制，簡(jiǎn)化控制電路及控制過程，提高控制效率；通過集中儲(chǔ)能和分 布式儲(chǔ)能控制方法的優(yōu)化，可有效增加光伏利用率，穩(wěn)定母線電壓； 通過蓄電池分組控制方式，解決了采用單一控制時(shí)，數(shù)據(jù)量大、難以 合理確定每臺(tái)蓄電池荷電狀態(tài)的問題。本發(fā)明可廣泛用于分布式光伏 儲(chǔ)能系統(tǒng)，簡(jiǎn)化

本發(fā)明涉及一種光輻照強(qiáng)度檢測(cè)器及其檢測(cè)方法，其中光輻照強(qiáng)度檢測(cè)器包括光伏電池組件以及與其串聯(lián)形成閉合回路的分流器，所述光伏電池組件用以將光輻射轉(zhuǎn)換為電流量，所述分流器用以將所述電流量轉(zhuǎn)換為用以計(jì)算光輻照強(qiáng)度的電壓值。本發(fā)明以低成本實(shí)現(xiàn)光輻照強(qiáng)度數(shù)據(jù)采集，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠，安裝便捷，適合大量工程項(xiàng)目的推廣使用。

太赫茲（THz）科學(xué)技術(shù)既是重大的基礎(chǔ)科學(xué)問題，也是國(guó)家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實(shí)現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學(xué)技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用。本項(xiàng)目提出了THz波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實(shí)用化THz功能器件。本項(xiàng)目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達(dá)到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關(guān)速率達(dá)到0.1ms的太赫茲開關(guān)、調(diào)制速率達(dá)到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達(dá)到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級(jí)摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開關(guān)速率達(dá)到5MHz，空間調(diào)制面積達(dá)到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎(chǔ)；(4)提出極化約束實(shí)現(xiàn)太赫茲波導(dǎo)低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽?dǎo)”與“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達(dá)到了實(shí)用化的要求。 這一研究成果既加深了對(duì)THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識(shí)別和應(yīng)用成像的多個(gè)關(guān)鍵科學(xué)問題。本項(xiàng)目成果的實(shí)施，可望實(shí)現(xiàn)載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達(dá)探測(cè)、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應(yīng)用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國(guó)際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利22 項(xiàng)，已授權(quán)專利7 項(xiàng)，獲得教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。跟國(guó)內(nèi)外綜合比較，本項(xiàng)目的研究成果總體上處于國(guó)際先進(jìn)水平，對(duì)推動(dòng)太赫茲科學(xué)快速進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的科學(xué)意義。

本項(xiàng)目提出了THz波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實(shí)用化THz功能器件。

隨著集成電路工藝的進(jìn)步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢(shì)下，將可控硅ESD防護(hù)器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護(hù)器件來泄放靜電電荷以保護(hù)柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導(dǎo)體工藝的靜電保護(hù)（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護(hù)的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進(jìn)行觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS的導(dǎo)通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號(hào)施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導(dǎo)通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電流觸發(fā)晶閘管SCR導(dǎo)通。晶閘管電流（SCR current）導(dǎo)通大部分ESD 電流，從而實(shí)驗(yàn)了ESD保護(hù)。

本項(xiàng)目以制備超快高儲(chǔ)能柔性器件為導(dǎo)向，建立基于界面納米復(fù)合材料的新技術(shù)。通過水熱法和電化學(xué)方法在柔性導(dǎo)電基底上構(gòu)建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復(fù)合電極，作為正極；通過水熱法和熱處理法在柔性導(dǎo)電基底上生長(zhǎng)多孔氧化鐵納米復(fù)合材料，作為負(fù)極，組裝全固態(tài)薄膜器件。利用納米復(fù)合材料的多方面優(yōu)勢(shì)加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進(jìn)而達(dá)到超快高儲(chǔ)能的目的。基于納米復(fù)合材料的全固態(tài)薄膜器件可展現(xiàn)出超快充電能力（10 V/s），比常規(guī)電容器的充電時(shí)間快10-100倍。這是國(guó)際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級(jí)電容器研究領(lǐng)域的一個(gè)重大突破。此外，本項(xiàng)目以開發(fā)超快超柔儲(chǔ)能器件為導(dǎo)向，開發(fā)了一種熱力學(xué)誘導(dǎo)自發(fā)組裝和原位摻雜結(jié)合碳熱還原的方法來實(shí)現(xiàn)石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統(tǒng)石墨烯材料縱向物質(zhì)傳輸差的局限。通過控制碳熱溫度，可以調(diào)節(jié)石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統(tǒng)石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結(jié)構(gòu)使得其作為電極材料時(shí)擁有更大的比表面積，而且電解質(zhì)離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。

"以α-BaTeMo2O9為代表的含碲的化合物是一類新型光電功能晶體，在偏光、聲光、拉曼等光學(xué)領(lǐng)域內(nèi)具有重要的應(yīng)用價(jià)值。此類化合物具有透光寬，雙折射大，易生長(zhǎng)，物理化學(xué)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，是偏光和聲光器件的優(yōu)選材料。 山東大學(xué)在該系列晶體生長(zhǎng)和器件的研究方面具有獨(dú)立的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，可以生長(zhǎng)出大尺寸（≥50 x 50 x 100 mm3），高質(zhì)量（光學(xué)均勻性≤10-5）的單晶；并在器件的制作中突破了國(guó)際上單軸晶體的限制，偏振棱鏡消光比>30000:1，達(dá)到高質(zhì)量冰洲石器件水平；聲光調(diào)Q器件衍射效率>84%，高于同等條件下的TeO2器件。晶體生長(zhǎng)處于世界領(lǐng)先水平，器件設(shè)計(jì)具有國(guó)際、國(guó)內(nèi)專利，總體水平處于國(guó)際領(lǐng)先。該成果獲得教育部自然科學(xué)二等獎(jiǎng)，主要用于先進(jìn)光學(xué)及其電學(xué)領(lǐng)域，如醫(yī)療、軍事、激光加工、激光雷達(dá)、激光探測(cè)等。據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)聲光調(diào)制器件和偏光器件總產(chǎn)值約為2億元。而現(xiàn)有的材料已經(jīng)不能滿足相應(yīng)研究和產(chǎn)業(yè)的需求。作為新型光電功能晶體及其器件，在滿足現(xiàn)有要求的基礎(chǔ)上，填補(bǔ)了此類材料和器件在中紅外波段內(nèi)的國(guó)際空白。此外，獨(dú)立的知識(shí)產(chǎn)權(quán)有利于產(chǎn)品推廣，具有重要的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。 "