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本發(fā)明公開了一種基于模板匹配的芯片定位方法，具體包括以下步驟：步驟一，制作模板；步驟二，對待定位圖片進行預處理，增大背景與芯片基體的對比度；步驟三，對預處理后的圖片進行圖像分割，得到blob塊，利用blob塊的面積和blob塊對應的最小外接矩形的邊長信息排除存在連晶、缺損缺陷的芯片；獲取剩下的blob塊的最小外接矩形的中心位置坐標，以及短邊與水平方向的夾角；步驟四，根據(jù)步驟三得出的中心位置坐標和夾角，在待定位圖片上采用模板匹配芯片，定位出芯片的位置和角度。本方法主要適用于芯片制造過程中對芯片的定位，采用先篩選再匹配的方法能快速準確定位出合格芯片的位置，排除掉帶有連晶、缺損缺陷的芯片。

本實用新型公開了一種倒裝LED芯片在線檢測裝置，包括底座，所述底座的上端轉動連接有支撐塊，所述底座的正上方設有支撐臺，所述支撐塊的上端與支撐臺的下端轉動連接，所述支撐臺的上端分別固定連接有第一安裝塊和第二安裝塊，所述第一安裝塊和第二安裝塊之間設有LED芯片本體，所述LED芯片本體的一側設有支撐桿，所述支撐桿遠離LED芯片本體的一端貫穿第一安裝塊，所述支撐桿與第一安裝塊之間為轉動連接，所述第一安裝塊的上端插設有第二螺桿，所述第二螺桿的下端貫穿第一安裝塊并與支撐桿相抵，所述第二螺桿與第一安裝塊之間為螺紋連接。本實用新型通過調節(jié)機構的設置，實現(xiàn)對LED芯片翻轉、旋轉，提高使用時的便捷性與檢測時的多樣化。

哈爾濱工程大學振子自動定位系統(tǒng)采購項目競爭性磋商

聲子極化激元是極性材料中晶格振動與光場之間的強耦合，有望應用在低損耗納米光學元器件中。相關的理論研究由黃昆先生于上世紀五十年代提出，目前已經(jīng)較為成熟。但是實驗測量表面聲子極化激元直到近年才有較大的進展，主要是因為表面聲子極化激元的測量同時需要高的空間分辨率和能量分辨率。目前測量表面聲子極化激元的主要方法為近場光學方法（s-SNOM），該方法可以在中紅外和太赫茲區(qū)間對聲子極化激元進行很好的探測。但在遠紅外區(qū)間，由于目前缺少合適的遠紅外激光光源和探測器，相關材料體系的表面聲子極化激元的研究受到很大限制。 近日，北京大學物理學院2016級本科生亓瑞時和王任飛利用掃描透射電子顯微鏡的電子能量損失譜，對ZnO納米結構中的遠紅外表面聲子極化激元進行了細致的探測。通過在納米尺度上測量納米線、納米片不同空間位置的電子能量損失，探究了表面聲子極化激元的性質，得到了表面聲子極化激元的色散關系，并研究了其尺寸效應、幾何效應等。圖1. 左：利用電子束激發(fā)和探測納米線表面聲子極化激元。右：測量得到的色散關系。 利用電子顯微鏡中的電子束來激發(fā)和探測聲子極化激元具有很多的優(yōu)點，包括（1）電子顯微鏡方法具有亞埃的空間分辨率；（2）電子激發(fā)具有更高的效率（電子與材料相互作用的散射截面更大）；（3）電子能激發(fā)一些非光學活性的模式；（4）電子能量損失譜能得到高q（波矢）值下的信息；（5）電子能量損失譜具有很寬的激發(fā)、測量窗口，原則上可以測量從meV量級的振動譜信號至keV量級的芯電子激發(fā)譜信號。因此，電子能量損失譜有望極大地推動包括表面聲子極化激元在內(nèi)的相關實驗研究。 該工作于2019年7月19日在線發(fā)表于學術期刊Nano Letters（DOI:10.1021/acs.nanolett.9b01350），第一作者為北京大學物理學院2016級本科生亓瑞時、王任飛，指導老師為量子材料科學中心和電子顯微鏡實驗室的高鵬研究員。該項研究得到國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃、量子物質科學協(xié)同創(chuàng)新中心等基金的支持。 論文鏈接：https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.9b01350

本發(fā)明提供了一種基于子結構的復合材料彈性參數(shù)識別方法，建立復合材料子結構有限元模型，根據(jù)子結構理論對復合材料子結構模型進行動力學縮聚；縮聚后子結構特征矩陣裝配到殘余結構上，計算得到復合材料全模型模態(tài)信息；提取全模型模態(tài)數(shù)據(jù)，計算模態(tài)頻率對殘余結構彈性參數(shù)的相對靈敏度；將試驗和有限元模擬的模態(tài)頻率殘差的二范數(shù)作為目標函數(shù)，利用迭代優(yōu)化算法最小化目標函數(shù)。本發(fā)明通過考慮了子結構的復合材料建模，將模型待識別部分定義為殘余結構，通過全模型模態(tài)頻率對殘余結構彈性參數(shù)的相對靈敏度分析和模態(tài)振型匹配，采用優(yōu)化迭代算法識別復合材料待識別參數(shù)，節(jié)省計算資源，提高計算效率，具有十分重要的工程意義。

當系統(tǒng)處于FFLO類型的超導配對時，在超導的渦旋線激發(fā)中出現(xiàn)手征無能隙馬約拉納態(tài)，且進一步表明，該手征特性的馬約拉納模不能由在二維空間定義的第一陳數(shù)保護。在原本的三維真實空間上，以超導相位作為參數(shù)空間，引入人工維度，進而研究由真實空間加人工維度形成的人造四維空間拓撲特性。他們計算發(fā)現(xiàn)在該四維空間中，系統(tǒng)的第二陳數(shù)非零，且提供了對前述渦旋線中手征馬約拉納態(tài)的拓撲保護。這個結論存在一系列非平凡推論，其中最有趣的是當考慮渦旋環(huán)結構時，該手征馬約拉納態(tài)可滿足3-loop型的3D非阿貝爾統(tǒng)計。這對于研究高維空間的非阿貝爾統(tǒng)計性質以及新型拓撲物態(tài)提供了實際物理平臺。

本發(fā)明公開了一種基于逆向子結構的有限元模型修正方法。該 方法包括以下步驟：首先，測量實際工程結構的試驗模態(tài)，建立整體 結構的試驗模態(tài)；通過獨立子結構試驗模態(tài)參數(shù)和整體結構試驗模態(tài) 參數(shù)之間的關系，將整體結構的試驗模態(tài)分解為獨立子結構的試驗模 態(tài)；然后，基于獨立子結構的試驗模態(tài)建立目標函數(shù)，調整獨立子結 構參數(shù)，使目標函數(shù)最小化，獲取子結構最優(yōu)結構參數(shù)，根據(jù)所述最 優(yōu)結構參數(shù)修正獨立子結構有限元模型；最后，根據(jù)結構損傷前后有 限元模型結構參數(shù)的變化完成結構損傷識別。本發(fā)明通過修正獨立子 結構模型，避免

該成果提供一種快速、準確鑒別翹嘴鱖、斑鱖及其雜交子一代的分子標記方法。在鱖類種質鑒定和保護、遺傳育種和養(yǎng)殖生產(chǎn)中有極大的應用價值。 分子鑒定方法包括以下步驟：基因組DNA的提取、DNA目的片段的擴增、PCR產(chǎn)物的電泳及銀染色鑒定。方法中還包括一對特異微衛(wèi)星引物和標準圖譜。本發(fā)明的分子鑒定法能快速、有效地鑒別出翹嘴鱖、斑鱖及其雜交子一代，具有客觀、快速、準確、經(jīng)濟的優(yōu)點。 該成果采用微衛(wèi)星標記技術對翹嘴鱖、斑鱖及其雜交子一代進行鑒別，其反應穩(wěn)定，重復性好，具有廣泛的適用性，與傳統(tǒng)的形態(tài)學鑒定相比具有檢測準確性高的優(yōu)點。本發(fā)明通過一個微衛(wèi)星位點、進行一次PCR鑒別出翹嘴鱖、斑鱖及其雜交子一代，減少了檢測時間和降低了檢測成本。 該成果有較高的產(chǎn)業(yè)化前景，實際操作性強，簡便、準確，價格適中。 成果完成時間：2017年2月

液體磁性磨具是由我在國際上首先提出并研制成功的一種新型精密光整加工技術，具有良好的材料適應性，可以實現(xiàn)對各種金屬材料零件、陶瓷材料零件等的光整加工，可以獲得較低的表面粗糙度 值，具有良好的可控性，可方便的通過調節(jié)磁場強度來控制整個加 工表面或局部表面研磨壓力的大小，且光整加工所需要的設備簡單，對設備的精度要求不高，可以方便地應用于生產(chǎn)實踐，在復雜 型面、孔等表面精密加工方面具有具有明顯的優(yōu)勢，居國內(nèi)領先水平。

并網(wǎng)逆變器作為太陽能光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)的核心組成部分，對提高太陽能轉換效率、輸出高品質電能起著關鍵作用。光伏并網(wǎng)逆變器核心技術主要包括最大功率跟蹤、直流變換電路、逆變控制技術和孤島檢測等。光伏組件將太陽能轉化為直流電，經(jīng)直流變換電路提升并穩(wěn)定直流電壓輸出，再通過并網(wǎng)逆變電路將直流電轉化為交流電，利用數(shù)字鎖相技術和逆變控制技術，將與電網(wǎng)同頻同相的高品質電能饋入電網(wǎng)，為保證并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)不危及電網(wǎng)輸電線路安全，孤島檢測技術能實時檢測系統(tǒng)是否處于孤島狀態(tài)并能停止并網(wǎng)運行。本項目主要利用先進數(shù)字控制技術實現(xiàn)最大功率跟蹤、逆變閉環(huán)控制、孤島檢測及系統(tǒng)保護等，特別在大功率三相并網(wǎng)發(fā)電逆變系統(tǒng)高品質輸出的控制技術及太陽能直流電到輸出電能的高轉換率技術方面有技術積累。采用自主研發(fā)的控制技術，使得并網(wǎng)輸出電流總畸變率低，輸出功率因素高且可調，系統(tǒng)發(fā)電效率高。光伏并網(wǎng)發(fā)電監(jiān)控軟件可實時遠程監(jiān)控多臺并網(wǎng)逆變器工作狀態(tài)，具有記錄、存儲、圖形化顯示系統(tǒng)各項輸出如電壓、電流、饋入電網(wǎng)電能數(shù)量等功能。