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該器件屬專利技術(shù)，是一種顏色穩(wěn)定的有機-無機異質(zhì)結(jié)白色電致發(fā)光器件及制備方法。具體地講是一種在有機異質(zhì)結(jié)界面嵌入無機II-VI族化合物薄層而獲得顏色穩(wěn)定的白色電致發(fā)光器件。 通常，在雙層及多層結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光器件中，由于器件內(nèi)部異質(zhì)結(jié)界面處界面勢壘的影響，該界面處所積累的載流子會隨著所加電壓的增加而增加，器件內(nèi)部各有機層的電場會進行重新分布，并相應(yīng)地改變著在器件各層上的電壓分布以及發(fā)光區(qū)域在各層中的位置，進而改變光譜的形狀，影響發(fā)光顏色。特別地，如果雙層有機電致發(fā)光器件中的電子傳輸層與空穴傳輸層的相互作用較強，則該異質(zhì)結(jié)界面處會出現(xiàn)激基復(fù)合物（Exciplex 或Electroplex）的發(fā)光。若利用無機材料的載流子（包括電子和空穴）遷移率高以及相對更加穩(wěn)定的特點，在有機異質(zhì)結(jié)界面處嵌入一層無機材料薄層，可實現(xiàn)無機材料薄層兩側(cè)有機材料的發(fā)光。利用互補色原理，當(dāng)兩側(cè)有機材料的發(fā)光可以相互混合成白光時，則可以得到顯色性很好的白色發(fā)光器件。改變器件所加的電壓只是改變發(fā)光強度，器件的發(fā)光顏色將基本不變。 技術(shù)內(nèi)容： 該器件是一種顏色穩(wěn)定的有機—無機異質(zhì)結(jié)白色電致發(fā)光器件，使用該器件既能克服有機異質(zhì)結(jié)界面可能會出現(xiàn)激基復(fù)合物發(fā)光而降低發(fā)光效率，又能解決器件的發(fā)光顏色隨電壓發(fā)生變化等問題。 器件的白色電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為： 在玻璃基片上鍍有一層ITO陽極，在ITO陽極上鍍有一層有機空穴傳輸層兼發(fā)光層和一層有機電子傳輸層兼發(fā)光層，在該兩層有機層之間，有一層無機材料薄層，在有機電子傳輸層兼發(fā)光層上鍍有金屬背電極。 該器件與目前使用的有機異質(zhì)結(jié)界面處的激基復(fù)合物發(fā)光來獲得白色電致發(fā)光的方法相比，其優(yōu)點是：首先，II-VI族無機材料的引入可以有效避免有機異質(zhì)結(jié)界面形成激基復(fù)合物發(fā)光而降低發(fā)光效率；其次，電子傳輸層兼發(fā)光層及其中摻雜的組分（如染料等）都可以優(yōu)化，器件的顏色可得到進一步優(yōu)化，而一旦確定了有機電子傳輸層兼發(fā)光層及其中摻雜組分之后，器件的顏色是基本確定的，不再隨著電壓的改變而改變；再次，由于所用的無機材料（II-VI族化合物）本身的能帶結(jié)構(gòu)的特點，使得從電子傳輸層兼發(fā)光層注入的電子在該有機/無機界面處沒有勢壘，而從空穴傳輸層兼發(fā)光層注入的空穴在該有機/無機界面處有一定的空穴注入勢壘，可以平衡載流子的注入，使得無機材料層兩側(cè)的有機層都有發(fā)光；另外，所插入的無機材料薄膜本身對不同的波長都具有一定的透過率。不難理解，無機材料較高的電子遷移率和空穴遷移率使得載流子能順利穿透無機層到達相應(yīng)的有機層中形成激子并復(fù)合發(fā)光，再通過優(yōu)化器件各層的厚度即可得到顯色性好、顏色穩(wěn)定的白色發(fā)光器件。由于使用了化學(xué)穩(wěn)定性更強的無機材料，因此器件的穩(wěn)定性增加了。

電致變色器件是一種納米多層膜功能器件。它是一種通過低電壓（1-5V）、無電流、零能耗驅(qū)動的多功能變色器件。它可以根據(jù)需求智能化地調(diào)節(jié)可見光透射率和反射率以及紅外光的發(fā)射率，從而在在智能化高效節(jié)能窗、航天器表面熱控、武器裝備隱身、汽車無眩光后視鏡等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。項目組自主研究開發(fā)出了完全自主知識產(chǎn)權(quán)的兩種新一代全固態(tài)電致變色器件：全無機薄膜型和無機/有機組合型電致變色器件。 研究了電致變色器件在三個方面的應(yīng)用特性：作為智能化高效節(jié)能窗對于太陽光透過率的調(diào)節(jié)作用；作為衛(wèi)星表面智能熱控器件其表面紅外發(fā)射率的調(diào)控特性和太陽能光譜波段的反射率調(diào)控特性；作為多頻譜隱身器件在可見光和紅外迷彩以及紅外特征抑制方面的色彩和紅外發(fā)射率調(diào)制。 自主開發(fā)了高性能的無機固態(tài)離子導(dǎo)體薄膜和有機離子導(dǎo)電膠兩種全固態(tài)電致變色器件中的核心技術(shù)。研發(fā)了全固態(tài)電致變色器件的專用鍍膜制備技術(shù)和裝置。獲得國家發(fā)明專利4項。發(fā)表學(xué)術(shù)性研究論文30多篇。

項目概況 針對目前密封存在有密封液蒸發(fā)快、穩(wěn)定性差和不耐高溫和腐蝕等缺點，本項目選擇飽和磁化強度較高而抗氧化能力較高的Fe3O4作為磁流體的微粒磁性材料，使其溶于二辛酯基液形成性能穩(wěn)定、蒸發(fā)慢和耐高溫耐腐蝕的納米磁流體。利用非接觸式密封潤滑技術(shù)，把優(yōu)化配方的磁液體應(yīng)用于高性能旋轉(zhuǎn)軸密封器件中。在特殊設(shè)計密封閉合磁路系統(tǒng)中，使轉(zhuǎn)軸與極靴極齒頂端的齒形間隙中產(chǎn)生強弱相間的非均勻 “O”型密封環(huán)，采用梯形極靴，多級并用，增加高導(dǎo)磁套筒來減小軸向泄漏，既達到密封目的，又起到潤滑作用。本項目處于國內(nèi)先進水平，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。 主要特點 1. Fe3O4磁性微粒的制備采用了改性溶膠凝聚法相的工藝技術(shù)，這種工藝技術(shù)可使磁性微粒的粒度可調(diào)，抗氧化能力強和穩(wěn)定性好。 2．利用非接觸式密封潤滑技術(shù)，使優(yōu)化配方的磁液體應(yīng)用于高性能旋轉(zhuǎn)軸密封器件中。 3．不同的旋轉(zhuǎn)軸設(shè)計不同的磁路結(jié)構(gòu)，能防止軸向泄露和提高耐壓能力。 4．旋轉(zhuǎn)軸密封件的泄漏率為10-11 cm3/s，每級的耐壓能力均大于或等于0.2 atm。 技術(shù)指標(biāo)     應(yīng)用磁流體密封旋轉(zhuǎn)軸比普通的機械密封軸相比，平均壽命提高9倍，平均節(jié)約原材料總成本350%。與普通旋轉(zhuǎn)軸相比，耐壓能力高，密封性能好，壽命高，原材料及部件成本顯著降低，而且穩(wěn)定性好。市場前景 通過現(xiàn)場的工業(yè)化證明，該產(chǎn)品和他們原來使用的普通密封軸相比，密封效果的明顯提高，壽命長，性能穩(wěn)定，最重要的是原材料總成本降低了610元，使用安全方便，在生產(chǎn)過程中無污染，無三廢排放。該項目可應(yīng)用于密封性能要求高，工作環(huán)境惡劣(如堿性液、污水等)的高性能機械旋轉(zhuǎn)軸，該磁流體密封旋轉(zhuǎn)軸滿足了工業(yè)生產(chǎn)的需求，具有較好的經(jīng)濟效益和社會效益。目前已為國內(nèi)多個企業(yè)所采用。

本發(fā)明公開了一種用于旋轉(zhuǎn)器件型光譜橢偏儀系統(tǒng)參數(shù)的校準(zhǔn)方法，該方法可以在一次測量中獲取旋轉(zhuǎn)器件型光譜橢偏儀中全光譜范圍的系統(tǒng)參數(shù)，其方法是將任意厚度的標(biāo)準(zhǔn)樣件作為待測樣件，使用待校準(zhǔn)光譜橢偏儀進行測量，對測量獲得的光強諧波信號進行傅里葉分析，通過傅里葉系數(shù)序列計算獲取第一個波長點的系統(tǒng)參數(shù)，以其作為初值，采用非線性回歸算法，通過理論光譜擬合測量光譜，獲得第一個波長點的系統(tǒng)參數(shù)。并依次以校準(zhǔn)獲得的第 i 個波長點的系統(tǒng)參數(shù)作為初值，擬合獲得第 i+1 個波長點的系統(tǒng)參數(shù)，進而獲得全光譜范圍的系統(tǒng)參數(shù)。

本發(fā)明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運行兩部分，在離線狀態(tài)下，對目標(biāo)閃存器件進行先驗性實驗， 實驗測試內(nèi)容包括對閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲單元進行大量重復(fù)的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運行狀態(tài)下，對正在在線運行的閃存物理 狀態(tài)進行識別，并預(yù)估錯誤率，并計算軟信息。本發(fā)明所提

本發(fā)明公開了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運行兩部分，在離線狀態(tài)下，對目標(biāo)閃存器件進行先驗性實驗， 實驗測試內(nèi)容包括對閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲單元進行大量重復(fù)的 擦除、寫入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運行狀態(tài)下，對正在在線運行的閃存物理 狀態(tài)進行識別，并預(yù)估錯誤率，并計算軟信息。本發(fā)明所提出的方法 不僅不依賴于閃存內(nèi)部的特殊命令，而且可以方便地集成進自主閃存 控制器中，與

AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道，為一常開器件，不利于射頻功率放大器電路設(shè)計與安全性。如果器件能夠?qū)崿F(xiàn)常關(guān)特性，則射頻功率放大器電路可因此簡化。然而，目前常見實現(xiàn)器件常關(guān)特性工藝需要對半導(dǎo)體層進行刻蝕，而刻蝕工藝會對器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常關(guān)型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見。

本成果通過技術(shù)鑒定，獲得省、市、部科技進步獎及專利；大規(guī)模應(yīng)用于廣州地鐵、鐵路中彈條螺旋道釘擋板等工務(wù)配件操作中，可提高工務(wù)配件防腐蝕性能與疲勞性能；大幅度延長使用壽命減少維修成本。

基片集成類導(dǎo)波結(jié)構(gòu)是近十幾年來微波毫米波學(xué)界發(fā)展起來的一種新型高性能平面集成導(dǎo)波結(jié)構(gòu)，它具有極低的電磁泄露和互擾，其品質(zhì)因數(shù)和功率容量遠高于傳統(tǒng)平面?zhèn)鬏斁€，國內(nèi)外數(shù)百所大學(xué)和研究機構(gòu)開展了大量研究，使之成為微波毫米波領(lǐng)域最受關(guān)注的研究分支之一。 學(xué)科洪偉教授課題組是國際上這一學(xué)術(shù)分支的主要倡導(dǎo)者和貢獻者之一，在IEEE系列刊物上發(fā)表學(xué)術(shù)論文120余篇，在美、英、德、日、韓、波、葡等國家召開的國際會議上作大會報告、特邀報告20余次，論文被40多個國家的學(xué)者正面他引5000余次，獲授權(quán)國家發(fā)明專利50余項。 該研究成果在國內(nèi)外都產(chǎn)生了比較大的影響，獲2016年度國家自然科學(xué)二等獎。

本發(fā)明屬于光電器件制備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種鈮酸鋰材料的刻蝕方法。本發(fā)明方法包括：在鈮酸鋰表面制備金屬鈍化層，用來提高納米圖形的保形性以及側(cè)壁刻蝕傾斜角；沉積硬掩膜，并采用微電子光刻技術(shù)進行圖形化處理；在待刻蝕的鈮酸鋰區(qū)域沉積活性金屬薄膜，以提高刻蝕深度；將覆蓋有活性金屬層的鈮酸鋰晶體在還原氣氛中進行退火；然后采用相應(yīng)的酸溶液和堿溶液去掉鈮酸鋰表面的金屬及其與鈮酸鋰的反應(yīng)物，得到具有一定刻蝕深度的鈮酸鋰納米圖形。所制備的大規(guī)模鈮酸鋰納米器件陣列尺寸可控，保形性和重復(fù)性好，側(cè)壁傾斜角大于80°，圖形凸塊表面光滑。鈮酸鋰納米器件制備步驟簡單，難度低，可降低大規(guī)模生產(chǎn)成本。