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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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基于IP庫的通用MEMS器件可視化仿真與驗證工具
“虛擬工藝”軟件可由標準工藝流程文件和掩膜版圖文件，模擬出所要加工的MEMS器件的真實三維結(jié)構(gòu)，具有良好的通用性和精度。下圖為自主開發(fā)的“虛擬工藝”軟件生成的微夾鉗三維結(jié)構(gòu)。 “虛擬運行”軟件對器件的運動情況進行仿真，并與最初設(shè)計方案比較來指導(dǎo)和修正實際加工。下圖顯示了微夾鉗的虛擬運行結(jié)果，圖中的器件顏色表示了器件運動時的劇烈程度，紅色表示變形最劇烈的部分，淡藍色表示變形較小的部分。
南開大學(xué)
2021-04-14
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安徽大學(xué)在氮化鎵功率器件研究領(lǐng)域取得新進展
本工作中，基于安徽大學(xué)微納加工平臺以及香港科技大學(xué)納米系統(tǒng)實驗制造中心聯(lián)合制造出了兩款氮化鎵功率器件，分別實現(xiàn)了電壓驅(qū)動/電流驅(qū)動的柵極結(jié)構(gòu)，為后續(xù)的驅(qū)動設(shè)計和研發(fā)提供了器件技術(shù)支持；工作中也同時提出了兩種結(jié)構(gòu)在高溫下的穩(wěn)定性模型，為進一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎(chǔ)。
安徽大學(xué)
2022-06-13
基于IP庫的通用MEMS器件可視化仿真與驗證工具
項目的背景及目的 迄今為止，集成電路的模擬、仿真直至評測已有了非常完善的工具軟件；并已成為設(shè)計過程的重要組成部分；對設(shè)計的成功、可靠、高效都已起到?jīng)Q定性作用。而對MEMS而言，還相差甚遠，這和MEMS發(fā)展的成熟程度有著直接關(guān)系。當然，這并不意味著MEMS不需要這樣的工具和系統(tǒng)。相反，由于MEMS的功能多樣、加工復(fù)雜、分析困難、設(shè)計周期長、成本高等。特別需要一個能包括運動仿真、評測在內(nèi)的設(shè)計工具和系統(tǒng)。這是當前推動MEMS發(fā)展的當務(wù)之急。
南開大學(xué)
2021-04-14
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一種面向芯片級器件的焊點制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種面向芯片級器件的焊點制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設(shè)置有陣列布置的多個噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發(fā)生器相連，兩者之間形成高壓電場；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個管芯，且各管芯一一對應(yīng)配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內(nèi)形成容納焊料溶液的空間，在電場的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進行流量分配后噴出形成噴點或噴絲，滴落于器件
華中科技大學(xué)
2021-04-14
安徽大學(xué)在氮化鎵功率器件研究領(lǐng)域取得新進展
近日，我校物質(zhì)科學(xué)與信息技術(shù)研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動化學(xué)院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領(lǐng)域取得最新研究進展，在氮化鎵GaNHEMT方向取得突破。
安徽大學(xué)
2022-06-01
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
溝道的刻蝕方法、半導(dǎo)體器件及其制備方法與電子設(shè)備
本發(fā)明提供了一種溝道的刻蝕方法，提供一待刻蝕對象，對所述待刻蝕對象一次刻蝕后，交替進行表面處理?二次刻蝕，直至刻蝕掉所有的鰭結(jié)構(gòu)的犧牲層；其中，一次刻蝕用于刻蝕掉所述若干鰭結(jié)構(gòu)中當前寬度最小的鰭結(jié)構(gòu)的全部犧牲層以及其它寬度更寬的鰭結(jié)構(gòu)的部分犧牲層；表面處理用于在待刻蝕對象的溝道層與剩余的犧牲層的暴露在外的表面形成保護層；所述二次刻蝕用于刻蝕掉當前寬度次之的鰭結(jié)構(gòu)的全部的犧牲層，以及所述保護層。本發(fā)明在傳統(tǒng)的刻蝕工藝中加入氧化步驟，既實現(xiàn)了對溝道層的保護，又實現(xiàn)了在不同溝道寬度的刻蝕中，減少溝道層的損失量。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
高性能系列鈮酸鋰、鉭酸鋰晶體和光電器件
光電晶體及其器件作為激光技術(shù)的關(guān)鍵材料和器件，被諸多國家列為優(yōu)先發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)域。本項目在國家 863 計劃、天津市重大科技攻關(guān)、國防科工局民口配套等項目支持下，瞄準國家需求，圍繞產(chǎn)品化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，取得了以下主要科技創(chuàng)新：
（1）自主設(shè)計基于經(jīng)驗數(shù)據(jù)庫的智能計算機晶體生長自動控制系統(tǒng)，并開發(fā)了晶體生長成套裝備，應(yīng)用于多種晶體生長，得到批量推廣應(yīng)用。
（2）發(fā)展了兩種非固液同成分共熔配比晶體的制備方法，實現(xiàn)了 SLN 晶體和 SLT 晶體的批量、廉價制備。
（3）開發(fā)了寬溫度范圍工作鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體及電光調(diào) Q 開關(guān)，在-55℃～70℃溫度區(qū)間穩(wěn)定工作，大幅提高了軍用激光系統(tǒng)的溫度穩(wěn)定性。（4）以高溫度穩(wěn)定性電光調(diào) Q 開關(guān)為核心技術(shù)自主研發(fā)的系列高溫度穩(wěn)定性鈮酸鋰電光調(diào) Q 激光系統(tǒng)，實現(xiàn)了批量生產(chǎn)和應(yīng)用。
（5）開發(fā)了滿足激光雷達等長期在線工作的低內(nèi)電場鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q 開關(guān)。
（6）開發(fā)了高抗光損傷閾值的鉭酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q開關(guān)，典型 1064nm 波段的激光損傷閾值比鈮酸鋰晶體提高兩個數(shù)量級以上，且能夠滿足軍工寬溫度范圍要求。
南開大學(xué)
2021-04-13
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一種環(huán)保型雙金屬鈣鈦礦量子點的制備方法
本發(fā)明提供了一種環(huán)保型雙金屬鈣鈦礦量子點的制備方法。在惰性氣體保護的條件下，先將AgBr和BiBr3與反應(yīng)溶劑十八烯，表面活性劑油酸、油胺混合，使其完全溶解，然后將混合溶液加熱至反應(yīng)溫度，隨后注入溶有溴化丁胺的DMF溶液，體系開始反應(yīng)生成鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，并隨著反應(yīng)的進行，逐漸形成(C4H9NH3)2AgBiBr6量子點，最后用丙酮淬滅反應(yīng)，即得到最終的(C4H9NH3)2AgBiBr6雙金屬鈣鈦礦量子點。本發(fā)明采用熱注入合成方法，通過調(diào)節(jié)合成環(huán)境的酸性，在不改變鈣鈦礦形貌和晶體結(jié)構(gòu)的前提下，實現(xiàn)對鈣鈦礦光學(xué)性能的調(diào)控。合成的鈣鈦礦量子點單分散性和穩(wěn)定性較好，形貌均一，對于構(gòu)筑能帶隙可調(diào)的光電器件具有深遠的意義。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種基于PDMS聚合物的柔性量子點隨機激光器
本發(fā)明提供了一種基于PDMS聚合物的柔性量子點隨機激光器，包括兩層PDMS薄膜層以及兩層PDMS薄膜層之間夾置的滲透層，PDMS薄膜層中的交聯(lián)劑濃度大于4%，滲透層中的交聯(lián)劑濃度為2%?4%，滲透層為內(nèi)應(yīng)力分布不均勻的PDMS薄膜層，滲透層上設(shè)有至少一組由中心點向各方向發(fā)散的若干條線性凹槽或至少一組由中心點逐漸擴散的若干個環(huán)形凹槽，凹槽供量子點滲透。本發(fā)明量子點在隨機激光出射過程中充當增益介質(zhì)的作用，利用滲透層的內(nèi)應(yīng)力分布不均，通過光彈性效應(yīng)形成局域化折射率不一致，增強多重散射作用，達到了降低出射隨機激光閾值的目的。本發(fā)明中量子點填充在濃度較低的滲透層內(nèi)，相比玻璃基板表面的量子點薄膜，具有長時間運作的特點。同時由于PDMS是柔性材料，具有可彎曲的特點，可以實現(xiàn)柔性隨機激光器制備。
東南大學(xué)
2021-04-11
基于表面等離子體的量子點隨機激光器及其制備方法
本發(fā)明提供了一種基于表面等離子體的量子點隨機激光器，包括順序?qū)盈B的第一玻璃基板、間隔層和第二玻璃基板，所述第一玻璃基板在與間隔層貼合的表面上設(shè)有微米級凹槽供量子點沉積，所述間隔層中含有固定在第二玻璃基板上的金屬納米粒子，控制金屬納米粒子與量子點之間的距離。本發(fā)明金屬納米粒子的表面等離子體共振效應(yīng)增強泵浦光的激發(fā)效率和隨機激光的輻射效率，同時間隔層有效避免了量子點與金屬納米粒子接觸而產(chǎn)生的熒光猝滅現(xiàn)象，并且由于間隔層材料透明高分子聚合物，可以使金屬納米粒子的共振吸收譜發(fā)生紅移，實現(xiàn)表面等離子體共振帶和激勵光譜與出射光譜的耦合，從而得到低閾值、高強度的穩(wěn)定隨機激光出射。
東南大學(xué)
2021-04-11