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熒光二氧化硅微球（CDs@mSiO2）負(fù)載抗體等生物大分子針對(duì)病毒、細(xì)菌和疾病體外檢測(cè)試劑盒。 技術(shù)指標(biāo)（創(chuàng)新要點(diǎn)等）： 1、使用性能優(yōu)越的碳量子點(diǎn)取代穩(wěn)定性差、熒光量子產(chǎn)率低的有機(jī)熒光染料和毒性大的無機(jī)半導(dǎo)體量子點(diǎn)； 2、通過調(diào)節(jié)碳量子點(diǎn)的合成原料，使得碳量子點(diǎn)偶聯(lián)錨定在二氧化硅微球上，且不會(huì)引起碳點(diǎn)的熒光猝滅從而有利于連接抗體或生物大分子等，產(chǎn)品具有快速、靈敏度和特異性高等優(yōu)勢(shì)。

量子隧穿是微觀世界的基本現(xiàn)象，它是指粒子可以像波一樣地穿過有阻礙的區(qū)域（即勢(shì)壘），是微觀粒子的波粒二象性的一個(gè)具體表現(xiàn)。如今，量子隧穿的概念已經(jīng)滲透到物理學(xué)的方方面面，比如廣泛使用的掃描隧道電子顯微鏡、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)等。然而，關(guān)于量子隧穿卻有一個(gè)基本問題充滿著爭(zhēng)議，那就是隧穿的過程是否需要時(shí)間？如果需要時(shí)間那又該如何測(cè)量呢？自量子力學(xué)誕生以來，這個(gè)問題一直伴隨著量子力學(xué)的發(fā)展而爭(zhēng)論至今。 隨著超短激光脈沖的問世，人們一直努力、希望在強(qiáng)場(chǎng)隧道電離的范疇來解決這個(gè)的重要爭(zhēng)議問題。隨即，學(xué)術(shù)界提出了可以通過阿秒鐘方案測(cè)量隧道電離的發(fā)生時(shí)間（即時(shí)間延遲），阿秒鐘巧妙地將隧穿時(shí)間延遲轉(zhuǎn)化為光電子發(fā)射角的偏移，然而對(duì)于實(shí)驗(yàn)結(jié)果，大家一直未取得一致的看法。學(xué)術(shù)界通過十多年的研究，基本上形成了兩種對(duì)立的觀點(diǎn)，即瞬時(shí)隧穿（隧穿幾乎不需要時(shí)間）與延時(shí)隧穿（隧穿需要百阿秒量級(jí)的時(shí)間），各自都有相應(yīng)的理論與實(shí)驗(yàn)支持。似乎這兩種觀點(diǎn)充滿矛盾、不可調(diào)和！量子隧穿的示意圖量子隧穿可以看作是微觀粒子的“穿墻術(shù)”增強(qiáng)型阿秒鐘的原理。（a）線偏振的二次諧波打破了圓偏振的基頻光的對(duì)稱性，標(biāo)記了最大值激光電場(chǎng)的方向與時(shí)刻。（b）不加二次諧波時(shí)測(cè)量的光電子動(dòng)量譜。（c）加入標(biāo)記光場(chǎng)后測(cè)量的光電子動(dòng)量譜。 傳統(tǒng)的阿秒鐘是采用單個(gè)橢圓偏振或近圓偏振的激光脈沖，因此傳統(tǒng)阿秒鐘的校準(zhǔn)依賴于少周期激光的載波包絡(luò)相位和橢偏率的確定，它們的噪聲抖動(dòng)會(huì)給阿秒鐘的測(cè)量帶來很大的誤差。日前，北京大學(xué)物理學(xué)院、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”劉運(yùn)全教授和龔旗煌院士領(lǐng)導(dǎo)的研究小組，提出并實(shí)現(xiàn)了一種全新改進(jìn)型阿秒鐘，在一束圓偏振飛秒激光場(chǎng)中加入了另一束線偏振的倍頻光來校準(zhǔn)阿秒鐘，使得光電子發(fā)射角的偏移量的定標(biāo)更加精準(zhǔn)。這種增強(qiáng)型阿秒鐘使得隧穿時(shí)間的測(cè)量更加準(zhǔn)確可靠。理論上還證明了上述兩種看似對(duì)立的隧穿圖像可以被統(tǒng)一在同一個(gè)理論框架下進(jìn)行描述。在強(qiáng)場(chǎng)近似理論框架下，他們分別建立了瞬時(shí)隧穿圖像以及基于Wigner表象的延時(shí)隧穿圖像，對(duì)于增強(qiáng)型阿秒鐘的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，這兩種隧穿圖像的理論結(jié)果都與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符合。因此，這是第一次使用同一個(gè)理論框架和同一個(gè)實(shí)驗(yàn)完美地統(tǒng)一了這個(gè)長(zhǎng)期的學(xué)術(shù)爭(zhēng)議，為隧穿時(shí)間研究提供一種思路。

在高晶體質(zhì)量的狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測(cè)到手征反常導(dǎo)致的負(fù)磁電阻效應(yīng)（Nat. Commun. 6, 10137 (2015)）；并借助于納米線比表面積大的優(yōu)勢(shì)，測(cè)量到起源于拓?fù)浔砻鎽B(tài)輸運(yùn)的π A-B效應(yīng)(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436（2017）)。 最近，他們通過輸運(yùn)測(cè)量首次在狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測(cè)到連續(xù)體態(tài)和離散表面態(tài)耦合產(chǎn)生的Fano共振現(xiàn)象。研究表明直徑約為60 nm的Cd3As2納米線的表面態(tài)能帶會(huì)發(fā)生劈裂，通過柵壓調(diào)制費(fèi)米能級(jí)到一個(gè)表面態(tài)子能帶的帶底時(shí)，會(huì)呈現(xiàn)出零偏壓微分電導(dǎo)峰；在磁場(chǎng)作用下，由于塞曼效應(yīng)，零偏壓電導(dǎo)峰會(huì)發(fā)生劈裂，測(cè)量得到表面態(tài)的朗德因子為32；Fano共振進(jìn)一步導(dǎo)致零偏壓微分電導(dǎo)峰隨偏置電壓具有非對(duì)稱的線形，并可能對(duì)材料中起源于“外爾軌道”的量子振蕩頻率產(chǎn)生修正。這項(xiàng)工作對(duì)于深入研究拓?fù)浒虢饘俚妮斶\(yùn)性質(zhì)，以及設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)可電學(xué)調(diào)控的Fano體系有著重要意義。圖1. Cd3As2納米線中量子限制效應(yīng)引起的電導(dǎo)振蕩；(b)柵壓調(diào)制的微分電導(dǎo)譜。

本發(fā)明屬于量子點(diǎn) LED 封裝領(lǐng)域，具體涉及一種高發(fā)光效率的量子點(diǎn)白光 LED，其中，LED 芯片固定設(shè)置在基板表面，量子點(diǎn)硅納米球附著在 LED 芯片表面，熒光粉膠將量子點(diǎn)硅納米球和 LED 芯片完全包裹住，所透光殼體直接安裝在基板上或通過一模塑料固定在基板上方，并將熒光粉膠、LED 芯片和量子點(diǎn)硅納米球密封在內(nèi)，透光殼體內(nèi)的空隙處填充有封裝膠。本發(fā)明還公開了一種高發(fā)光效率的量子點(diǎn)白光 LED 的制備方法。本發(fā)明的量子點(diǎn) LED 能夠顯著提高白光LED 的發(fā)光效率，在生產(chǎn)中能夠更加便捷地控制量子點(diǎn)與熒光粉各自的發(fā)光光譜，從而得到所需的理想型發(fā)光，且可顯著減少量子點(diǎn)的用量，節(jié)約生產(chǎn)成本。

郭光燦院士團(tuán)隊(duì)在基于人工合成維度的量子模擬方面取得重要實(shí)驗(yàn)進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)李傳鋒、許金時(shí)、韓永建等人將攜帶不同軌道角動(dòng)量的光子（又稱為渦旋光子）束縛在簡(jiǎn)并光學(xué)諧振腔內(nèi)，通過引入光子的自旋軌道耦合人工合成了一維的拓?fù)渚Ц瘢瑸橥負(fù)淞孔幽M開創(chuàng)了一種新的方法。

通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量和從理論上分析三原子重組在543.3 高斯附近的6Li-6Li的窄波磁Feshbach共振，表明在有限的溫度下，三體重組主要由間接過程支配并在閾值以上的kBT內(nèi)存在窄共振峰。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)強(qiáng)有力的顯示連續(xù)的成對(duì)過程遵循一個(gè)普適行為并由范德華力決定。論文給出了三體重組速率常數(shù)描述的解析公式和對(duì)溫度的依賴性，其中三體重組通過連續(xù)的成對(duì)相互作用進(jìn)行。基礎(chǔ)物理圖像不僅適用于窄s波共振，還適用于非零分波的共振，不僅適用于超低溫，而且適用于更高的溫度。       這個(gè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了量子三體在范德華勢(shì)作用下普遍的行為，發(fā)現(xiàn)該普遍行為遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出零溫度范圍，從而揭示出雙體的量子缺陷理論可以通過多尺度方法進(jìn)一步擴(kuò)展到非零溫度范圍。這種廣義的三體作用的范德瓦爾普遍行與通用狀態(tài)方程的定義瓦爾斯長(zhǎng)度尺度有密切聯(lián)系。通過將量子普遍行為區(qū)域擴(kuò)展到零以外溫度和s波共振，純理論模型通過超冷原子物理實(shí)驗(yàn)與真實(shí)的少體系統(tǒng)和真實(shí)化學(xué)反應(yīng)建立了緊密聯(lián)系，邁出了量子三體物理研究的關(guān)鍵一步。

本發(fā)明公開了一種復(fù)合量子點(diǎn)電極材料及其制備方法和應(yīng)用，屬于光電化學(xué)電極材料技術(shù)領(lǐng)域，包括如下步驟：將鈦基材料打磨、清洗后，浸泡于第一酸性溶液中以去除氧化膜，后將鈦基材料置于第二酸性溶液中，以制得鈦基體；將鉬源溶于水中同時(shí)調(diào)節(jié)pH值，并加入硫源后，進(jìn)行熱反應(yīng)，得到MoS<subgt;2</subgt; QDs；將MoS<subgt;2</subgt; QDs、銻鹽、稀土金屬鹽按預(yù)設(shè)比例混合溶于濃酸的醇溶液中以制得浸漬液；將鈦基體進(jìn)行清洗、干燥后，完全浸沒在浸漬液中，經(jīng)一系列處理后，得到復(fù)合量子點(diǎn)電極材料；本發(fā)明制得的電極材料具有導(dǎo)電性強(qiáng)、電催化活性高、耐腐蝕性能優(yōu)異、穩(wěn)定性持久等優(yōu)點(diǎn)，能夠用于油田聚合物驅(qū)油。

寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車輛、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國(guó)內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線

本發(fā)明公開了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設(shè)計(jì)方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴(kuò)瞳方式產(chǎn)生的大視場(chǎng)角情況下的視場(chǎng)分離。

傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時(shí)，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對(duì)壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實(shí)驗(yàn)室利用高居里點(diǎn)的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動(dòng)能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時(shí)提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動(dòng)器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)驅(qū)動(dòng)的器件，壓電驅(qū)動(dòng)器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時(shí)，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動(dòng)效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。