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徐光憲，男，1920年11月生于浙江省紹興市，北京大學(xué)教授，1980年被增選為中國(guó)科學(xué)院學(xué)部委員，是我國(guó)著名的化學(xué)家和教育家。由教育部推薦。

太陽(yáng)能作為一種潔凈和相對(duì)易于獲取的能源在未來的動(dòng)力產(chǎn)品中將占有越來越大的比份。如何發(fā)展高光電能量轉(zhuǎn)換效率、高可靠性和低成本的太陽(yáng)能電池是目前太陽(yáng)能利用領(lǐng)域所面臨的關(guān)鍵問題。相對(duì)于第一代和第二代太陽(yáng)能電池(轉(zhuǎn)換效率<<50％)，各國(guó)科學(xué)家紛紛研究不同的應(yīng)用于第三代太陽(yáng)能電池的新材料和新結(jié)構(gòu)，目標(biāo)是使光電轉(zhuǎn)換效率大于5 0％。近年來，一種具有微、納米量級(jí)特殊結(jié)構(gòu)的光伏材料成為太陽(yáng)能電池的研究熱點(diǎn)。利用飛秒脈沖激光在極短的持續(xù)時(shí)間內(nèi)激發(fā)出極大的峰值能量，其在硅片的相互作用過程中具有很強(qiáng)的非線性效應(yīng)，聚焦燒蝕硅表面很小的一塊面積，形成規(guī)則排列的微納米結(jié)構(gòu)。這種微納米結(jié)構(gòu)由于表面積增大，對(duì)入射光波有很大的吸收，且對(duì)光的敏感性提高了數(shù)百倍，這些性質(zhì)對(duì)我們提高光電轉(zhuǎn)換效率具有很大的指導(dǎo)意義。這種材料與本底未處理材料的性質(zhì)相比，材料帶隙減小，對(duì)光的敏感性提高了數(shù)百倍，這使得其對(duì)波長(zhǎng)為250—2500 nm的入射光波有大于90％的吸收；另外，黑硅比傳統(tǒng)材質(zhì)的硅的比重低。這些奇特的光電和物理性質(zhì)能進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。根據(jù)光吸收效率，激子光量子效率，化學(xué)電勢(shì)效率以及填充因子計(jì)算總的光電轉(zhuǎn)換效率，普通硅基太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率只有1 5％，而基于微納結(jié)構(gòu)光伏材料的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率可望達(dá)到50%-60%。 針對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展在太陽(yáng)能光伏技術(shù)方面的重大需求，發(fā)展利用超短脈沖激光制備具有優(yōu)異光電轉(zhuǎn)化效率的微納結(jié)構(gòu)光伏材料的新方法，以及通過探測(cè)光伏材料中非平衡載流子的能帶結(jié)構(gòu)及微分負(fù)電導(dǎo)等特性，探知光伏材料的光電轉(zhuǎn)換效率，從而篩選出轉(zhuǎn)換效率較高的微納結(jié)構(gòu)光伏材料，最終在發(fā)展新型、高效太陽(yáng)能電池的新原理和新技術(shù)方面取得創(chuàng)新性突破，為我國(guó)研發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高效第三代光伏電池打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

光學(xué)頻率梳是具有確定梳齒頻率間隔的光頻標(biāo)尺，在精密測(cè)量中發(fā)揮了極為重要的作用。近年來，一種基于光學(xué)微腔的新型芯片級(jí)光梳取得了突破性進(jìn)展，其具備體積小、功耗低、精度高等優(yōu)勢(shì)，大大拓寬了傳統(tǒng)桌面級(jí)精密光源的應(yīng)用場(chǎng)景。目前，這種芯片級(jí)光梳已在超快激光雷達(dá)、光學(xué)頻率合成、大容量相干光通信和精密光譜學(xué)等方向上展現(xiàn)了巨大潛力，因而對(duì)基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用都具有重要意義。然而，單個(gè)微腔光梳能夠覆蓋的光譜范圍往往被色散以及收集效率限制，從而阻礙了其在光學(xué)原子鐘、類地行星探尋、生物成像等重要領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用。

隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染問題的日益嚴(yán)峻，太陽(yáng)能等綠色可再生能源近年來得到了廣泛關(guān)注。伴隨著光電轉(zhuǎn)換效率的提升和生產(chǎn)成本的下降，太陽(yáng)能電池愈加凸顯其廣闊的應(yīng)用前景。有機(jī)無機(jī)雜化鉛鹵鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，作為新型太陽(yáng)能電池的后起之秀，在短短七年內(nèi)，光電轉(zhuǎn)換效率從3.8%迅速增長(zhǎng)到22.1%。雖然鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在效率上已經(jīng)取得重大突破，但人們對(duì)于鈣鈦礦材料本身的生長(zhǎng)機(jī)理以及薄膜形貌的形成機(jī)制研究還需要進(jìn)一步加強(qiáng)，而基于此的研究對(duì)鈣鈦礦材料的深入認(rèn)知以及相應(yīng)的光電器件的應(yīng)用具有重大意義。

本發(fā)明公開了一種基于線結(jié)構(gòu)光的水下目標(biāo)三維重建技術(shù)。本方法有效降低了由于水中懸浮物、海水對(duì)光的吸收和散射、非均勻光場(chǎng)等對(duì)探測(cè)精度的影響，完成了大角度、遠(yuǎn)距離的水下目標(biāo)三維信息提取，實(shí)現(xiàn)了水下遠(yuǎn)距離、高精度、實(shí)時(shí)的目標(biāo)三維探測(cè)。水下目標(biāo)三維探測(cè)技術(shù)可為海洋資源開發(fā)、水下工程建設(shè)和水下軍事應(yīng)用等領(lǐng)域等所需的水下探測(cè)技術(shù)提供重要的方法和參考?？梢詾槿祟愄峁┖线m的觀察通道，將水下被探測(cè)目標(biāo)的外型顯示為人眼可判斷的圖像或視頻信息，以此來完成對(duì)水中信息的收集或者為下一步的研究及應(yīng)用提供有價(jià)值的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)信息。

本實(shí)用新型公開了一種基于多模波導(dǎo)的新型光調(diào)制器。其結(jié)構(gòu)是具有多模調(diào)制結(jié)構(gòu)的電致吸收調(diào)制器、具有多模調(diào)制結(jié)構(gòu)的相位調(diào)制器或者具有多模調(diào)制結(jié)構(gòu)的馬赫澤德干涉儀調(diào)制器，多模調(diào)制結(jié)構(gòu)包含模式復(fù)用器、模式解復(fù)用器、第一多模連接波導(dǎo)、多模波導(dǎo)光調(diào)制區(qū)、第二多模連接波導(dǎo)，多模調(diào)制結(jié)構(gòu)是以模式復(fù)用器的輸入端作為多模調(diào)制結(jié)構(gòu)的輸入端，以模式復(fù)用器的輸入端或者模式解復(fù)用器的輸出端作為多模調(diào)制結(jié)構(gòu)的輸出端。本實(shí)用新型利用多模波導(dǎo)光調(diào)制區(qū)以及模式復(fù)用?解復(fù)用技術(shù)，使得光能夠以不同模式的方式多次經(jīng)過光調(diào)制區(qū)，顯著增強(qiáng)對(duì)光場(chǎng)的調(diào)控效果，可降低驅(qū)動(dòng)電壓，并提升消光比和調(diào)制速度等性能，適用于各種光調(diào)制結(jié)構(gòu)和原理。

本發(fā)明公開了一種采用正交光功率比值的單波長(zhǎng)型微波測(cè)頻方案。在此方案中，微波信號(hào)經(jīng)載波抑制單邊帶調(diào)制模塊加載到一個(gè)連續(xù)激光光源的輸出光信號(hào)上，僅生成單個(gè)一階光邊帶；此光邊帶同時(shí)輸入到由同一個(gè)高雙折射元件構(gòu)建的兩個(gè)梳狀濾波器中。經(jīng)濾波、檢測(cè)和對(duì)比之后，分別獲得與微波頻率成余弦函數(shù)關(guān)系和正弦函數(shù)關(guān)系的兩個(gè)光功率比值，即正交光功率比值。結(jié)合兩個(gè)正交光功率比值可以在梳狀濾波響應(yīng)的整個(gè)自由頻譜區(qū)內(nèi)解調(diào)出唯一的頻率值。本發(fā)明以單個(gè)光源、單個(gè)高雙折射元件構(gòu)建了采用正交光功率比值的微波測(cè)頻方案，以精簡(jiǎn)的裝置在整個(gè)自由頻譜區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)測(cè)頻，并在設(shè)計(jì)組合結(jié)構(gòu)型測(cè)頻裝置中有著廣泛的應(yīng)用前景。

本發(fā)明涉及光伏并網(wǎng)逆變器技術(shù)領(lǐng)域。包括由功率電路組成的功率逆變單元和逆變控制單元兩部分，功率逆變單元主要包括輸入EMI 濾波電路、交錯(cuò)并聯(lián) Boost 升壓電路、采用混合器件的全橋逆變電路、輸出并網(wǎng)濾波電路，逆變控制單元主要包括電網(wǎng)相位檢測(cè)電路、采樣電路、及控制器。本發(fā)明采用雙級(jí)結(jié)構(gòu)，前級(jí)采用交錯(cuò)并聯(lián) Boost升壓，減小了電流的波動(dòng)，降低了輸出電壓紋波；后級(jí)逆變單元采用混合功率器件，有效減小了逆變損耗，提高系統(tǒng)效率

本發(fā)明公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)的收光方法，該收光 測(cè)試方法包括如下步驟:待測(cè)試芯片被移動(dòng)至積分球收光口的上方; 設(shè)置于積分球下方的積分球升降裝置向上運(yùn)動(dòng)，使所積分球的收光口 對(duì)準(zhǔn)所述待測(cè)試的倒裝 LED 芯片的發(fā)光側(cè)，并且使設(shè)置于積分球收光 口處的板片貼緊裝載待測(cè)試倒裝 LED 芯片的盤片。按照本發(fā)明設(shè)計(jì)的 收光測(cè)試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片電機(jī)和發(fā)光面不同側(cè)的 問題，具有高的收光精度，尤其與倒裝