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該產(chǎn)品功率等級(jí)為 3kW~4.6kW，具有雙向功率流動(dòng)特性，拓展產(chǎn)品應(yīng)用范圍，適用于低壓輸入的戶用型及小型并網(wǎng)發(fā)電站，適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充放電等， D2D 為模塊化結(jié)構(gòu)，功率易于擴(kuò)容，高頻電氣隔離，更加安全可靠，高效、先進(jìn)的軟開關(guān)技術(shù)，自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 峰值效率大于 96.5%； CEC 和歐洲效率大于 95%。

本發(fā)明公開了一種光片顯微成像轉(zhuǎn)換裝置，包括：光片激光光 源、樣品夾持器、以及運(yùn)動(dòng)器；所述光片激光光源，產(chǎn)生光片激光， 水平照射在被固定于樣品夾持器樣品上；所述運(yùn)動(dòng)器，與樣品夾持器 連接，用于帶動(dòng)樣品夾持器在與豎直方向夾角小于 15 度方向上運(yùn)動(dòng)。 本發(fā)明提供的光片顯微成像轉(zhuǎn)換裝置，是一種小型化、低成本的轉(zhuǎn)換 裝置，能通過加裝在普通的倒置熒光顯微鏡上，使其具備光片顯微成 像的能力，通過少量改裝實(shí)現(xiàn)三維成像上的質(zhì)的突破，

：本發(fā)明公開了一種二維陣列光耦合模塊，包括陶瓷基底、光收 發(fā)芯片陣列、微透鏡陣列，驅(qū)動(dòng)單元陣列、光纖陣列和光纖連接器。 本發(fā)明中，光纖陣列耦合端采用 45 度反射面，通過微透鏡與光收發(fā)芯 片陣列實(shí)現(xiàn)了有效耦合，耦合效率高，體積小，便于封裝；提出的對(duì) 準(zhǔn)與定位方法較易實(shí)現(xiàn)，有利于工業(yè)制造；采用異形陶瓷基底，能夠 減小光程差對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸速率的影響，對(duì)于光耦合效率也有一定提升； 而且，制作成本相對(duì)于聚合物波導(dǎo)來(lái)說(shuō)較低。本發(fā)

本發(fā)明提出一種消不良光的全息變焦系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括激光器、濾波器I、準(zhǔn)直透鏡、LCOS、固體透鏡、濾波器II、液體透鏡、接收屏。其中濾波器I、準(zhǔn)直透鏡用于將激光器發(fā)出的激光擴(kuò)束形成準(zhǔn)直平面光，固體透鏡位于LCOS的后面，濾波器II位于固體透鏡的焦平面位置，液體透鏡位于接收屏和濾波器II之間。該系統(tǒng)不僅可以消除全息系統(tǒng)中的不良光，而且可以實(shí)現(xiàn)變焦的功能。

研究?jī)?nèi)容：本項(xiàng)目通過對(duì)控制電路的設(shè)計(jì)， 克服了液晶變光的非線性， 實(shí)現(xiàn)了不同遮光號(hào)的準(zhǔn)確設(shè)置，并極大地縮短了變光響應(yīng)時(shí)間；通過對(duì)產(chǎn) 品面罩添加成分的研究和基于力學(xué)原理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)， 提高了產(chǎn)品阻燃和耐 高、低溫性能，以及抗沖擊能力；變光鏡組的內(nèi)外保片除了具有防護(hù)功能 外，還具有超強(qiáng)的除霧氣能力，有效防止由于霧氣造成的意外事故。 技術(shù)特點(diǎn)： 本項(xiàng)目屬于焊接加工行業(yè)的設(shè)備制造。該產(chǎn)品在焊接過程 中能夠自動(dòng)變光

開發(fā)了一款300W的可以與光伏板背板接線盒完全集成的光伏能量?jī)?yōu)化器，達(dá)到的效果：效率98%，可以追蹤光伏最大功率，可以適用于多種負(fù)載（逆變器、孤島負(fù)載、儲(chǔ)能負(fù)載等）。技術(shù)特點(diǎn)及創(chuàng)新點(diǎn)（1）功率密度大，可以和現(xiàn)有光伏電池板完全集成（2）快速追蹤光伏最大功率，無(wú)凈差（3）自動(dòng)判別不同負(fù)載，針對(duì)負(fù)載情況快速切換運(yùn)行狀態(tài)應(yīng)用領(lǐng)域： 新能源   

中心通過“裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新”，創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長(zhǎng)第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效由國(guó)際上報(bào)道的不足10%，提升到了27.9%，結(jié)束了國(guó)際市場(chǎng)上長(zhǎng)期缺乏高光效黃光LED的局面。國(guó)際同行、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二教授高度稱贊這項(xiàng)成果：“硅基黃光LED的技術(shù)水平國(guó)際領(lǐng)先，這是屬于中國(guó)人首次發(fā)明的照明技術(shù)，它有非常大的價(jià)值?！标惲蓟菰菏款I(lǐng)銜的12位業(yè)內(nèi)專家，對(duì)

1.痛點(diǎn)問題 隨著高端裝備制造、工業(yè)機(jī)器人末端定位、工業(yè)產(chǎn)品尺寸檢測(cè)等領(lǐng)域高速發(fā)展，亟需匹配大量程、高精度、高測(cè)速和基準(zhǔn)可溯源的絕對(duì)距離檢測(cè)能力，現(xiàn)有激光雷達(dá)和激光干涉等測(cè)距手段因其測(cè)量原理和性能限制，均無(wú)法滿足要求。 2.解決方案 本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)經(jīng)過十余年的技術(shù)攻關(guān)，成功研制了國(guó)內(nèi)外首臺(tái)具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光頻梳絕對(duì)測(cè)距儀器，實(shí)現(xiàn)了百米級(jí)量程、微米級(jí)精度和千赫茲級(jí)測(cè)速，并應(yīng)用于高精度大尺寸三坐標(biāo)測(cè)量。本項(xiàng)目成果可服務(wù)于飛機(jī)、船舶等裝備制造，工業(yè)機(jī)器人末端定位、工業(yè)產(chǎn)品尺寸檢測(cè)對(duì)高性能空間定位的迫切需求。預(yù)期形成光頻梳絕對(duì)測(cè)距儀和光頻梳三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x等自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品和配套解決方案。 技術(shù)創(chuàng)新： （1）提出基于光頻梳的多外差干涉測(cè)距技術(shù)，解決傳統(tǒng)干涉法難以進(jìn)行高精度絕對(duì)距離測(cè)量的問題； （2）提出基于光頻梳絕對(duì)測(cè)距的高精度三坐標(biāo)測(cè)量技術(shù)，解決跟蹤儀絕對(duì)定位能力不足的問題。 合作需求 （1）市場(chǎng)資源對(duì)接：有末端定位需求的機(jī)器人公司、有高精度距離和坐標(biāo)測(cè)量需求的智能制造公司； （2）資本對(duì)接：聚焦關(guān)注高端裝備、智能制造、光電產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的一線風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)構(gòu)（非FA機(jī)構(gòu)）； （3）技術(shù)合作：承接國(guó)家和省部級(jí)項(xiàng)目的企業(yè)，在專項(xiàng)中對(duì)精密測(cè)距和高精度坐標(biāo)測(cè)量的需求，可與本團(tuán)隊(duì)聯(lián)合項(xiàng)目攻關(guān)。

本發(fā)明公開了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)?、第一電極層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)?、公共電極層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質(zhì)石墨烯膜構(gòu)成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質(zhì)的勻質(zhì)石

提出采用規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)和摻雜來(lái)實(shí)現(xiàn)光場(chǎng)在納米尺度上的精確局域化和調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了單層石墨烯規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)剪裁中紅外電磁場(chǎng)在單原子二維平面的局域分布、波長(zhǎng)與強(qiáng)度調(diào)控。通過構(gòu)建單層石墨烯規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)，利用邊界對(duì)表面等離激元波的反射，形成多重干涉效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)10.7 μm入射波的光場(chǎng)局域化，并且通過納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀調(diào)控其空間分布，結(jié)果以封面文章發(fā)表在Light: Science & Applications 2017, 6, e17057上。另外，通過對(duì)單層石墨烯進(jìn)行硝酸根化學(xué)摻雜，實(shí)現(xiàn)了單層石墨烯表面等離激元強(qiáng)度提高了約2倍、波長(zhǎng)由150 nm提高到了280 nm?還發(fā)現(xiàn)了二維層狀范德華α-MoO3晶體的中紅外雙曲聲子極化激元效應(yīng)，將聲子極化激元體系推廣至半導(dǎo)體。二維層狀α-MoO3晶體具有豐富的光學(xué)聲子模式，該研究揭示了它們能夠與中紅外電磁場(chǎng)進(jìn)行有效地耦合激發(fā)聲子極化激元，從而實(shí)現(xiàn)二維平面上高度的電磁場(chǎng)局域。另外，該研究利用α-MoO3晶體較大的層間間距，通過金屬離子插層的方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)其聲子極化激元的傳播調(diào)制以及“關(guān)閉”