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?  成果簡介：利用高速旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子產(chǎn)生的高離心力對在高承載環(huán)境下使用的器件進(jìn)行加載試驗(yàn)，采用成熟試驗(yàn)技術(shù)方法和檢測手段，實(shí)現(xiàn)對微小型機(jī)械結(jié)構(gòu)件和電子器件、加速度傳感器在高承載環(huán)境下的高載荷試驗(yàn)和標(biāo)定。該設(shè)備最高加速度實(shí)驗(yàn)值：8萬g，最高加速度標(biāo)定值：1萬g，實(shí)驗(yàn)對象最大回轉(zhuǎn)半徑：50mm，加速度實(shí)驗(yàn)精度：3%，標(biāo)定精度：6%，實(shí)驗(yàn)對象尺寸：實(shí)驗(yàn)件最大尺寸長度≤18mm，實(shí)驗(yàn)件三維尺寸處于直徑D=18，高度H=15的圓柱體范圍里。適合鋼、鋁及銅質(zhì)等各種材質(zhì)加工的，在高承載環(huán)境下工作

共軛聚合物因其柔性、可溶液加工、低成本等優(yōu)點(diǎn)，在柔性顯示、電子皮膚和生物傳感等功能器件中有潛在的應(yīng)用價(jià)值。高均勻性的大面積加工是共軛聚合物作為有機(jī)半導(dǎo)體材料向?qū)嶋H應(yīng)用轉(zhuǎn)化的重要一步，但具有很強(qiáng)的挑戰(zhàn)性。由于共軛聚合物的分子間強(qiáng)相互作用和復(fù)雜的鏈纏結(jié)，溶液加工過程中往往產(chǎn)生結(jié)晶與無定形區(qū)域、排列缺陷、厚度變化等非均勻性現(xiàn)象，限制了共軛聚合物的大面積加工。即使在稀溶液中，共軛聚合物分子之間仍具有一定程度的聚集。因此，如何通過調(diào)控聚合物從溶液到固相薄膜的聚集行為和組裝過程，從而實(shí)現(xiàn)共軛聚合物的大面積加工，并進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)“從下而上”器件加工方式，成為了很有挑戰(zhàn)性的科學(xué)問題。本研究實(shí)現(xiàn)了聚合物單分子薄膜大面積加工，并獲得了優(yōu)異的電子傳輸性能，有望應(yīng)用于加工制備大面積、高性能的有機(jī)場效應(yīng)晶體管。  共軛聚合物由于分子之間的π?π相互作用和鏈段纏結(jié)，在溶液中形成了特征的1D蠕蟲狀組裝結(jié)構(gòu)，組裝體在溶液加工過程中進(jìn)一步的生長，形成了網(wǎng)絡(luò)狀組裝結(jié)構(gòu)，最終通過沉積方法可以在基底上形成2D聚合物單分子層網(wǎng)絡(luò)（圖1）。研究人員首先通過混合溶劑策略調(diào)控氟代苯并二呋喃二酮（F4BDOPV）片段與聯(lián)二噻吩（2T）片段形成的共軛聚合物（F4BDOPV-2T）在溶液中組裝行為，并通過垂直提拉法表征了沉積薄膜的形貌。原子力顯微鏡（AFM）高度圖表明在氯仿溶液中沉積得到的薄膜具有特征的網(wǎng)絡(luò)狀形貌，且厚度在很大的實(shí)驗(yàn)加工窗口內(nèi)均保持聚合物單分子層量級（約4 nm）。薄膜吸收光譜、AFM高度以及掠入射X射線散射證明了聚合物單分子層的厚度，且表明單分子層的形成具有寬的加工窗口。聚合物單分子層的形成與基底的性質(zhì)關(guān)系較小，在具有不同接觸角的基底均可以沉積得到聚合物單分子層網(wǎng)絡(luò)。寬的加工窗口和弱的基底相關(guān)性非常有利于加工大面積和高均勻性的聚合物薄膜。

本實(shí)用新型提供了一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明陽極IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層、電子注入層和陰極,所述的氯化綱水溶性薄膜的制備方法包括以下步驟：步 驟一、將粉末狀的氯化錮溶解于去離子水中得到混合溶液；步驟二、將上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。該結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)在于:不 僅制備方法簡單,成本彳氐廉,環(huán)境友好,而且能夠有效的提高陽極界面載流子的 注入效率，提高OLED器件的光電性能。本實(shí)用新型屬于有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng) 域，特別涉及一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。

“虛擬工藝”軟件可由標(biāo)準(zhǔn)工藝流程文件和掩膜版圖文件，模擬出所要加工的MEMS器件的真實(shí)三維結(jié)構(gòu)，具有良好的通用性和精度。下圖為自主開發(fā)的“虛擬工藝”軟件生成的微夾鉗三維結(jié)構(gòu)。 “虛擬運(yùn)行”軟件對器件的運(yùn)動(dòng)情況進(jìn)行仿真，并與最初設(shè)計(jì)方案比較來指導(dǎo)和修正實(shí)際加工。下圖顯示了微夾鉗的虛擬運(yùn)行結(jié)果，圖中的器件顏色表示了器件運(yùn)動(dòng)時(shí)的劇烈程度，紅色表示變形最劇烈的部分，淡藍(lán)色表示變形較小的部分。

本工作中，基于安徽大學(xué)微納加工平臺以及香港科技大學(xué)納米系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)制造中心聯(lián)合制造出了兩款氮化鎵功率器件，分別實(shí)現(xiàn)了電壓驅(qū)動(dòng)/電流驅(qū)動(dòng)的柵極結(jié)構(gòu)，為后續(xù)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和研發(fā)提供了器件技術(shù)支持；工作中也同時(shí)提出了兩種結(jié)構(gòu)在高溫下的穩(wěn)定性模型，為進(jìn)一步提升氮化鎵器件的性能以及可靠性打下了基礎(chǔ)。

項(xiàng)目的背景及目的 迄今為止，集成電路的模擬、仿真直至評測已有了非常完善的工具軟件；并已成為設(shè)計(jì)過程的重要組成部分；對設(shè)計(jì)的成功、可靠、高效都已起到?jīng)Q定性作用。而對MEMS而言，還相差甚遠(yuǎn)，這和MEMS發(fā)展的成熟程度有著直接關(guān)系。當(dāng)然，這并不意味著MEMS不需要這樣的工具和系統(tǒng)。相反，由于MEMS的功能多樣、加工復(fù)雜、分析困難、設(shè)計(jì)周期長、成本高等。特別需要一個(gè)能包括運(yùn)動(dòng)仿真、評測在內(nèi)的設(shè)計(jì)工具和系統(tǒng)。這是當(dāng)前推動(dòng)MEMS發(fā)展的當(dāng)務(wù)之急。

本發(fā)明公開了一種面向芯片級器件的焊點(diǎn)制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設(shè)置有陣列布置的多個(gè)噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點(diǎn)的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發(fā)生器相連，兩者之間形成高壓電場；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個(gè)管芯，且各管芯一一對應(yīng)配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內(nèi)形成容納焊料溶液的空間，在電場的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進(jìn)行流量分配后噴出形成噴點(diǎn)或噴絲，滴落于器件

近日，我校物質(zhì)科學(xué)與信息技術(shù)研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領(lǐng)域取得最新研究進(jìn)展，在氮化鎵GaNHEMT方向取得突破。

本發(fā)明提供了一種溝道的刻蝕方法，提供一待刻蝕對象，對所述待刻蝕對象一次刻蝕后，交替進(jìn)行表面處理?二次刻蝕，直至刻蝕掉所有的鰭結(jié)構(gòu)的犧牲層；其中，一次刻蝕用于刻蝕掉所述若干鰭結(jié)構(gòu)中當(dāng)前寬度最小的鰭結(jié)構(gòu)的全部犧牲層以及其它寬度更寬的鰭結(jié)構(gòu)的部分犧牲層；表面處理用于在待刻蝕對象的溝道層與剩余的犧牲層的暴露在外的表面形成保護(hù)層；所述二次刻蝕用于刻蝕掉當(dāng)前寬度次之的鰭結(jié)構(gòu)的全部的犧牲層，以及所述保護(hù)層。本發(fā)明在傳統(tǒng)的刻蝕工藝中加入氧化步驟，既實(shí)現(xiàn)了對溝道層的保護(hù)，又實(shí)現(xiàn)了在不同溝道寬度的刻蝕中，減少溝道層的損失量。

光電晶體及其器件作為激光技術(shù)的關(guān)鍵材料和器件，被諸多國家列為優(yōu)先發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)域。本項(xiàng)目在國家 863 計(jì)劃、天津市重大科技攻關(guān)、國防科工局民口配套等項(xiàng)目支持下，瞄準(zhǔn)國家需求，圍繞產(chǎn)品化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，取得了以下主要科技創(chuàng)新： （1）自主設(shè)計(jì)基于經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)庫的智能計(jì)算機(jī)晶體生長自動(dòng)控制系統(tǒng)，并開發(fā)了晶體生長成套裝備，應(yīng)用于多種晶體生長，得到批量推廣應(yīng)用。 （2）發(fā)展了兩種非固液同成分共熔配比晶體的制備方法，實(shí)現(xiàn)了 SLN 晶體和 SLT 晶體的批量、廉價(jià)制備。 （3）開發(fā)了寬溫度范圍工作鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體及電光調(diào) Q 開關(guān)，在-55℃～70℃溫度區(qū)間穩(wěn)定工作，大幅提高了軍用激光系統(tǒng)的溫度穩(wěn)定性。（4）以高溫度穩(wěn)定性電光調(diào) Q 開關(guān)為核心技術(shù)自主研發(fā)的系列高溫度穩(wěn)定性鈮酸鋰電光調(diào) Q 激光系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)和應(yīng)用。 （5）開發(fā)了滿足激光雷達(dá)等長期在線工作的低內(nèi)電場鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q 開關(guān)。 （6）開發(fā)了高抗光損傷閾值的鉭酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q開關(guān)，典型 1064nm 波段的激光損傷閾值比鈮酸鋰晶體提高兩個(gè)數(shù)量級以上，且能夠滿足軍工寬溫度范圍要求。