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所屬領(lǐng)域：家用電器。 隨著光伏電池產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展以及光電轉(zhuǎn)換效率的不斷提高，太陽能光伏制冷技術(shù)顯示出了強勁  的發(fā)展勢頭。但是太陽能具有不連續(xù)的特點，陰雨天和夜間不能被利用，而且蓄電池具有污染環(huán)境、 使用壽命短、重量重、體積大等缺點。潛熱蓄能技術(shù)的冰箱其重量是低壓直流蓄電池驅(qū)動的直流變頻 壓縮式冰箱的 2/3 左右，價格成本也降低到低壓直流蓄電池驅(qū)動的直流變頻壓縮式冰箱的 2/3。開發(fā)了一款一種離網(wǎng) / 無蓄電池的太陽能光伏直流變頻蓄冷冰柜并將其應用在畜牧區(qū)。所屬領(lǐng)域：家用電器。

通過分子設計在高分子光電探測器中實現(xiàn)活性層的垂直相分離控制，有效降低負偏壓下的暗電流從而提高光探測器的探測度。具體上，課題組基于具有優(yōu)異光伏性能的苯并二噻吩（BDT）為主鏈構(gòu)建單元，通過在側(cè)鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）作為給體單元，與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚，合成了高分子PBT(EDOT)? 與噻吩側(cè)鏈的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件負偏壓下的暗電流密度降低了2個數(shù)量級以上，而其光伏性能沒有顯著下降（圖1）。并且，探測器在±2.0V時具有非常高的整流比，暗電流的比值達到106-107，說明該探測器具有非常優(yōu)異的二極管特性。在-0.2 V時，PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低，使PBT(EDOT)光探測器在光譜響應區(qū)內(nèi)可以獲得1013 Jones以上的探測度。與之相對的是，基于PBT(TH)的探測器，其探測度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平（圖2a）。此外，由于暗電流的減小，PBT(EDOT)器件對于弱光的探測敏感性大大提高，可以探測到光強在1 pW cm-2以下的弱光（圖2b）。該項工作已申請PCT專利，課題組將進一步開發(fā)高分子光探測器在傳感、光通訊等方面的實際應用。

項目簡介 本成果太陽能型獨立灌溉補光螺旋栽培立柱，由太陽能對微型水泵供電或圓筒形 LED 燈管供電，從而實現(xiàn)無電能消耗的螺旋栽培立柱獨立自動灌溉與補光，整體結(jié)構(gòu)簡單可 靠，便于拆裝，屬國際首創(chuàng)項目。該成果處于中試研究階段，并申請了專利，專利號： 201410000816.4。 性能指標 （1）整機尺寸：≤1.6m╳1m╳1m（升降臺折疊）。 （2）承載量：150kg；92 （3）升降高度：1m~3m； （4）行走速度：5kg/h

研究了二維鐵磁材料VI 3

本發(fā)明公開了一種偏振無關(guān)空間光調(diào)制方法和裝置，該方法利 用偏振分束、偏振旋轉(zhuǎn)、偏振相關(guān)空間光調(diào)制器件、偏振合束實現(xiàn)偏 振無關(guān)空間光調(diào)制。裝置包括偏振分束鏡，反射鏡、半波片和反射式 偏振相關(guān)空間光調(diào)制器件，其中偏振分束鏡、偏振相關(guān)空間光調(diào)制器 件和反射鏡構(gòu)成直角三角形回路或者多邊形回路，半波片位于回路中。 裝置還可以進行多種改進。本發(fā)明可以適用于多種空間光束，如軌道 角動量光束、多路廣播的軌道角動量光束、任意空間相位調(diào)

本項目主要開展納微結(jié)構(gòu)體系光子帶隙的設計、納微結(jié)構(gòu)體系的光學非線性效應、光波傳播動力學以及光控光操作應用等方面的研究，發(fā)展在介觀尺度下調(diào)控光子傳輸行為的新效應、新原理與新技術(shù)。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內(nèi)外重要學術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇。其中有關(guān)鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關(guān)成果被《Science Archived》收錄，有關(guān)非傳統(tǒng)偏壓配置條件下各種非線性光子學晶格的制備

本實用新型公開了一種分布式光感卡盤安全扳手，包括從上至下依次固定相連的手柄、上扳手體和 下扳手體，所述手柄上設有至少一個光感傳感器，所述下扳手體底部設有方形軸，所述下扳手體內(nèi)部設 有電源、控制器和蜂鳴器，所述方形軸內(nèi)底部設有光感傳感器，所述手柄上和方形軸內(nèi)光感傳感器的信 號均接入控制器，通過控制器接收信號判斷卡盤安全扳手所處狀態(tài)，來控制蜂鳴器是否報警。本實用新 型原理簡單，使用、維護方便，可有效的

光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實現(xiàn)設計圖形轉(zhuǎn)移的載體，是決定其微細結(jié)構(gòu)和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導體掩膜版的國產(chǎn)化率10%左右，90%需要進口，高端掩膜版國產(chǎn)化率3%，miniLED和microLED產(chǎn)業(yè)升級也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場需求的持續(xù)提升，掩膜版產(chǎn)能嚴重不足。并且中國半導體掩膜版的產(chǎn)業(yè)起步較晚，技術(shù)滯后，核心技術(shù)和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設備、材料領(lǐng)域眾多技術(shù)處于“卡脖子”狀態(tài)，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機、檢測機、測量機、修復機和貼膜機等都依賴進口，嚴重制約中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。華中科技大學徐智謀教授團隊致力于全套高端半導體光掩膜版的關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)，為“卡脖子”技術(shù)研究而努力。 具有建立180 nm技術(shù)節(jié)點半導體掩膜版量產(chǎn)線相關(guān)核心技術(shù)；具備130 nm至28 nm半導體掩膜版研發(fā)、設計及驗證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團隊掌握了掩膜版MEMS微納加工量產(chǎn)核心技術(shù)，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術(shù)參數(shù)的搭配和優(yōu)化，以及大數(shù)據(jù)量軟件快速處理、補償?shù)取? 2） 裝備國產(chǎn)化 A. 超高精度二維測量裝備 尺寸測量是驗證掩膜版技術(shù)指標的核心，主要包括關(guān)鍵尺寸測量(CD)和長尺寸測量(TP)。團隊已掌握掩膜版的關(guān)鍵測量技術(shù)，達到國內(nèi)先進水平，具有整套設備的整機制造能力。 TP測量是掩膜版制作的核心指標，直接影響到客戶的套合精度，該測量設備一直由國外極少數(shù)廠商壟斷，且價格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對中國出口。團隊目前正在攻克該項技術(shù)，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復裝備 掩膜版修補技術(shù)是提升良品率的關(guān)鍵手段，該技術(shù)一直為國外壟斷。團隊已熟練掌握UV、DUV激光化學沉積技術(shù)及皮秒飛秒激光金屬處理技術(shù)，具備整機制造能力，可降低設備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動貼膜裝備 隨著產(chǎn)品精度的提升和應用領(lǐng)域的高端化，掩膜版貼膜是個不可缺少的重要環(huán)節(jié)。在IC制造領(lǐng)域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領(lǐng)域90%以上需貼膜，在LED領(lǐng)域80%以上需貼膜。該貼膜設備一直國外公司壟斷，國內(nèi)廠家沒有提供，國外采購全自動貼膜設備需100萬美元左右。團隊具備研發(fā)制造該設備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設備正式在產(chǎn)線運營，制造成本可節(jié)約90%以上。 3） 廠房建設關(guān)鍵技術(shù) 團隊對MEMS及其掩膜工廠工藝設備廠務設計有豐富經(jīng)驗，掌握高等級防微震廠房結(jié)構(gòu)和設備平臺的設計施工，可達到VC-D級技術(shù)標準，滿足納米級生產(chǎn)技術(shù)要求。 【技術(shù)優(yōu)勢】 （1）掌握了高性價比掩膜版量產(chǎn)的關(guān)鍵核心技術(shù)，包括部分裝備的國產(chǎn)化，解決“卡脖子”技術(shù)難題，量產(chǎn)線建設成本節(jié)約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術(shù)節(jié)點掩膜版設計開發(fā)能力和驗證平臺，驗證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產(chǎn)、研發(fā)和銷售經(jīng)驗的隊伍，成熟的企業(yè)管理經(jīng)驗，保證企業(yè)穩(wěn)步成長，確保投資風險可控。 【合作方式】 股權(quán)投資合作共建或政府孵化+中試線。