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產(chǎn)品詳細(xì)介紹

產(chǎn)品概述：? 超高性價(jià)比的工業(yè)光場(chǎng)相機(jī)，可同時(shí)捕捉目標(biāo)場(chǎng)景的二維圖像和三維深度信息。? 具備三維重建/先拍照后聚焦/視角變換等功能，適合用于大學(xué)生“計(jì)算成像”專題演示實(shí)驗(yàn)中。? 附帶C#、C++、Java、Python等編程工具包，便于進(jìn)行二次開發(fā)。? 可適配多種接口的常規(guī)工業(yè)鏡頭，支持用戶自行安裝和更換鏡頭。? 支持用戶深度定制光場(chǎng)相機(jī)的核心參數(shù)。

本發(fā)明公開了一種雙碟片串接的泵浦光多程傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng) 包括第一離軸拋物面反射鏡，第一直角反射鏡組，其位于所述第一離 軸拋物面反射鏡的反射光路上；第一碟片激光晶體，置于第一離軸拋 物面反射鏡焦點(diǎn)處；球面反射鏡，第二離軸拋物面反射鏡，其與所述 第一離軸拋物面反射鏡相對(duì)于過所述球面鏡球心的平面α對(duì)稱設(shè)置； 第二直角反射鏡組，其位于所述第二離軸拋物面反射鏡反射光路上； 第二碟片激光晶體，其與所述第一碟片激光晶體相對(duì)于過所述

本發(fā)明提出用于鑒定蘋果抗炭疽菌葉枯病的SSR分子標(biāo)記，所述分子標(biāo)記分別為S0607039；S0607001；S0506206；S0506078,S0506001S0405195,S0405127,S0304673,S0304011。本發(fā)明還提出擴(kuò)增用于鑒定蘋果抗炭疽菌葉枯病的SSR分子標(biāo)記的引物。本發(fā)明通過自行設(shè)計(jì)的SSR標(biāo)記對(duì)蘋果抗炭疽菌葉枯病基因進(jìn)行了分子標(biāo)記，確定所在的染色體位置及遺傳距離，構(gòu)建了緊密連鎖的遺傳圖譜。距離抗性基因最近的分子標(biāo)記能準(zhǔn)確的鑒定出蘋果對(duì)炭疽菌葉枯病的抗性，為蘋果生產(chǎn)實(shí)踐及抗性育種提供有效工具，并為下一步抗性基因的克隆及功能驗(yàn)證奠定了良好的基礎(chǔ)。

該成果創(chuàng)新性地基于二維半導(dǎo)體的硅基同質(zhì)器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計(jì)算-存儲(chǔ)一體化”神經(jīng)形態(tài)芯片架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了光電傳感、放大運(yùn)算、信息存儲(chǔ)功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實(shí)現(xiàn)類腦智能提供了一種全新思路。 繆向水教授團(tuán)隊(duì)，長(zhǎng)期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國(guó)內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。 同質(zhì)晶體管-存儲(chǔ)器架構(gòu)的原理及器件結(jié)構(gòu) 繆向水團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國(guó)內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。

一、 概述JTW-LD-SF300/85 纜式線型感溫火災(zāi)探測(cè)器(以下簡(jiǎn)稱探測(cè)器)是一種新型的超長(zhǎng)距離使用的不可  重復(fù)使用的監(jiān)測(cè)環(huán)境溫度變化的消防專利產(chǎn)品，主要由微電腦處理器、感溫電纜、終端盒組成。探測(cè)器  具有良好的環(huán)境適應(yīng)性，能夠近距離或貼近保護(hù)，在各種潮濕、污染、粉塵的消防探測(cè)場(chǎng)所能夠高可靠  地工作，所以被廣泛地應(yīng)用在倉(cāng)庫(kù)、貨場(chǎng)、電纜隧道、車輛隧道、油氣輸送管道、變壓器、皮帶輸送機(jī)  及機(jī)車、配電盤等消防探測(cè)場(chǎng)所。組成探測(cè)器具有定溫報(bào)警功能，特別適用于電纜隧道、電纜橋架、電  纜井內(nèi)的動(dòng)力電纜及控制電纜的火警早期預(yù)報(bào)，可在電廠、鋼廠、化工廠等場(chǎng)合使用。 二、 工作原理及特點(diǎn)探測(cè)器的感溫電纜為溫度敏感元件，由三根分別擠塑熱敏絕緣材料的導(dǎo)線絞合而成，能夠?qū)ρ刂浒惭b長(zhǎng)度范圍內(nèi)任意一點(diǎn)的溫度變化進(jìn)行探測(cè)，再經(jīng)過單片機(jī)微控制器模糊數(shù)學(xué)的計(jì)算方法做  出火警判斷。  其主要特點(diǎn)簡(jiǎn)述如下：  1.感溫電纜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，抗干擾性及抗拉性能強(qiáng)。  2.具有開路、短路兩種故障報(bào)警。  3.微電腦處理器和終端盒外殼采用阻燃材料，抗腐蝕、抗老化。  4.帶手動(dòng)火警和故障模擬功能。  5.探測(cè)器抗干擾能力強(qiáng)，采用隔離檢測(cè)以及軟件抗干擾技術(shù)，可應(yīng)用于強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾的場(chǎng)所。  6.通過輸入模塊的無極性二總線技術(shù)和所有火災(zāi)報(bào)警控制器通訊。  7.接入專用顯示裝置具有報(bào)警定位功能。 

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 紫外光加速老化試驗(yàn)機(jī)|紫外光耐氣候試驗(yàn)箱|紫外老化箱 產(chǎn)品名稱：紫外光加速老化試驗(yàn)機(jī)|紫外光耐氣候試驗(yàn)箱|紫外老化箱 產(chǎn)品售價(jià)： 請(qǐng)咨詢 產(chǎn)品規(guī)格：ZN-P 產(chǎn)品備注：該系列產(chǎn)品適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗(yàn)。 說明： ■ 紫外老化箱產(chǎn)品用途   該系列產(chǎn)品適用于非金屬材料的耐陽光和人工光源的老化試驗(yàn)。 ■ 紫外老化箱箱體結(jié)構(gòu)   箱體采用數(shù)控機(jī)床加工成型，造型美觀大方，箱蓋為雙向翻蓋式，操作簡(jiǎn)便。 箱體內(nèi)膽采用進(jìn)口高級(jí)不銹鋼板，箱體外膽采用A3鋼板噴塑，增加了外觀質(zhì)感和潔凈度。 加熱方式為內(nèi)膽水槽式加熱，升溫快，溫度分布均勻。 排水系統(tǒng)使用回渦型及U型積沉裝置排水，方便用戶清潔。 ■ 紫外老化箱控制系統(tǒng)   采用黑色鋁板聯(lián)接溫度傳感器，采用黑板溫度儀表控制加熱，溫度更穩(wěn)定。 輻射計(jì)探頭采用固定式，無須每次裝卸。 輻射量采用高精度顯示和測(cè)量的專用紫外線輻照計(jì)。 輻射度不大于50W/ m2。 光照和冷凝可獨(dú)立控制可以交替循環(huán)控制。 光照和冷凝的獨(dú)立控制時(shí)間和交替循環(huán)控制的時(shí)間可在一千小時(shí)內(nèi)任意設(shè)置。 ■ 紫外老化箱符合標(biāo)準(zhǔn)   GB/T16422.3-1997 GB/T16585-96    紫外老化箱規(guī)格與技術(shù)參數(shù)   型號(hào) ZN-P 工作室尺寸D×W×H 450×1170×500 支持樣板數(shù)量：150×75約40塊 性能指標(biāo) 溫度范圍 RT＋10℃～70℃ 濕度范圍 ≥95％R.H 燈管間距離 35mm 樣品與燈管距離 50mm 紫外波長(zhǎng) 290nm～400nm UV-A、UV-B、UV-C（定貨時(shí)說明） 燈管功率 40W 溫濕度運(yùn)行控制系統(tǒng) 溫度控制器 進(jìn)口LED數(shù)顯P、I、D+S、S、R.微電腦集成控制器 時(shí)間控制器 進(jìn)口可編程時(shí)間電腦集成控制器（金鐘默勒） 光照加熱系統(tǒng) 全獨(dú)立系統(tǒng)，鎳鉻合金電加熱式加熱器 凝露加濕系統(tǒng) 全不銹鋼淺表面蒸發(fā)式加濕器 黑板溫度 雙金屬黑板溫度計(jì) 供水系統(tǒng) 加濕供水采用自動(dòng)控制 暴露方式 濕汽冷凝暴露，光照輻射暴露 安全保護(hù) 漏電、短路、超溫、缺水、過電流保護(hù)/控制器停電記憶

本發(fā)明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測(cè)器的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明通過簡(jiǎn)單的磁控濺射方法，控制濺射時(shí)間，在ZnO納米棒上生長(zhǎng)不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測(cè)器件不僅具有更好的紫外光響應(yīng)，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時(shí)，明暗電流比為5.5×103，提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，同時(shí)具有更快速的響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間，分別是0.883和0.956s。

以配合物與被檢測(cè)物（農(nóng)殘等有害物）間形成人工配體受體關(guān)系從而實(shí)現(xiàn)對(duì)被檢測(cè)物的分子識(shí)別，同時(shí)它們具有很好的光學(xué)性能即與被測(cè)物分子間相互作用會(huì)產(chǎn)生特異的光譜響應(yīng)，通過納米與酶的復(fù)合物構(gòu)建微芯片可建立對(duì)被檢測(cè)物的“指紋圖譜”，因此，可實(shí)現(xiàn)農(nóng)藥殘留快速檢測(cè)。檢測(cè)結(jié)果具有特異性識(shí)別的“分子指紋圖譜”效果。系統(tǒng)由微陣列芯片、微分析系統(tǒng)、光學(xué)信號(hào)采集、轉(zhuǎn)化系統(tǒng)、信號(hào)的分析處理與顯示系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、微控制系統(tǒng)及數(shù)據(jù)庫(kù)的集成。該系統(tǒng)選擇具有特異性分子識(shí)別作用的卟啉分子，構(gòu)建微傳感陣列，以微傳感陣列與被測(cè)物分子相互

本發(fā)明公開了一種具有圓偏振室溫磷光特性的金屬有機(jī)骨架復(fù)合材料及其制備方法，所述復(fù)合材料由金屬有機(jī)骨架材料和手性分子通過配位鍵組裝形成，所述金屬有機(jī)骨架材料為ZIF?8，所述手性分子為1，1′?聯(lián)?2?萘酚。包括以下步驟：在常溫下將金屬鹽、有機(jī)配體和軸手性分子混合，然后進(jìn)行球磨，經(jīng)洗滌、離心、干燥得到具有圓偏振室溫磷光特性的金屬有機(jī)骨架復(fù)合材料。S型和R型金屬有機(jī)骨架復(fù)合材料在激發(fā)下均呈現(xiàn)了黃色磷光發(fā)射，S型手性復(fù)合材料的壽命為392.2ms，R型手性復(fù)合材料395.2ms。復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的圓偏振室溫磷光性能，發(fā)光不對(duì)稱因子g<subgt;lum</subgt;最大為1.2×10<supgt;?3</supgt;。該制備方法反應(yīng)條件溫和，反應(yīng)迅速，產(chǎn)率高，不需要大量的有機(jī)溶劑，且反應(yīng)過程簡(jiǎn)單，所需要的設(shè)備簡(jiǎn)易，適用于批量生產(chǎn)。本發(fā)明制備的復(fù)合材料在信息安全、商品標(biāo)簽、防偽等方面具有良好的應(yīng)用前景。