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中心通過(guò)“裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新”，創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長(zhǎng)第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效由國(guó)際上報(bào)道的不足10%，提升到了27.9%，結(jié)束了國(guó)際市場(chǎng)上長(zhǎng)期缺乏高光效黃光LED的局面。國(guó)際同行、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二教授高度稱贊這項(xiàng)成果：“硅基黃光LED的技術(shù)水平國(guó)際領(lǐng)先，這是屬于中國(guó)人首次發(fā)明的照明技術(shù)，它有非常大的價(jià)值。”陳良惠院士領(lǐng)銜的12位業(yè)內(nèi)專家，對(duì)

1.痛點(diǎn)問(wèn)題 隨著高端裝備制造、工業(yè)機(jī)器人末端定位、工業(yè)產(chǎn)品尺寸檢測(cè)等領(lǐng)域高速發(fā)展，亟需匹配大量程、高精度、高測(cè)速和基準(zhǔn)可溯源的絕對(duì)距離檢測(cè)能力，現(xiàn)有激光雷達(dá)和激光干涉等測(cè)距手段因其測(cè)量原理和性能限制，均無(wú)法滿足要求。 2.解決方案 本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)十余年的技術(shù)攻關(guān)，成功研制了國(guó)內(nèi)外首臺(tái)具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光頻梳絕對(duì)測(cè)距儀器，實(shí)現(xiàn)了百米級(jí)量程、微米級(jí)精度和千赫茲級(jí)測(cè)速，并應(yīng)用于高精度大尺寸三坐標(biāo)測(cè)量。本項(xiàng)目成果可服務(wù)于飛機(jī)、船舶等裝備制造，工業(yè)機(jī)器人末端定位、工業(yè)產(chǎn)品尺寸檢測(cè)對(duì)高性能空間定位的迫切需求。預(yù)期形成光頻梳絕對(duì)測(cè)距儀和光頻梳三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x等自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品和配套解決方案。 技術(shù)創(chuàng)新： （1）提出基于光頻梳的多外差干涉測(cè)距技術(shù)，解決傳統(tǒng)干涉法難以進(jìn)行高精度絕對(duì)距離測(cè)量的問(wèn)題； （2）提出基于光頻梳絕對(duì)測(cè)距的高精度三坐標(biāo)測(cè)量技術(shù)，解決跟蹤儀絕對(duì)定位能力不足的問(wèn)題。 合作需求 （1）市場(chǎng)資源對(duì)接：有末端定位需求的機(jī)器人公司、有高精度距離和坐標(biāo)測(cè)量需求的智能制造公司； （2）資本對(duì)接：聚焦關(guān)注高端裝備、智能制造、光電產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的一線風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)構(gòu)（非FA機(jī)構(gòu)）； （3）技術(shù)合作：承接國(guó)家和省部級(jí)項(xiàng)目的企業(yè)，在專項(xiàng)中對(duì)精密測(cè)距和高精度坐標(biāo)測(cè)量的需求，可與本團(tuán)隊(duì)聯(lián)合項(xiàng)目攻關(guān)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姌O層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質(zhì)石墨烯膜構(gòu)成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質(zhì)的勻質(zhì)石

提出采用規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)和摻雜來(lái)實(shí)現(xiàn)光場(chǎng)在納米尺度上的精確局域化和調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了單層石墨烯規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)剪裁中紅外電磁場(chǎng)在單原子二維平面的局域分布、波長(zhǎng)與強(qiáng)度調(diào)控。通過(guò)構(gòu)建單層石墨烯規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)，利用邊界對(duì)表面等離激元波的反射，形成多重干涉效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)10.7 μm入射波的光場(chǎng)局域化，并且通過(guò)納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀調(diào)控其空間分布，結(jié)果以封面文章發(fā)表在Light: Science & Applications 2017, 6, e17057上。另外，通過(guò)對(duì)單層石墨烯進(jìn)行硝酸根化學(xué)摻雜，實(shí)現(xiàn)了單層石墨烯表面等離激元強(qiáng)度提高了約2倍、波長(zhǎng)由150 nm提高到了280 nm?還發(fā)現(xiàn)了二維層狀范德華α-MoO3晶體的中紅外雙曲聲子極化激元效應(yīng)，將聲子極化激元體系推廣至半導(dǎo)體。二維層狀α-MoO3晶體具有豐富的光學(xué)聲子模式，該研究揭示了它們能夠與中紅外電磁場(chǎng)進(jìn)行有效地耦合激發(fā)聲子極化激元，從而實(shí)現(xiàn)二維平面上高度的電磁場(chǎng)局域。另外，該研究利用α-MoO3晶體較大的層間間距，通過(guò)金屬離子插層的方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)其聲子極化激元的傳播調(diào)制以及“關(guān)閉”

對(duì)于難降解的有機(jī)高濃度廢水，采用常規(guī)污水處理工藝難以達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)，本發(fā)明，涉及光催化和生物處理協(xié)同作用，與其它處理設(shè)備或構(gòu)筑物相比較，工藝流程短，處理效果明顯提高30％～ 60％，運(yùn)行費(fèi)用降低21％～ 38％。對(duì)于一般性質(zhì)的難以降解的污水，去除率可以達(dá)到90％以上；處理設(shè)備可與多種處理工藝的組合，運(yùn)行方式靈活，節(jié)省工程的投資，減少占地面積。處理水量及對(duì)象：依據(jù)設(shè)備規(guī)模而定；難降解高濃度廢水，如印染廢水，化工廢水出水水質(zhì)：可以達(dá)到國(guó)家排放標(biāo)準(zhǔn)的一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)或更高標(biāo)準(zhǔn)要求產(chǎn)生的污泥量：少

在這種獨(dú)特的vdW p?g?n結(jié)中，互補(bǔ)帶隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夾層、結(jié)內(nèi)形成的垂直內(nèi)置電場(chǎng)的組合為增強(qiáng)的寬帶光吸收、高效的激子分離和載流子轉(zhuǎn)移提供了無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯夾層在增強(qiáng)探測(cè)率和拓寬光譜范圍方面起到關(guān)鍵作用(圖2e)。優(yōu)化的器件(包含5?7層石墨烯夾層)在紫外?可見(jiàn)?近紅外光譜中顯示出超過(guò)2600 A/W的光響應(yīng)度(圖2b)、快的光響應(yīng)速度(圖2c)、高達(dá)1013 Jones的比探測(cè)率 (圖2d)。特別是在1550 nm短波紅外激發(fā)下，其比探測(cè)率也高達(dá)1.06×1011 Jones，可媲美商業(yè)的短波紅外探測(cè)器(譬如非??制冷的Ge-on-Si光電探測(cè)器)。 這些研究結(jié)果為寬帶的超高性能光電探測(cè)器提供了切實(shí)可行的思路，且本研究成果在目前寬光譜光電探測(cè)器件方面以及未來(lái)的柔性的光電子與智能傳感器件方面具有極大的應(yīng)用潛力。

簡(jiǎn)單、實(shí)用，低成本實(shí)驗(yàn)儀器做前沿物理學(xué)研究。

310mm×250mm×280mm，偏振片一對(duì)，不同部位用不同的層數(shù)，顯示不同的彩色。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹