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本發(fā)明提供了一種增強(qiáng)骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞移植后生存能力和血管新生能力的細(xì)胞體外培養(yǎng)基及處理方法，所述的培養(yǎng)基由常規(guī)細(xì)胞培養(yǎng)基中加入終濃度為500～2000μmol/L的DMOG制得；所述方法包括：將經(jīng)傳代培養(yǎng)穩(wěn)定的骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞置于DMOG終濃度500～2000μmol/L的細(xì)胞培養(yǎng)基中，培養(yǎng)24～36小時(shí)，獲得處理后的骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞用于細(xì)胞移植。本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在：通過(guò)DMOG預(yù)處理，可有效提高人骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞的生存能力和管腔形成能力，能提高人骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞移植修復(fù)組織損傷的療效。

本發(fā)明提供了一種面向快充的簡(jiǎn)易鋰離子電池物理動(dòng)態(tài)建模方法，步驟S01：設(shè)計(jì)特性測(cè)試信號(hào)：步驟S02：構(gòu)建歐姆阻抗響應(yīng)模塊：步驟S03：構(gòu)建擴(kuò)散動(dòng)態(tài)壓降模塊；步驟S04：構(gòu)建開(kāi)路電壓查找表模塊：步驟S05：基于鋰離子電池模型共由三部分構(gòu)成，歐姆阻抗動(dòng)態(tài)響應(yīng)模塊、擴(kuò)散動(dòng)態(tài)壓降模塊、開(kāi)路電壓查找表模塊，并對(duì)全電池終端電壓和正負(fù)極進(jìn)行建模。本發(fā)明基于模型模擬了，歐姆阻抗動(dòng)態(tài)響應(yīng)、擴(kuò)散動(dòng)態(tài)壓降、全電池(OCV),隨后對(duì)全電池終端電壓和正負(fù)極進(jìn)行建模，通過(guò)恒流放電實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了負(fù)電極擴(kuò)散行為是低SOC誤差的關(guān)鍵影響因素，并通過(guò)仿真驗(yàn)證了電池模型的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性，為鋰離子電池的快充策略的優(yōu)化提供了可行性依據(jù)。

本實(shí)用新型提供一種氧氣鋼瓶充裝過(guò)程超溫預(yù)警裝置，所述裝置包括數(shù)字溫度采集裝置以及無(wú)線接收裝置，所述數(shù)字溫度采集裝置安裝在待測(cè)氧氣鋼瓶的周圍，并對(duì)應(yīng)每個(gè)氧氣鋼瓶?jī)?chǔ)存有該氧氣鋼瓶的設(shè)備編號(hào);所述數(shù)字溫度采集裝置通過(guò)無(wú)線通信方式將溫度數(shù)據(jù)發(fā)送至無(wú)線接收裝置上使工作人員能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)氧氣鋼瓶溫度情況，并且事故鋼瓶序號(hào)實(shí)時(shí)傳輸?shù)饺耸种械娘@示器上，準(zhǔn)確、高效、無(wú)需人工，節(jié)省人力。

近年來(lái),半導(dǎo)體光源正以新型固體光源的角色逐步進(jìn)入照明領(lǐng)域。由于半導(dǎo)體照明具有高效、節(jié)能、環(huán)保、使用壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、耐振動(dòng)、易維護(hù)等顯著優(yōu)點(diǎn),所以在國(guó)際上被公認(rèn)為最有可能進(jìn)入通用照明領(lǐng)域的新型固態(tài)冷光源。隨著其價(jià)格的不斷降低,發(fā)光亮度的不斷提高,半導(dǎo)體光源在照明領(lǐng)域中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。業(yè)界普遍認(rèn)為,半導(dǎo)體燈取代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈,是大勢(shì)所趨。而半導(dǎo)體發(fā)光二極管（Light Emitting Diode , 簡(jiǎn)稱LED）被認(rèn)為是最有可能進(jìn)入普通照明領(lǐng)域的一種綠色照明光源，按固體發(fā)光物理學(xué)原理,LED發(fā)光效率能近似100 % ,并具有工作電壓低、耗電量小、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間極短、光色純、抗沖擊、性能穩(wěn)定可靠及成本低等優(yōu)點(diǎn),因此被譽(yù)為21 世紀(jì)新光源,有望成為繼白熾燈、熒光燈、高強(qiáng)度氣體放電燈之后的第四代光源。雖然LED具有以上的很多優(yōu)點(diǎn)，但是發(fā)光效率和使用壽命仍是制約其普及應(yīng)用的主要因素。 目前國(guó)內(nèi)大多致力于LED外部封裝結(jié)構(gòu)的研究，而公司里多采用進(jìn)口芯片，如cree芯片，再在現(xiàn)有基礎(chǔ)上進(jìn)行外部封裝結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)。而即便是散熱好，壽命長(zhǎng)，取光效率比較好的封裝結(jié)構(gòu)，國(guó)內(nèi)所能達(dá)到的水平也就是剛剛超出100lm/w。主要原因在于其封裝材料的選擇和封裝結(jié)構(gòu)的不合理性，浪費(fèi)了芯片的出射光，從而降低了取光效率。而國(guó)外LED不僅在外部封裝結(jié)構(gòu)，而且在芯片方向都明顯優(yōu)于國(guó)內(nèi)水平，所以基本壟斷國(guó)內(nèi)LED的市場(chǎng)，尤其對(duì)于功率型白光LED的壟斷相當(dāng)嚴(yán)重。而這些高亮度半導(dǎo)體LED芯片生產(chǎn)技術(shù)掌握在以美國(guó)Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及歐洲的Osram等為首的少數(shù)大公司手中。 現(xiàn)在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能夠取代白熾燈和熒光燈進(jìn)入通用照明市場(chǎng),其光效需要達(dá)到150lm/ W。這一方面要求在芯片的制作上不斷提高LED 的量子效率,同時(shí)還要求在LED 的封裝及燈具的設(shè)計(jì)制作過(guò)程中盡可能提高出光效率?，F(xiàn)有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率較高，LED發(fā)出的光在出射芯片的時(shí)候，有相當(dāng)一部分光被芯片與外界（環(huán)氧樹(shù)脂）的界面反射。本產(chǎn)品是通過(guò)特殊鍍膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%?？梢杂行У脑黾覮ED的使用壽命，達(dá)到2萬(wàn)小時(shí)以上，而且可以使發(fā)光效率達(dá)到120lm/w到160lm/w。擁有這樣長(zhǎng)壽命和高出光效率的白光LED，必將引領(lǐng)整個(gè)照明市場(chǎng)，必將產(chǎn)生豐厚的利潤(rùn)，具有非常好的發(fā)展前景。

近日，東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院青年教師陳旭漫博士在國(guó)際頂級(jí)期刊《Angewandte Chemie（德國(guó)應(yīng)用化學(xué)）》上發(fā)表題為“Efficient Near-Infrared Emissive Artificial Supramolecular Light-Harvesting System for Imaging in Golgi Apparatus”的學(xué)術(shù)論文。 光捕獲過(guò)程作為將自然光進(jìn)行捕獲、能量轉(zhuǎn)化并利用的步驟，是植物光合作用中第一個(gè)也是十分重要的過(guò)程。構(gòu)筑人工光捕獲體系對(duì)于光能的利用具有重要意義，但目前構(gòu)筑具有高效人工光捕獲體系仍存在很大挑戰(zhàn)。 東南大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)利用“杯芳烴誘導(dǎo)聚集”策略，設(shè)計(jì)合成兩親磺化杯芳烴和陽(yáng)離子型萘基吡啶衍生物作為熒光給體在水溶液中自組裝，并引入尼羅藍(lán)作為熒光受體分子，成功構(gòu)筑了近紅外發(fā)射的超分子人工光捕獲體系。 通過(guò)進(jìn)一步研究，團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)該體系在細(xì)胞內(nèi)依然保持很高的光捕獲效率和高度穩(wěn)定性，同時(shí)證明了其對(duì)高爾基體染色的選擇性。該研究對(duì)于人工超分子光捕獲體系傳感、成像、診斷等方面的研究有著重要的推動(dòng)作用。論文第一作者為東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院青年教師陳旭漫，東南大學(xué)為第一通訊單位。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹磁光效應(yīng)系統(tǒng)是研究磁性薄膜、磁性微結(jié)構(gòu)以及樣品磁化強(qiáng)度和樣品各向異性最理想的測(cè)量工具。是一種基于磁光效應(yīng)原理設(shè)計(jì)的超高靈敏度磁強(qiáng)計(jì).具有測(cè)量精度高、測(cè)量時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)?？梢援a(chǎn)生平滑、穩(wěn)定的受控磁場(chǎng)，并且磁場(chǎng)平滑過(guò)零。可以逐點(diǎn)測(cè)量也可以掃描測(cè)量，方便易懂的測(cè)量軟件以及友好的交互界面為測(cè)量提供了有力保障。本套磁光效應(yīng)系統(tǒng)是廣大科研工作者的有利工具.磁光克爾系統(tǒng)功能和特點(diǎn)：測(cè)量靈敏度高，準(zhǔn)確度高。非接觸式測(cè)量，是一種無(wú)損測(cè)量?？梢詼y(cè)量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜?？梢詫悠贩诺秸婵罩性粶y(cè)量?？梢詼y(cè)量同一樣品不同部位的磁化情況。

砷化鎵太陽(yáng)能電池芯片。攻克了芯片外延生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)及產(chǎn)業(yè)化制備和芯片封裝等核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。 密集矩陣式高倍聚光模組：解決了密集矩陣式菲涅爾透鏡設(shè)計(jì)、分布式散熱技術(shù)、模組封裝技術(shù)，  實(shí)現(xiàn)了在低成本的前提下，保證跟蹤系統(tǒng)精度、抗風(fēng)雪能力及長(zhǎng)期可靠性等問(wèn)題。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于偏振光相位調(diào)制的結(jié)構(gòu)光生成裝置。激光器發(fā)出線偏振光的光束入射到半波片上，經(jīng)過(guò)半波片偏振方向旋轉(zhuǎn)角度，再到電光相位調(diào)制器中分解成兩個(gè)偏振分量，被電光相位調(diào)制器調(diào)制產(chǎn)生相位差，接著經(jīng)擴(kuò)束鏡擴(kuò)束后入射到左、右偏振分光鏡拼接后形成的端面中間讓調(diào)制后的光束透過(guò)，然后兩路光束入射到偏振片上僅透過(guò)沿其光軸方向的分量形成一路光束，最終聚焦在聚焦鏡的焦點(diǎn)處發(fā)生干涉。本實(shí)用新型能應(yīng)用到熒光顯微成像上，能獲得更好的熒光信號(hào)信噪比和更強(qiáng)的組織內(nèi)部大深度成像能力。