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中國科學技術大學潘建偉、張強等與濟南量子技術研究院王向斌、劉洋等合作，實現了一套融合量子密鑰分發(fā)和光纖振動傳感的實驗系統(tǒng)，在完成光纖雙場量子密鑰分發(fā)（TF-QKD）的同時，實現了658公里遠距離光纖傳感，定位精度達到1公里，大幅突破了傳統(tǒng)光纖振動傳感技術距離難以超過100公里的限制。

一種基于多相位小波變換和 MTFC 的真彩色圖像融合方法，包括將彩色影像從 RGB 色彩空間轉換 到 IHS 色彩空間;將彩色圖像的亮度分量以及全色影像分別采用兩種初始相位參數 I、II 進行小波分解; 根據自適應融合準則，對彩色圖像的亮度分量以及全色影像采用初始相位參數 I 進行小波分解的結果進 行融合處理，對彩色圖像的亮度分量以及全色影像采用初始相位參數 II 進行小波分解的結果進行融合處 理;進行灰度畸變替換處理;基于 MTFC 復原方法，對經過去畸變處理的亮度成分進行影像復原處理， 得到復原后的亮度分量;對復原后的亮度分量以及彩色影像的色度分量與飽和度分量進行 IHS 反變換， 獲取融合后的影像。

本發(fā)明公開了一種雷達視覺融合扭矩測控系統(tǒng)曲線質量自動判斷方法，包括如下步驟：步驟S1：進行拐點識別；步驟S2：進行疑問圖形判斷；步驟S3：進行特殊扣型與普通扣型判斷；步驟S4：矩陣公式應用。本發(fā)明的方法顯著提高了石油器械作業(yè)效率，減少了人工操作時間，降低了人為因素對判斷結果的干擾，確保了判斷結果的一致性和可重復性。同時，通過實時、準確地識別和分類扭矩曲線，本發(fā)明能夠及時發(fā)現不合格圖形并報警，避免不合格連接進入后續(xù)作業(yè)環(huán)節(jié)，從而有效保障套管連接質量，為石油開采和鉆井作業(yè)提供更加可靠的技術支持。

本發(fā)明涉及顯示技術與人機交互交叉領域，提供基于多模態(tài)融合模型的平板顯示視覺舒適度預測方法、系統(tǒng)，其中方法包括：步驟一、采集原始圖像集，針對每一原始圖像，運用生成對抗網絡模型將輸入的隨機序列轉換為增強素材，再將增強素材和原始圖像按預設比例融合，獲得若干新圖像；步驟二、采集生理特征和物理特征，獲得訓練樣本；步驟三、基于堆疊集成框架訓練多模態(tài)融合模型；步驟四、輸入測試數據，獲得視覺舒適度預測結果。本發(fā)明旨在解決平板顯示視覺舒適度預測領域高質量標注樣本稀缺、單一模態(tài)分析耦合關系缺失、場景適配性差的問題。

本發(fā)明成功將EAMM蛋白和抗原HspX在基因水平進行融合構建了新的融合蛋白EAMMH，并將該不帶標簽的融合蛋白成功進行表達和純化。EAMMH融合蛋白以可溶形式表達，明顯改善了EAMM以包涵體進行表達的狀況。此外，EAMMH蛋白融合了結核分枝桿菌主要的生長期抗原和休眠期抗原，并可誘導較強的針對各期抗原的特異性細胞免疫和體液免疫應答。

多年來東北大學與華為公司在人才、科研、教學、競賽等方面保持著緊密合作。 6月29日，東北大學與華為技術有限公司在主樓824室舉行教育部—華為“智能基座”產教融合協同育人基地簽約儀式。東北大學副校長王建華教授，華為云副總裁、華為云全球Marketing與銷售服務部總裁、東北大學校友石冀琳出席簽約儀式。東北大學團委、教務處、人事處、對外聯絡與合作處等職能部門和相關學院負責人以及參與智能基座課程優(yōu)化的部分教師代表，華為北京研究所、遼寧代表處、2012實驗室、計算產品線的專家參加簽約儀式。 王建華代表學校致辭，對石冀琳一行的來訪表示熱烈歡迎。王建華表示，教育部—華為“智能基座”產教融合協同育人基地項目由未來技術學院承擔，項目的簽約落地必將進一步深化雙方在信息技術領域的全方位合作，構筑更為緊密、可持續(xù)發(fā)展的合作機制與人才培養(yǎng)模式，合作培養(yǎng)更多適應國家戰(zhàn)略、產業(yè)需求、未來發(fā)展的創(chuàng)新型人才。 王建華對于基地的建設提出了三點希望，一是學校要和一流企業(yè)共同瞄準未來技術難題，以育人為本，推動多學科、產學研多方位的融合，培養(yǎng)社會人才；二是在協同育人的基礎上，以華為科技精神和東大信息學科作為紐帶，探索在學術研究、企業(yè)價值等方面進行更加深入的切合雙方特點的合作機制；三是基地建設要著眼于交叉化、全球化、未來化，希望雙方以“智能基座”基地為育人基石，面向全球、著眼未來，建設具有突出特色的“智能基座”育人基地，推動產教融合協同育人的新發(fā)展。 石冀琳表示，多年來東北大學與華為公司在人才、科研、教學、競賽等方面保持著緊密合作。雙方合作建設了“未來技術學院”，共同探索面向未來技術、未來科技所需要的專業(yè)人才的培養(yǎng)之路。“智能基座”是教育部高教司與華為共同設立的產教融合協同育人基地項目，首期覆蓋東北大學在內的全國72所信息領域領先高校，將華為在華為云、鯤鵬、昇騰等技術領域知識與高校信息類專業(yè)課程相結合，為新計算產業(yè)創(chuàng)新培養(yǎng)新生力量。 東北大學未來技術學院院長付俊與華為遼寧代表處云與計算總經理王偉簽署合作協議。王建華與石冀琳為“智能基座”產教融合協同育人基地揭牌。石冀琳和王偉為云與計算先鋒教師和云與計算培訓的教師代表頒發(fā)了聘書和獎牌。 會上，未來技術學院匯報了“智能基座”產教融合協同育人基地的建設情況，華為公司計算產品線高?？蒲屑叭瞬虐l(fā)展部匯報了2021年“智能基座”工作計劃。 據悉，教育部—華為“智能基座”產教融合協同育人基地是東北大學與華為技術有限公司在共建未來技術學院戰(zhàn)略合作協議下深化人才培養(yǎng)的重要內容。雙方將聚焦鯤鵬、昇騰及華為云等技術領域，首批聯合開展22門共建課程，融入華為鯤鵬、昇騰、華為云的知識體系，并在未來技術學院Hero奇點俱樂部、學生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)、課外實習實踐等方面開展緊密合作，為培養(yǎng)引領未來技術發(fā)展的創(chuàng)新型人才注入新動能。

本項目針對礦井瓦斯爆炸早期探測與抑制的技術難題，采用實驗與光譜分析方法，得到了瓦斯爆炸感應器內自由基變化的光學特征及其辨識方法，并以此為基礎，利用量子化學軟件分析瓦斯爆炸微觀動力學過程，得出了瓦斯爆炸感應器內的關鍵基元反應、自由基和其圍觀動力學參數，以及微觀反應與宏觀現象的關系，為瓦斯爆炸抑爆技術提供理論支持，受到國內相關研究人員的普遍認可。項目成果在國內外重要期刊發(fā)表學術論文13篇（9篇已刊出，4篇已錄用），其中SCI源刊1篇，EI源刊5篇（2篇已收錄），CA收錄2篇，CSCD收錄及中文核心期刊5篇，完成碩士學位論文2篇。

我校物理與材料科學學院新組建的天體物理團隊，與中國科學院國家天文臺合作，在太陽暗條感應爆發(fā)研究領域取得新進展。 太陽暗條是懸浮于太陽高溫稀薄大氣中冷而密的等離子體。暗條爆發(fā)是觸發(fā)太陽耀斑和日冕物質拋射等嚴重影響近地空間環(huán)境太陽爆發(fā)事件的重要誘因。多個暗條間的感應爆發(fā)是一種常見的暗條爆發(fā)形式，但是，由于高質量觀測數據積累有限等客觀條件的限制，對于此類暗條爆發(fā)完整過程的觀測報道較為罕見，因此，相應的物理圖像也難以獲得直接的觀測證據支持。近期，安徽大學物理與材料科學學院天體物理團隊張軍、宋志平、汪鵬和中國科學院國家天文臺侯義軍、李婷等人綜合利用空基和地基太陽觀測數據，并借助非線性無力場外推方法，對一個典型暗條感應爆發(fā)事件的完整物理過程進行了詳細研究。從感應爆發(fā)發(fā)生前的磁場位型、發(fā)生時的觀測特征和發(fā)生后的磁場重構等角度構建一個完備的演化證據鏈條，揭示了暗條感應爆發(fā)過程的完整物理圖像，并指出發(fā)生在兩個暗條上覆磁場間的外部磁重聯及其造成的上覆磁場重構觸發(fā)了暗條間的感應爆發(fā)。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態(tài)電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。