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近年來，磁振子電子學在信息計算和信息傳輸領域表現出了極具價值的應用潛力。磁振子電子學利用以磁振子為載體的電子自旋進動來實現信息處理，有望實現無熱量產生、低耗散的信息傳輸，相比于傳統意義上通過操縱電荷來實現信息的處理的微電子學具有無可比擬的巨大優勢。磁振子電子學領域的進展很大程度上依賴于能夠有效傳輸磁振子的新材料的發現，而獲得長距離的磁振子輸運始終是磁振子電子學研究的重中之重。與通常的三維磁性絕緣體（如Yttrium Iron Garnet）相比，二維尺度下的磁振子被理論預言有很多的新穎物理效應，例如自旋能斯特效應，拓撲磁振子，以及外爾磁振子等。 在最新的研究文章中，量子材料科學中心韓偉課題組在二維磁性體系中展開工作并取得了重要進展，觀測到了二維反鐵磁體系中磁振子的長距離輸運。MnPS3晶體是一種層狀反鐵磁材料，利用機械剝離手段得到了二維的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制備了用于測量磁振子輸運的非局域器件，器件結構如圖A所示。器件左側Pt電極通過熱方法來注入磁振子，右側Pt電極探測在二維MnPS3中擴散傳輸的磁振子。在二維反鐵磁MnPS3中，實驗上觀測到了幾微米的磁振子擴散長度。并且從圖B中可以看出，隨著注入端和探測端距離的增加，探測到的非局域信號表現出e指數衰減的形式，跟一維漂移擴散模型的理論模型一致。在此基礎上，他們還系統研究了MnPS3厚度對磁振子弛豫性質的影響。隨著MnPS3厚度從40nm降低至8nm，磁振子弛豫長度由4μm減小到1μm（圖C），這可能是由較薄的MnPS3中較強的表面雜質散射效應導致的。 該文章中的結果具有重要的學術價值：二維材料中的磁振子輸運實現為二維磁性材料在磁振子電子學的應用與發展奠定了基礎，也有望推動磁振子在量子尺度下的新穎量子物理性質研究。圖：二維反鐵磁體系中磁振子輸運研究。（A）二維反鐵磁MnPS3中的磁振子輸運測量結構示意圖。（B）自旋信號R_NL^*隨電極間距的依賴關系，與理論預言的e指數衰減吻合。（C）磁振子弛豫長度隨MnPS3厚度的依賴關系。 該工作于2019年2月7日在線發表于物理學術期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。該工作由韓偉研究員設計和指導完成，北京大學量子材料科學中心2015級博士生邢文宇為文章第一作者，物理學院2015級本科生邱露頤為第二作者（今年9月份將去哈佛大學讀博士），韓偉研究員為文章通訊作者。本工作的順利完成得到了量子材料科學中心賈爽教授和謝心澄院士的合作幫助，以及國家重大科學研究計劃、國家自然科學基金、中國科學院戰略性先導科技專項的支持。

本發明涉及半導體復合材料的制備，旨在提供一種球狀微米二氧化錫負載微米、納米銀顆粒材料的制備方法。包括：將質量NaOH溶液加入SnCl4·5H2O溶液中進行水熱反應，反應產物離心分離，并以去離子水和乙醇洗滌，烘干，即得到球狀微米二氧化錫；將球狀微米二氧化錫加入至AgNO3水溶液中，以銀材質的陰極和陽極插入至混合物中進行電鍍；電鍍時，傾斜電鍍容器并使其沿中心軸旋轉，讓混合物保持攪動狀態；混合物抽濾棄濾液，抽濾產物烘干，即得到最終產物。本發明采用電鍍技術提高球狀微米二氧化錫的功能性質并且擴大其應用范圍；該復合材料中，微米、納米銀顆粒均勻地負載于球狀微米二氧化錫上，銀顆粒的粒徑可控，分散度高，能夠節約材料，可應用于電接觸材料領域。

通過溶劑熱方法，成功制備出一種層間距寬化并富有缺陷的1T-VS 2 納米片，展現出優異的電催化析氫性能。由于有機溶劑分子以及在反應過程中產生的銨離子等的插層作用，該溶劑熱法制備出的VS 2 納米片層間距寬化至1.0 nm，比塊體VS 2 材料的層間距（0.575 nm）增加了74%。層間距的寬化引起晶格的畸變而引入眾多的缺陷，豐富的缺陷賦予VS 2 納米片更多的活性位點，層間距的寬化還進一步改變了VS 2 材料的電子結構，從而使得該VS 2 納米片具有更加優化的氫吸附自由能（? G H ）。HER測試結果表明，該VS 2 納米片呈現出優異的電催化性能，具有較小的塔菲爾斜率（36 mV dec ?1 ）、具有較低的過電位（-43 mV@10 mA cm ?2 ）和良好的穩定性（60 h）。此外，通過第一性原理計算的結果表明，層間距寬化的VS 2 具有更優化的? G H （-0.044 eV），媲美貴金屬Pt(如圖3 ). 。并且，層間距的寬化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。這里，理論計算結果和實驗相一致，較好地證明了通過層間距和缺陷的精細調控，可以有效提升二維材料的電催化析氫反應活性, 揭示了層間距和缺陷結構調控對提升電催化析氫的基本原理。此項研究工作為層狀二維材料的晶體和缺陷結構精準調控研究提供了新思路，為開發高性能電催化析氫材料研究打開了一扇新窗戶。

瓜形扁圓，皮色黑綠間白斑，種子少，肉厚 3cm 左右，單瓜重達 1.8 千克以上，肉色金黃，淀粉含量高，口感甜面，品質佳，適于加工，早熟，生育期少于 110 天，適于露地栽培，較抗白粉病，畝產量達 2000 公斤以上。

“宇花 2 號”是高產、耐鹽大花生品種，以花育 22 號為材料，通過誘變技術和定向篩選獲得的高產、耐鹽大花生品種，該技術已獲授權國家發明專利“一種花生離體誘變定向篩選耐鹽體的方法”。 “宇花 2 號”在 2015 年山東省花生區試大花生組莢果和籽仁產量名列第一名，比對照花育 25 號增產 13.2%。近三年在東營鹽堿地試驗，表現出較強的耐鹽性，在含鹽量 0.3%左右的鹽堿地，畝產莢果超過 850 斤，比花育 25 號增產 25%以

一代雜交種。植株高約 110 厘米左右，株幅 95 厘米左右，門椒著生節位 10～12 節。果實粗羊角形，果長 12～15 厘米，果肩徑 2.5～2.8 厘米，果皮光滑、嫩果綠色，干椒紫紅，果實內皮紅色，干椒色價值 13～17，微辣。 果實自然晾干速度較快，干椒果實外形、紅色度和亮度俱佳，色素含量高，抗病性好，適于辣椒色素萃取加工。產量表現：在 2013 年全省干制辣椒品種區域試驗中，平均畝產干椒 376.0公斤，比

紅翠2號是從重慶地方臍橙優良品種鳳園72-1中選出的晚熟芽變，具有果形美觀、整齊、顏色深橙、果 皮光滑、果大等優良外觀品質，又有肉質細嫩化渣、甜酸適口、風味濃郁、出汁率高、無有枯水等優良食用 品質，其成熟期在3月一5月，豐產穩產,抗逆性強，綜合品質優良，是一個極具發展潛力的晚熟臍橙品種。 可以在奉節海拔300-500米處及生態氣候相當的地區推廣發展。本成果適宜在奉節及三峽庫區海拔500米以下區域發展，無嚴格生產條件，規模化產業化推廣應用需要 1000萬元左右投入,主要是苗木繁育及果園基礎建設。

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