葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本發(fā)明公開了膠體NiO納米晶的制備方法，將羧酸鎳、保護配體、醇或胺和有機溶劑混合，惰性氣氛下攪拌并抽真空；將反應器中的混合物加熱到100～350℃，反應后經(jīng)冷卻、沉淀劑沉淀、提純處理，得到所述的膠體NiO納米晶；所述羧酸鎳的通式為：(R1-COO)2Ni，所述保護配體的通式為(R2-COO)nM，其中，R1與R2獨立地選自H、C2～C30的烴基或芳基，所述Mn+與羧酸根結合形成的羧酸鹽的反應活性低于羧酸鎳，n為羧酸根數(shù)。本發(fā)明還公開了所述制備方法得到的純相膠體NiO納米晶，具有易于低溫溶液工藝成膜、功函數(shù)高等優(yōu)點，有望應用于有機薄膜太陽能電池、有機發(fā)光二極管、量子點發(fā)光二極管等諸多領域。

本發(fā)明公開了一種鐵基非晶合金磁性材料及其制備方法。該合金材料的化 學分子式為：(Fe100-aCoa)x-Dyy-Bz-Siw，式中的x，y，z，w為原子百分數(shù)：60≤x ≤75，5≤y≤25，20≤z≤25，0≤w≤10，0≤a≤10，且x+y+z+w＝100。該合金 的制備過程如下：將工業(yè)純金屬原料以及FeB合金按合金配方配料，采用真空 感應熔煉成母合金，然后用單輥甩帶法制得非晶薄帶。本發(fā)明具有較好的玻璃 形成能力，且軟磁性能優(yōu)良。所需的原材料大多為工業(yè)純度，從而降低了成本， 同時制備工藝簡單，可廣泛應用于結構材料和磁性材料等方面。

基于半導體異質結概念，首次通過工藝簡單，成本低廉熔融鹽法合成一系列鉭酸鈣基半導體異質結復合材料，發(fā)現(xiàn)了兩元及多元半導體復合物組分及其含量可通過改變前驅物比例簡單調控，證明該異質結復合物相，組分變化與光催化制氫性能有著密切關系，闡明不同鉭酸鈣晶相界面異質結形成促進光生電荷有效分離機制，極大地提高光催化制氫性能。

鋁合金結晶組織的微細化會顯著提高鋁材的強韌性、組織均勻性、致密性、 耐蝕性、加工工藝性和表面質量等，并減少偏析和裂紋等諸多鑄造缺陷。目前， 國內外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中間合金來細化晶粒，但 Al-Ti-B 中間合金 126 的形核襯底質點 TiB2 本身的直徑大小在 0.5-3.0μm，而且往往以較大的聚集團 形式存在，如此大的顆粒團在加入到鋁合金中后會帶來一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中間合金細化效果不穩(wěn)定，易衰退，難以滿足鋁制品產(chǎn)品質量的要 求。 Al-Ti-C 中間合金之所以細化效果不穩(wěn)定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶體存在較多碳空位，從而使之失穩(wěn)，且隨 TiCx中碳空位數(shù)量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原來的完全共格逐漸轉變?yōu)椴煌耆?格。因此，減少 TiCx中的碳空位是提高其結構穩(wěn)定性和生核效率的關鍵。 研究表明，無空位的 TiC 是鋁的有效生核襯底，在接近凝固點的鋁熔體中， Al 原子能夠依附于其周圍形成一個完全共格的有序區(qū)，最終促進 α-Al 生核和鋁 晶粒細化。經(jīng)過長期的研究和探索發(fā)現(xiàn)，TiCx 中的碳空位可以被原子半徑較小 的 B、N 等原子填充，最終形成摻雜型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，從而降低 空位濃度并提高異質生核能力。 B 摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金中含有大量直徑在 1μm 以下（亞微米）的 TiCxB1-x 晶核襯底粒子，且彌散分布，當將該中間合金以微量（0.15%左右）加 入到待細化的鋁及其合金熔體中后，立即釋放出大量的亞微米級的摻雜型 TiC 晶核，從而使待細化鋁合金的晶粒組織得到顯著細化甚至超細化（指晶粒直徑 在微米級）。因此，采用摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金對鋁熔體進行晶粒細化處理 將是鋁加工行業(yè)又一次重要的技術進步。

本實用新型公開了一種鋁基非晶薄帶收卷裝置，包括固定底座，所述支撐操作臺頂部的兩側均固定連接有限位機構，所述支撐操作臺頂部靠近左側的位置固定連接有表面除雜裝置，所述支撐操作臺頂部且位于表面除雜裝置的右側固定連接有表面吹干裝置，所述固定底座頂部且位于支撐柱的右側固定連接有收卷固定架，所述收卷固定架的頂部轉動連接有收卷滾輪，本實用新型涉及鋁基非晶技術領域。該鋁基非晶薄帶收卷裝置，達到了薄帶收卷開始階段便于固定收卷，保證薄帶收卷傳輸過程中不出現(xiàn)偏移褶皺現(xiàn)象，保證薄帶表面的光滑度，不被劃傷，從而提高光潔度和磁

電脈沖可以顯著改變材料微觀結構演化路徑和擴展材料微觀結構的特征參數(shù)范圍；為材料加工和新材料的制備提供了新的廣闊空間。電脈沖退火快速強化亞微米純鋁，短時間電脈沖退火降低拉錯密度且不引起晶粒尺寸增大，液氮下電脈沖處理可以析出致密的納米析出相，提升材料性能。

該技術通過分子設計和環(huán)境友好的水解反應，利用頂角-戴帽法和官能團剪裁等手段制備帶有多種可反應性基團的中空籠型納米材料。材料具有質輕、透氣、超低介電常數(shù)、耐熱、易加工、可溶解性、生物相容性等特性，體現(xiàn)了不同于傳統(tǒng)納米材料的優(yōu)點，與聚合物有非常好的相容性和分散性。這類有機－無機雜化材料實現(xiàn)了將有機材料的耐熱性能和高強度與有機高分子材料的加工工藝簡單完美結合的目的。 籠型倍半硅氧烷與高分子聚合物的相容性良好，基本可以達到分子級均勻分散，這是普通無機填料無法達到的，得益于籠型倍半硅氧烷分子具有有機部分，既使在惰性基團取代籠型倍半硅氧烷中也可以與有機基體實現(xiàn)良好的相容行為。同時，材料的耐熱性能指標（如玻璃化轉變溫度，5%質量損失熱降解溫度）均有大幅度提高，這是因為籠型倍半硅氧烷的Si－O骨架部分提供了優(yōu)異的抵抗熱沖擊性能，此外，還可以利用多官能化籠型倍半硅氧烷進行交聯(lián)反應實現(xiàn)三維交聯(lián)結構，以進一步提高耐溫性能。另外，籠型倍半硅氧烷可以作為各種催化劑和其他功能性材料的載體，在拓寬這些功能材料使用溫度的同時提高其某些性能，如提高電致發(fā)光材料的發(fā)光效率和發(fā)光純度，提高催化劑的催化效率和選擇性。 可以預見，隨著各個交叉學科領域的不斷擴展，籠型倍半硅氧烷作為典型的有機-無機雜化材料的優(yōu)異性能將會引起人們越來越濃厚的研究興趣。 粒子尺寸：1.5～3nm；溶解性：根據(jù)官能團不同，可溶解于有機溶劑或水；顏色：白色；耐熱性：熱分解溫度在250℃以上。可用于耐高溫材料、航空航天材料、復合材料、超低介電材料、塑料及纖維改性、功能高分子材料、特種涂料、生物材料等制備。在高附加值材料領域，應用前景廣闊。項目投資300～400萬。

由青島農(nóng)業(yè)大學與臨沭縣東泰機械有限公司聯(lián)合研制成功。能 一次性完成挖掘、輸送、去土、摘果、分離、清選及集果等作業(yè)。該機能夠適 應倒伏花生的扶禾，其扶禾率可以達到 95%以上；研制的雙簧自動漲緊夾秧機構， 無需人工調節(jié)，在工作中自動緩沖漲緊，穩(wěn)定性好；研制的對輥差相半喂入摘 果機構，動力消耗少，秧蔓完整，摘凈率可以達到 99.5%，果實無破碎；成功研 制的清選機構，降低了發(fā)動機的動力消耗，果實清潔，潔凈率達到 95%以上。經(jīng) 山東省農(nóng)業(yè)機械試驗鑒定站檢測主要性能指標達到或超過了任務書的要求。并 經(jīng)農(nóng)業(yè)部組織專家鑒定認為，整機主要性能指標達到國際先進水平。項目具有青島農(nóng)業(yè)大學科技成果介紹 2017 －64－ 廣闊的推廣前景。 

本發(fā)明公開了一種面向工控系統(tǒng)信息安全防護的半實物演示驗證平臺及方法；該平臺包括依次相連的物理層、控制層和監(jiān)控層；物理層用于構造并顯示虛擬的物理對象模型，并在控制層的控制指令的控制下模擬運行物理對象模型，生成實時現(xiàn)場數(shù)據(jù)；控制層用于根據(jù)物理層上傳的生產(chǎn)實時數(shù)據(jù)與監(jiān)控層下發(fā)的統(tǒng)一調度指令，根據(jù)內嵌的信息安全防護算法生成控制指令；監(jiān)控層用于根據(jù)控制層上傳的系統(tǒng)實時運行數(shù)據(jù)和控制指令生成統(tǒng)一調度指令，實現(xiàn)對實際生產(chǎn)過程進行實時的監(jiān)測與控制

通過電輸運、掃描隧道譜、比熱、抗磁性等系統(tǒng)的實驗研究并結合第一性原理計算，在摻硫的第二類拓撲外爾半金屬二碲化鉬單晶中發(fā)現(xiàn)了非平庸超導態(tài)的特征。實驗中所使用的硫摻雜的高質量二碲化鉬晶體是通過化學氣相輸運的方法合成的，摻雜比例約為0.2。 首先通過準粒子干涉實驗與第一性原理計算相結合，在樣品表面探測到了費米弧拓撲表面態(tài)的存在。最后通過掃描隧道譜學和比熱的測量對比，發(fā)現(xiàn)樣品表面態(tài)的超導能隙遠大于體態(tài)的超導能隙，而且該樣品表面態(tài)的能隙與臨界溫度的比值（Δ/kBTc）約為8.6，遠大于常規(guī)超導材料的能隙與臨界溫度的比值（約為1.76），表明了表面態(tài)具有非常規(guī)超導庫珀對配對機制，極可能是拓撲超導的普適特征。然后通過電輸運測量和比熱測量，發(fā)現(xiàn)這種材料為s波超導體，且它的超導能隙的帶間耦合很強，超導對稱性應為s+- 對稱性。這可能是繼鐵基高溫超導之后，又一種新的s+-超導體。而且根據(jù)理論預言，拓撲外爾半金屬中s+-對稱性的超導態(tài)會形成拓撲超導態(tài)。摻硫的第二類拓撲外爾半金屬二碲化鉬單晶中拓撲超導特征的發(fā)現(xiàn)，證實了外爾半金屬中實現(xiàn)拓撲超導的可行性，推動了拓撲超導相關領域的進一步發(fā)展，也為拓撲量子計算機的最終實現(xiàn)奠定了前期的科研基礎。圖一. 電磁輸運實驗觀測到的s+- 超導的證據(jù)，揭示拓撲超導的可能性。 (A) 電磁輸運實驗的測量示意圖。 (B) 超導轉變溫度附近的電阻率-溫度關系。(C) 各個溫度和磁場下的電阻率。(D) 超導上臨界磁場和溫度的關系。紅色的線是兩帶超導模型的擬合曲線，擬合結果發(fā)現(xiàn)帶間耦合比較大，表明該超導行為是s+- 超導。圖二. 掃描隧道顯微鏡觀發(fā)現(xiàn)表面態(tài)的超導能隙遠超過體態(tài)的超導能隙，揭示出拓撲超導的可能性。(A) 4 K和0.4 K下樣品表面的微分電導dI/dV譜。在0.4 K下，超導能隙是1.7 meV，遠大于體態(tài)的超導能隙，且能隙與臨界溫度的比值約為約為8.6，遠大于常規(guī)超導材料的能隙與臨界溫度的比值（1.76）。4 K時樣品處于非超導態(tài)。(B) 0.4 K超導dI/dV譜和各向同性BCS超導譜的對比。(C) 0.4 K時，不同磁場下的超導dI/dV譜，超導能隙被外加磁場所抑制。