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QR-3型碳硫聯測分析儀
產品詳細介紹QR-3型碳硫聯測分析儀主要技術參數：1、測量范圍：碳：0.01-6.00% 硫：0.003-2.000% 2、測量精度：符合GB223.69-2008，GB223.68-1997標準3、測量時間：45秒主要特點： 1、氣體容量法定碳，碘量法定硫。2、采用國際先進的傳感技術微機技術，使用進口傳感器、直讀碳、硫含量、徹底消除人為視覺誤差。3、精度高：碳可精確至0.01%，硫可精確至0.0001%。4、預留電腦接口，便于儀器升級。
南京第四分析儀器有限公司
2021-08-23
碳硫聯測分析儀QR-5型
產品詳細介紹 碳硫聯測分析儀QR-5型產品介紹： 碳硫聯測分析儀QR-5型是我公司研發生產的一款最新型的全自動電腦碳硫聯測分析儀器。儀器采用計算機技術、傳感技術，是依據國家標準氣體容量法和碘量法所研制成功的最新一代鋼鐵分析儀器，適用于鋼、鐵及其他材料中的碳、硫元素分析。碳硫聯測分析儀QR-5型特點簡介：一、操作簡單方便1、碳硫測定均為全自動,采用氣體容量法定碳，碘量法定硫。高碳、低碳均可直接顯示，不需換算。兼容碳硫分析儀的所有功能。2、電腦控制工作流程，性能穩定可靠，經電腦數據處理后，由屏幕直接顯示，打印其結果，可保存日期，爐號及結果等原始檔案。且操作簡單，具有良好的人機對話界面。二、容量大1、碳硫元素可同時保存八條標樣曲線，測試結果長時間大容量保存，且可任意查詢分析數據。三、分析速度快穩定1、產品采用電子天平與微機連接，實現了碳硫分析儀的不定量稱樣，提高了分析速度。2、儀器的關鍵部位—微壓傳感器，特別選用進口品牌，保證了儀器的測量精度、儀器的穩定性和使用周期。3、儀器擁有專利技術的控制電極，確保了儀器工作程序的可靠性。碳硫聯測分析儀QR-5型技術參數：測量范圍+：碳：0.010~6.000% 硫：0.003~2.0000%測量時間：45秒左右（不含取樣、稱樣時間）測量精度：符合GB223.69-2008，GB223.68-1997標準。(如改變測試條件，該范圍可相應擴大)如果你想了解更多關于QR-5型全自動電腦碳硫聯測分析儀分析儀資料信息，和其他儀器可瀏覽 http://www.nsfcn.com/index-14.asp
南京第四分析儀器有限公司
2021-08-23
大顆粒狀速溶食品（菊花晶和金銀花晶）的開發及產業化
菊花晶和金銀花晶具有清熱去火的功效，目前市售的菊花晶和金銀花晶主要 以粉末狀的形態存在，外觀形狀較差，且溶解時所需的時間較長。本項目開發的 菊花晶和金銀花晶顆粒較大，溶解性較好。 溶解時間：熱水中 3 s 以內全部溶解，不使用食品添加劑。 效益分析： 菊花和金銀花中的有效成分具有清熱去火等諸多功效，將其從菊花和金銀花 中提取出來制備成菊花晶和金銀花晶可以提高食用的方便。此外，將菊花晶和金 銀花晶與奶粉同時食用，可以有效降低嬰兒食用奶粉時引起的上火等問題。因此， 開發具有良好外觀形態和溶解性的菊花晶和金銀花晶具有較強的市場競爭力。
江南大學
2021-04-11
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
III-V族半導體合金體系熱、動力學計算機輔助分析系統
III-V族半導體合金體系熱、動力學計算機輔助分析系統建立并完善了含Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元體系的III-V族合金化合物半導體熱力學數據庫，使之成為當前國際上數據資源相對豐富、可靠程度高的專業型數據庫。在此基礎上，應用該計算機輔助分析系統，可采用統一的成分空間表達方式，將覆蓋四元半導體整個成分空間的光電性能（能量間隙或波長）、與相應襯底匹配的成分條件、以及各種溫度下發生溶解間隙的成分范圍，投影于一平面，構成III-V族半導體體系綜合優化圖，用以對金屬有機物氣相外延工藝進行輔助分析、確定滿足優質半導體生長的成分空間、預測外延層半導體的成分等。同時，該系統還發展了非平衡過程分析研究方法：亞穩平衡處理、條件平衡處理和不可逆過程分析處理等，這些方法有助于III-V族半導體液相外延、氣相外延和金屬有機物氣相外延工藝過程的熱力學分析。 該項目面向光電子材料和器件的研制與生產 III-V族半導體合金體系熱、動力學計算機輔助分析系統，目前主要是作為應用研究，服務于有關光電子材料和器件的研制與生產過程中工藝條件的輔助設計，以促進III-V族半導體液相外延、氣相外延和金屬有機物氣相外延工藝逐步從經驗設計邁向科學設計，在相關領域的高技術產業化方面起積極作用。 Al-Ga-In-N-P-As-Sb-C-H等多元體系的III-V族合金化合物半導體熱力學數據庫；瑞典皇家工學院Thermo-Calc相平衡熱力學計算軟件。
北京科技大學
2021-04-11
低成本納米微晶陶瓷制備技術
本項目開發了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術。它采用天然礦物和工業廢渣來取代高溫燒結法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優點。開發的原位受控晶化技術不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數量和結晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。
湖南大學
2021-04-10
全自動激光晶圓劃片機系統
電路是以晶圓為載體，采用一定的工藝，把電路中的元器件和布線制作在晶圓片上，封裝為 一個整體，使晶圓上每個晶粒成為具有所需電路功能的微型結構。晶圓切割的過程是將集成有 電路的整片晶圓通過劃切分割成單個的晶粒，切割過程又是一種無法恢復的過程，因此，材料 和制造成本的積累以及工藝的不可重復性決定了切割工藝成為整個集成電路制造過程中最關鍵 和難度最大的工藝環節。 精密機械：可加工的晶圓最小直徑可達50mm，在晶圓里面印刷有晶格，每個晶格的寬度 為200μm，晶格間距約為20μm，所以設備的切割精度要求控制在2μm以內，每小時切割15片。 運動平臺采用高精度的直線電機平臺，定位精度為2μm，重復定位精度為1μm；旋轉平臺的定 位精度為30″，重復定位精度為4″。 計算機自動控制：劃片機系統將根據客戶要求以及配合視覺檢測系統傳輸的晶圓數據，自 動生成切割路徑，在規定的工作時間內完成晶圓的切割。
華東理工大學
2021-04-11
低成本納米微晶陶瓷制備技術
本項目開發了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術。它采用天然礦物和工業廢渣來取代高溫燒結法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優點。開發的原位受控晶化技術不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數量和結晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。
湖南大學
2021-02-01
氧化鋁微晶陶瓷磨料磨具
本項目以溶膠凝膠技術為基礎，輔以其他技術手段，在技術及產品質量指 標上完全達到了世界上最先進的諾頓（法國圣戈班）、3M 公司的水平，實現工 業化生產后，可以打破國外的技術封鎖和產品壟斷，并解決國內關鍵加工行業 受國外制約的困難，從而提升國內整體的機械加工水平。
山東大學
2021-04-13
非線性光學準晶超構表面
提出并制備了非線性光學準晶超構表面，并研究了超構單元局域對稱性和排布方式的全局對稱性對超構表面遠場非線性光輻射的共同影響。該非線性光學準晶超構表面運用了基于非線性光學貝里幾何相位的金屬等離激元結構單元，依據經典的彭羅斯準周期拼接和具有六重對稱性的六角準周期拼接形成了不同種類的準晶結構。彭羅斯結構的準周期拼接具有五重對稱性，其衍射圖案則具有十重對稱性，這些都是晶體衍射定理所不允許的對稱性。而六角準周期拼接是2017年提出的一種準周期拼接，它具有晶體衍射定理所允許的六重對稱性，卻并不遵從短程有序的規律。這兩種拼接方式可以與某些特定的比例聯系起來，這些比例由不同階次的迭代規則決定：彭羅斯結構對應一階迭代過程，其比例是人們熟知的“黃金分割比”，而六角準周期晶格對應三階過程，其比例可稱為“黃銅分割比”。自六角準周期晶格從理論上提出以來，本項工作中的非線性光學準晶超構表面是首個利用黃銅分割比實驗實現的人工光學結構。? 非線性光學準晶超構表面中不同轉向的超構單元對入射基頻光的響應是均勻的，因此其線性光學衍射僅能反映超構表面的全局對稱性，即晶格結構決定其遠場光衍射。而在倍頻實驗中，即出射光的頻率是入射光的兩倍（如1200nm 變為600nm）。由于打破了超構單元的中心反演對稱性并引入了非線性光學幾何相位，其非線性光學衍射與晶格結構的局域對稱性、全局對稱性同時相關。因此，可以通過調控超構單元的指向分布，進而有效地調控倍頻光衍射中的零級。非線性光學準晶超構表面這一概念或將為設計超構表面非線性光源、人工微納光學結構材料提供新的思路。
南方科技大學
2021-04-13