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一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種激光打印機高質量文字輸出的二位半色調方法
本發明公開了一種激光打印機高質量文字輸出的二位半色調方法，以用戶輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調幅閾值矩陣做第一次對比，生成只有兩種曝光狀態的半色調文件。第二次對比前先取特 征邊緣點，然后待打印文件相應位置的灰度值與灰度等級的中值做第二次對比，生成四種曝光狀態的半 色調文件。最后根據半色調文件控制半曝光激光打印機進行輸出。本發明有效地改善在輸出時文字邊緣 的顯示效果，二位半色調方法調整效果顯著。
武漢大學
2021-04-14
二氧化硅中空微球的產業化生產與結構調控關鍵技術
本團隊采用新型結構導向技術來實現亞微米和納米二氧化硅中空微球的溶膠凝膠法和沉淀法高濃度制備，能夠滿足大規模工業生產的需要，并能對其納米殼層結構進行精準調控，為相關功能材料的性能設計提供合成技術基礎。現有二氧化硅中空微球制備技術的投資成本高、設備生產率低、控制難度大，無法在工業規模上對其特有的納米結構進行精準調控，嚴重限制了中空微球在高端產業中的應用。本團隊基于全新的中空結構導向技術，在間歇反應釜中通過溶膠凝膠法和沉淀法實現中空微球的高密度、大批量生產，具有設備生產率高、微球結構規整、壁厚可控、容易復合改性等優點，突破了中空微球規模化生產的技術瓶頸。通過改變導向劑分子結構和生產工藝微調，可在 50-400 納米范圍內對中空微球的壁厚進行精準調控，使其對不同波長的光信號產生各種響應，并能通過控制中空和多孔結構調節比表面積、導熱系數、阻尼特征、機械強度等性能，滿足不同功能材料領域的要求。該技術還可以實現脂溶性物質或納米顆粒與二氧化硅的復合，制備出具有功能多樣性的復合中空微球， 如將氧化錫銻（ATO）與二氧化硅中空微球復合，可制備兼具紫外光、可見光、近紅外反射和隔熱功能的復合中空微球保溫填料。
華南理工大學
2023-05-09
廣元市第七屆教育科研優秀成果二等獎
獲廣元市第七屆教育科研優秀成果《廣元市地震災區教師信息技術能力現狀調查與分析》二等獎。
川北幼兒師范高等專科學校
2015-01-14
中國科學技術大學在二維材料固態自旋色心研究中取得新進展
我校郭光燦院士團隊在二維范德瓦爾斯材料固態自旋色心領域取得重要進展。該團隊李傳鋒、唐建順研究組與匈牙利魏格納物理研究中心AdamGali教授等人合作，實驗研究并理論解釋了六方氮化硼（hexagonalboronnitride，hBN）中帶負電硼空位（VB-）色心受磁場調制的自旋相干動力學行為，揭示了hBN中VB-色心電子自旋與核自旋之間的相干耦合和弛豫機制，對發展基于二維范德瓦爾斯材料的相干自旋系統及低維量子器件具有重要意義。
中國科學技術大學
2022-10-17
一種提高二氧化鈦光激發氣敏性能的方法及裝置
本發明公開了一種提高二氧化鈦光激發氣敏性能的方法及裝置， 該方法是在光氣敏傳感器工作過程中，通過對材料薄膜進行加熱調控 （50℃-70℃），使氣敏材料表面物理吸附水減少，從而對環境濕度不 敏感；其次，表面保留的化學吸附水在紫外光照下產生的自由羥基， 以及由低溫加熱下產生少量熱激發誘導的光、熱聯合激發的協同效應， 可大幅度提高其響應恢復速度。裝置包括材料基片、光激發源、光激 發控制模塊、溫度控制模塊、信號調理模塊、計算
華中科技大學
2021-04-14
利用三嵌段聚合物合成具有光學性能的大孔二氧化硅材料
該方法首次利用自組裝的技術合成出大孔具有光學性能的二氧化硅材料，突破了用表面活性劑為模板很難合成出大孔徑材料的瓶頸，并且由于材料本身規則的孔結構結合二氧化硅本身的折射率產生肉眼可見的顏色，該合成方法技術成熟，重復性好，具有可操作性，該材料在光學器皿元件上有潛在的應用價值。
上海理工大學
2021-01-12
１，１－二吡唑甲烷雙核錳聚合物及其原位脫羧合成方法及應用
本發明公開了一種１，１?二吡唑甲烷雙核錳聚合物，還提供了該化合物的制備方法及催化應用。本發明具有工藝簡單、成本低廉、化學組分易于控制、重復性好并且產量高，催化效果優良等優點。
東南大學
2021-04-14
可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法
本發明公開了一種可實現純紫外發光的ＺｎＯ基異質結發光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質結，構成完整的器件。本發明在藍寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結晶度，提高電學性能，有效消除晶體質量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結區的剩余電子，增加ＺｎＯ區載流子復合效率，實現純ＺｎＯ紫外發光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質結發光二極管，發光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學
2021-04-11