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一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素?fù)诫s鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽(yáng)極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對(duì)一氧化碳 有較好的響應(yīng)。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性 能優(yōu)異。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述 內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內(nèi)電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒 結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種半密封式固體氧化物燃料電池陰極的測(cè)試夾具
本發(fā)明公開(kāi)了一種半密封式固體氧化物燃料電池陰極的測(cè)試夾 具；包括固定部分、活動(dòng)部分和底座；固定部分包括用于通氣的內(nèi)管、 用于排氣的外管、套筒以及用于收集電流的第一鉑線和第一鉑網(wǎng)；活 動(dòng)部分包括連接管，位于內(nèi)管與外管之間，且與外管同軸設(shè)置；底座 包括陶瓷管、端蓋、第二鉑線、第三鉑線、第二鉑網(wǎng)和第三鉑網(wǎng)；第 二鉑線與第二鉑網(wǎng)連接，第三鉑線與第三鉑網(wǎng)連接，第一鉑網(wǎng)與待測(cè) 樣品的工作電極即陰極連接，第二鉑網(wǎng)與待測(cè)樣品的對(duì)電極
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種激光重熔掃描碳化物彌散增強(qiáng)鋁合金的快速制造方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種激光重熔掃描碳化物彌散增強(qiáng)鋁合金的快速 制造方法，包括以下步驟：(1)在計(jì)算機(jī)上建立零件三維模型，然后將 所述零件三維模型轉(zhuǎn)成 STL 格式并導(dǎo)入到激光選區(qū)熔化成形設(shè)備中； (2)將鋁合金粉末和碳化物粉末混合，然后采用球磨機(jī)進(jìn)行球磨混合均 勻；(3)將球磨后的混合粉末轉(zhuǎn)移到激光選區(qū)熔化成形設(shè)備里，在惰性 氣體保護(hù)下，根據(jù)三維模型數(shù)據(jù)對(duì)混合粉末進(jìn)行成形；(4)采用線切割 工藝將成形的零件從所述基板上分離
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種短纖維增強(qiáng)熱固性樹(shù)脂復(fù)合產(chǎn)品的 3D 打印制造方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種短纖維增強(qiáng)熱固性樹(shù)脂復(fù)合產(chǎn)品的 3D 打印制 造方法，包括以下步驟：1)制備適用于選擇性激光燒結(jié) 3D 打印技術(shù)的 復(fù)合粉末；2)采用選擇性激光燒結(jié)技術(shù)成形具有孔隙的形坯；3)將形坯 放入液態(tài)熱固性樹(shù)脂前驅(qū)體中進(jìn)行浸滲后處理：3.1)配制粘度在 100mPa·s 以下的液態(tài)熱固性樹(shù)脂前驅(qū)體；3.2)將形坯浸入液態(tài)熱固性 樹(shù)脂前驅(qū)體中，讓形坯的上端露出液面，以使形坯孔隙中的氣體排出； 4)從液態(tài)熱固性樹(shù)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法， 包括多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串，每一個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個(gè)分立的電荷存儲(chǔ)層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個(gè)電荷存儲(chǔ)層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開(kāi)了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種直流激勵(lì)磁場(chǎng)下的非侵入式快速溫度變化的測(cè)量方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種直流激勵(lì)磁場(chǎng)下的非侵入式快速溫度變化測(cè)量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測(cè)對(duì)象處；(2)對(duì)所述鐵磁性粒子所在區(qū)域施加直流磁場(chǎng)使所述鐵磁性粒子達(dá)到飽和磁化狀態(tài)；(3)獲得待測(cè)對(duì)象在常溫下的穩(wěn)態(tài)溫度 T1，根據(jù)所述穩(wěn)態(tài)溫度 T1 計(jì)算出鐵磁性粒子的初始自發(fā)磁化強(qiáng)度 M1；(4)當(dāng)待測(cè)對(duì)象發(fā)生溫度變化后，測(cè)量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強(qiáng)度變化信號(hào)的幅值 A，根據(jù)所述磁化強(qiáng)度變化信號(hào)的幅值 A 計(jì)算得到
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于微流控芯片粒子捕獲式的單粒子散射測(cè)量方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測(cè)量 方法，包括微流控芯片的設(shè)計(jì)制作、測(cè)量環(huán)境配置、對(duì)準(zhǔn)、單粒子的 捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建以及單粒子大角度的散射分布的測(cè)定等相關(guān) 方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于結(jié)合了微流控芯片粒子捕獲技術(shù)，克服 了單粒子的大角度散射、大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的光散射特性測(cè)量方法的不足， 實(shí)現(xiàn)了單粒子大角度散射分布的測(cè)量
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于光學(xué)散射測(cè)量的基于擬合誤差插值的庫(kù)匹配方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于光學(xué)散射測(cè)量的基于擬合誤差插值的庫(kù)匹配方法，包括：確定樣品待測(cè)結(jié)構(gòu)參數(shù)的變化范圍并對(duì)其執(zhí)行離散化處理，將所獲得的離散網(wǎng)格點(diǎn)及其對(duì)應(yīng)理論光譜值儲(chǔ)存到光譜庫(kù)中；獲得待測(cè)樣品的測(cè)量光譜并計(jì)算出離散網(wǎng)格點(diǎn)對(duì)應(yīng)的測(cè)量光譜值與理論光譜值之間的擬合誤差，然后將其同樣儲(chǔ)存到光譜庫(kù)中；為擬合誤差設(shè)定閾值并執(zhí)行粗搜索，利用搜索出的擬合誤差所對(duì)應(yīng)的離散網(wǎng)格點(diǎn)來(lái)構(gòu)建候選參數(shù)集，并對(duì)擬合誤差執(zhí)行多維插值處理獲得相應(yīng)的擬合誤差插值函數(shù)；基于擬合誤差插值函數(shù)細(xì)搜索找出全局最優(yōu)點(diǎn)，其所對(duì)應(yīng)的參數(shù)值即為最終確定的
華中科技大學(xué)
2021-04-14