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一種含雙饋風電機組的電力系統(tǒng)故障電流計算方法
本發(fā)明公開了一種考慮雙饋風電機組勵磁調節(jié)特性的電力系統(tǒng) 故障電流值計算方法，包括 S1 建立雙饋風電機組受勵磁調節(jié)特性影響 的等效受控電流源模型；S2 建立電力系統(tǒng)的正序阻抗矩陣、負序阻抗 矩陣和零序阻抗矩陣； S3建立不同故障類型下的故障點邊界條件方程； S4 進行迭代計算獲得雙饋風電機組的受控電流源值； S5 根據(jù)雙饋風電 機組的受控電流源值、以阻抗矩陣表征的電網節(jié)點電壓方程以及故障 點邊界條件方程獲得當前迭代計算時各節(jié)點的各序電壓值，并計算實 際節(jié)點的電壓值；S6 獲得當前迭代計算的節(jié)點實際電
華中科技大學
2021-04-14
一種水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)的優(yōu)選方法
本發(fā)明公開了一種水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)優(yōu)選方法，用于在水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng)中對 PID 控制參數(shù)進行優(yōu)選。根據(jù)水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng)建立仿真模型，然后依據(jù)該仿真系統(tǒng)建立以水輪發(fā)電機機端電壓和參考電壓為狀態(tài)量的目標函數(shù)，運用本發(fā)明設計的優(yōu)選方法求解目標函數(shù)得到最優(yōu) PID 控制參數(shù)。本發(fā)明設計的水輪發(fā)電機組勵磁系統(tǒng) PID 控制參數(shù)的優(yōu)選方法，采用一種新型啟發(fā)式優(yōu)化算法優(yōu)化目標函數(shù)，能搜索到更小的目標函數(shù)值，得到的解代表更優(yōu)的 PID 控制參數(shù)。更優(yōu)的 PID 控制參數(shù)能使水輪發(fā)電機組勵
華中科技大學
2021-04-14
一種抗黑條矮縮病載體及抗黑條矮縮病轉基因水稻培育
本成果提供了一種包含特定 RNAi 片段的可有效控制水稻黑條矮縮病的專用載體，將該載體轉入水稻獲得的轉基因水稻對黑條矮縮病毒近乎免疫， 生長全程均不需要采取對該病毒病的任何防治措施。
揚州大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構 成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本 發(fā)明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電 極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學
2021-04-14
一種針對偏振光束與磁光材料作用下偏振態(tài)時間分辨譜的檢測 系統(tǒng)
本發(fā)明屬于偏振檢測設備領域，并公開了一種針對偏振光束與 磁光材料作用下偏振態(tài)時間分辨譜的檢測系統(tǒng)，該檢測系統(tǒng)包括高壓 脈沖發(fā)生器、火花隙、電光 Q 開關、連續(xù)激光器、飛秒激光器、聚光 透鏡、第一偏振棱鏡、第二偏振棱鏡和偏振測量儀；連續(xù)激光器用于 產生連續(xù)激光；第一偏振棱鏡用于使所述連續(xù)激光的 P 偏振光通過； 飛秒激光器產生的脈沖激光可打開電光 Q 開關，從而讓所述測量光束 依次穿過電光 Q 開關、第二偏振棱鏡后和磁
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導體區(qū)域以及圍繞半導體區(qū)域的四層包 裹結構；半導體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結構；四層包裹結構從里到外依 次為隧穿電介質層、電荷存儲層、阻隔電介質層以及控制柵電極；阻 隔電介質層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學
2021-04-14
一種雙碟片串接的泵浦光多程傳輸系統(tǒng)及碟片固體激光器
本發(fā)明公開了一種雙碟片串接的泵浦光多程傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng) 包括第一離軸拋物面反射鏡，第一直角反射鏡組，其位于所述第一離 軸拋物面反射鏡的反射光路上；第一碟片激光晶體，置于第一離軸拋 物面反射鏡焦點處；球面反射鏡，第二離軸拋物面反射鏡，其與所述 第一離軸拋物面反射鏡相對于過所述球面鏡球心的平面α對稱設置； 第二直角反射鏡組，其位于所述第二離軸拋物面反射鏡反射光路上； 第二碟片激光晶體，其與所述第一碟片激光晶體相對于過所述
華中科技大學
2021-04-14
一種 H.264/AVC 中 4x4 子宏塊的并行幀內預測方法
本發(fā)明公開了一種 H.264/AVC 中 4x4 子宏塊的并行幀內預測方 法，包括以下步驟：統(tǒng)一幀內預測公式、參考值數(shù)組、參考位置表和 并行幀內預測的具體執(zhí)行步驟，統(tǒng)一幀內預測公式是根據(jù) CUDA 和幀 內預測計算公式的特性改進而成的，通過將 9 種預測模式對應的預測 公式變換成一個計算公式，滿足了 CUDA 多線程單指令多數(shù)據(jù)流的需 求，實現(xiàn)了幀內預測子宏塊中細粒度并行，參考值數(shù)組及參考位置表 是為了配合統(tǒng)一幀內預
華中科技大學
2021-04-14
一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方法
本發(fā)明公開了一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方 法，包括以下步驟：（1）將丙烯酸酯單體與液晶均勻混合，制得液晶 -丙烯酸酯溶液；加入去離子水，調節(jié) pH 值在 1 至 2 之間；然后加入 表面活性劑，均勻混合后形成乳濁液；（2）向其中添加二氧化鈦前驅 體，通過水解縮合反應，生成納米二氧化鈦顆粒，均勻分散于混合液 中；（3）向其中加入硅烷偶聯(lián)劑，進行硅烷偶聯(lián)改性，制得含表面改 性納米二氧化鈦的液晶-丙烯酸酯
華中科技大學
2021-04-14
一種克服高頻點突變耐藥、高成藥性的抗EGFR西妥昔單抗突變體
EGFR（表皮生長因子受體）是一種重要的腫瘤靶點，與多種惡性腫瘤的發(fā)生和發(fā)展有關。西妥昔單抗作為靶向EGFR的單克隆抗體藥物在轉移性結直腸癌的治療中具有重要地位，其安全性和有效性已在臨床上得到廣泛驗證，已從三線治療藥物躍居至一線治療藥物。
然而，在用藥過程中EGFR胞外區(qū)耐藥點突變的產生大大限制了西妥昔單抗的療效，其中一些高頻點突變如S492R、G465R可使西妥昔單抗完全失去結合EGFR的能力，患者用藥后獲益大打折扣。當前臨床上仍缺乏有效的抗體新藥應對EGFR胞外區(qū)點突變介導的西妥昔單抗耐藥問題。
因此，探索高效率的抗體藥物開發(fā)策略用于開發(fā)能夠有效逆轉EGFR胞外區(qū)點突變耐藥的抗體新藥，并應對臨床上越發(fā)頻現(xiàn)的因靶標受體發(fā)生點突變而導致的耐藥是迫切需要解決的臨床問題。
研究團隊針對行業(yè)痛點開發(fā)了計算機輔助設計的抗體快速定向進化技術，發(fā)現(xiàn)西妥昔單抗可變區(qū)上的一個或兩個點突變即可逆轉多種EGFR的獲得性點突變耐藥，西妥昔單抗突變體可完全恢復對耐藥點突變受體的結合能力，同時保留原有抗體的其他生物學功能（如CDC、ADCC），從而以最小改動最大限度保留了抗體突變體的成藥性。該技術為臨床上獲得性點突變耐藥提供了高效率解決方案，可極大加快抗體新藥研發(fā)進程。
浙江大學
2023-06-20