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強度和韌性的“倒置關系”是材料研究領域長期存在的難題。大量的實驗表明，隨著金屬材料內部晶粒尺寸的降低，在強度獲得提升的同時，韌性將大打折扣。目前，廣泛采用的高強材料韌化策略有：（1）改變組分，通過引入和調整材料的多種主要元素，同時激活多種塑性變形機制，高熵合金材料就是采用這種思路；（2）改變微結構，在材料內部引入一種或多種梯度分布的微結構，避免由于特征長度突變帶來的性能突變，有效克服金屬材料強度和韌性的失配問題，這種材料被稱為梯度納米結構材料。 圖1 梯度結構金屬材料的類型（摘自：李毅，梯度結構金屬材料研究進展，中國材料進展，2016, 35: 658-665）人工制備的梯度納米金屬結構主要包括以下幾種：梯度晶粒，梯度位錯，梯度孿晶，梯度固溶物，梯度相，以及包含兩種以上的梯度混合結構。在已經發展成熟的金屬材料內部引入梯度納米結構，可以進一步提高其強韌性匹配能力。例如，通過表面研磨處理（SMAT）在孿晶誘發塑性（TWIP）鋼表面引入大量的塑性變形，使其表面晶粒細化，隨著深度的增加，晶粒細化的程度逐漸降低，同時塑性變形也會導致位錯演化和孿晶的產生，因此在TWIP鋼內部形成了包含梯度晶粒，梯度位錯和梯度孿晶的梯度混合結構。這種梯度納米結構TWIP鋼的強度可以提升50%，斷裂應變僅從60%下降到52%，具有更高的強韌性匹配能力。目前，關于梯度納米結構TWIP鋼的研究集中于實驗，反映物理機制的本構模型研究還鮮見報道。西南交通大學力學與工程學院張旭教授與德國馬普鋼鐵所、中國鋼鐵研究總院等機構開展合作，指導博士生陸曉翀發展出考慮位錯滑移和變形孿晶等物理機制的微結構尺寸相關晶體塑性本構模型。依托DAMASK平臺將該模型移植有限元，并對梯度納米結構TWIP鋼的單軸拉伸變形行為展開模擬，揭示了其微結構演化與宏觀性能之間的關系，量化了不同梯度結構對材料強韌性的貢獻。相關研究工作已在金屬材料與固體力學交叉領域頂級期刊《International Journal of Plasticity》上在線發表，論文題目為Crystal plasticity finite element analysis of gradient nanostructured TWIP steel。 論文鏈接： https://doi.org/10.1016/j.ijplas.2020.102703作者首先使用不同晶粒尺寸Fe-15Mn-2Al-2Si-0.7C (wt.%) TWIP鋼的單拉實驗數據驗證該模型的合理性，結果表明該模型對不同尺寸下的應力應變響應和應變強化行為都可以較好地描述，特別是細晶TWIP鋼硬化率曲線中的up-turn效應。通過對內變量演化的分析及對比性模擬，作者發現這種up-turn效應源自于細晶中顯著的背應力。 圖2 對比不同晶粒尺寸TWIP鋼的單拉實驗和模擬結果由于梯度納米結構TWIP鋼的微結構十分復雜，晶粒數目眾多，通過采用三維均勻化方法，建立了宏觀試樣尺寸的有限元模型。通過對每層單元賦予不同的晶粒尺寸，初始位錯密度和孿晶體積分數，離散地描述材料內部微結構的梯度分布，并通過梯度網格劃分方法進一步減少單元數目。對于材料表層微結構變化劇烈的區域，采用密度較高的網格，以保證更加精確地描述微結構的梯度變化。 圖3三維均勻化方法示意圖作者利用發展的晶體塑性模型，對均勻和梯度納米結構的Fe-10Mn-0.5C-3Ni (wt.%) TWIP鋼的單拉變形行為進行模擬。結果表明，在合理描述均勻結構TWIP鋼應力-應變響應的基礎上，通過引入微結構的梯度分布，無需修改任何參數就可以較好地描述梯度納米結構TWIP鋼的單拉力學行為。通過對比變形云圖，作者發現均勻和梯度納米結構TWIP鋼的表面都會變的粗糙不平，但梯度納米結構的表面粗糙度更加明顯，產生的應變局域化形成了兩個凹陷區，且凹陷區在垂直于平面方向也會發生收縮。隨著深度的增加，收縮程度逐漸降低。通過對比性模擬，作者發現表面凹陷區的出現就是梯度納米結構TWIP鋼韌性略微下降的原因。而應變局域化的產生與表面納米層晶粒的應變強化能力有關，提高表面納米晶的硬化能力，就可以抑制表面凹陷區的出現和韌性的下降。此外，作者通過分析不同層位錯密度的演化，進一步證實了上述觀點。作者還通過對比性模擬量化了不同梯度結構對材料強韌性的貢獻。結果表明：強度的提升源于梯度位錯結構，梯度晶粒和梯度孿晶結構有助于保持材料的應變強化能力。 圖4 均勻結構和梯度納米結構TWIP鋼的模擬結果對比分析。

一種用于單晶生長裝置的結晶區溫度梯度調節器,由保溫隔熱材料制作的座板和保溫隔熱材料制作的動板組成;座板上設置有一底部為平面的凹槽,凹槽的中心部位開設有大于坩堝套外徑的通孔I,凹槽的環面上開設有調溫孔I;動板的形狀和徑向尺寸與座板上設置的凹槽相匹配,動板中心部位開設有與通孔I尺寸相同的通孔II,動板環面上開設有調溫孔II,調溫孔II與調溫孔I形狀、尺寸、數量、間距相同;動板放置在座板所設置的凹槽中,其與凹槽為動配合,座板固定在坩堝下降法單晶生長裝置爐體上。此種調節器結構簡單,使用方便,調節單晶生長爐結晶區溫度梯度時靈敏度高,使結晶區溫度梯度可在大范圍內調整,易于獲得窄溫區、大溫梯的溫場分布。

本發明設計了一種基于磁梯度自愈合防腐涂層的制備方法，屬于金屬防腐涂層領域。基于磁梯度自愈合防腐涂層的制備方法，其特征在于，向涂層中添加包封緩蝕劑的磁性納米顆粒，在涂層制備過程中通過施加外部磁場，使磁性納米顆粒在涂層中呈縱向梯度分布，近金屬表面的納米顆粒濃度高，該方法制備工藝簡單，安全環保，降低了的智能納米容器或功能性高分子微球的使用量，提高了常規自愈合涂層的防腐效果。

本發明公開了一種基于位移差分的 MEMS 重力梯度儀。包括第一振子單元和第二振子單元；前者包括第一外圍框架和與第一外圍框架通過第一組梁連接的第一檢驗質量，后者包括第二外圍框架和與第二外圍框架通過第二組梁連接的第二檢驗質量，第一組梁和第一檢驗質量構成第一機械振子，第二組梁和第二檢驗質量構成第二機械振子，第一振子單元和第二振子單元相向正對設置，第一機械振子和第二機械振子的敏感軸位于同一直線上，第一檢驗質量上的電容陣列與第二檢驗質量上的電容陣列構成位移檢測電容，通過位移檢測電容測得檢驗質量的位移差進而得到

本發明公開了一種 SIFT 特征向量梯度直方圖多通道更新電路，使用 16 個八維四更新的直方圖組來取代 1 個 128 維 16 更新的直方圖，每一個八維四更新的直方圖代表同一空間位置的 NBO 方向維度的子特征值向量。所述電路包括：第一三線性插值模塊、第二三線性插值模塊、方向地址仲裁模塊、第一至第十六四通道更新仲裁模塊、第一至第十六八維四通道更新直方圖模塊。本發明的電路硬件面積開銷僅占傳統128維16更新的直方圖電

產品詳細介紹JHS-200F教學專用移頻無線功放是新一代教學擴聲設備，無線話筒收發采用2.4GHz頻段，數字加密傳輸，接收頻率可分80頻點，只需將相鄰教室的接收頻點分開，幾百臺設備就可以在同所學校同時使用，接收機頻率不變，發射機靠近后自動對頻，真正做到一機全通用，老師攜帶發射機到任何教室都能正常使用。無線話筒發射器內置充電鋰電池 ，充滿連續工作8小時，設計多種充電方式，配備專用充電座，方便充電管理。設備內置反饋嘯叫處理模塊，能夠有效的抑制擴聲嘯叫，話筒拾音距離達到30-50CM不嘯叫，方便老師手持、或懸掛在頸部使用。

產品詳細介紹  TCS208F采用先進的MEMS加工技術生產，利用被測組份和參考氣體的熱導系數不同而響應的濃度型傳感器。產品具有檢測范圍大、可靠性高、安裝方便、維護簡單等優點?？蓮V泛應用于天然氣，CH4、H2，CO2，CO，SF6，Xe，He，NH3等氣體成份檢測，也可用于測量非常小的氣體容積變化。 測量精度高                             靈敏度高                               集成溫度補償，漂移小                   體積小，響應速度快                     可以測量微小的氣體容量                 高性價比                               TO8封裝，抗沖擊能力強                                     詳細介紹： 1.       最大限值                                最小 典型 最大 單位 熱功率P（Rm1+Rm2）： — — 30 mW 測量溫度Tm — — 180 °C 環境溫度 -20 — +85 °C 氣體壓力（1） — — 200 bar 注：由于膜的熱時間常數短，短時間的加過高的熱功率會毀壞傳感器。 2.       參數說明：     最小 典型 最大 單位 電阻，Rm1，Rm2（Tm=25°C） 92 100 115 ? 電阻，Rt1，Rt2 220 240 275 ? 商，Rtx / ( Rm1+Rm2 )，x∈{1,2} 1.13 1.2 1.27 1 阻抗差，Rm1 - Rm2 -2.0 — +2.0 ? α=溫度系數，( Rm, Rt ) | 20 - 100°C 4.8（2） 5.5 5.9 10-3·K-1 G =幾何系數（3） — 3.6 — mm τm =膜的熱時間常數 — <5 — ms τdiffusion =氣體交換的時間常數 — <100 — ms 漂移( Rxy ) | x∈{m,t} ; y∈{1,2} — 0.001 0.01 %/week 散射結構的體積 — 0.2 — mm3 保持干凈的周圍環境空間大小 — 100 — mm3 基礎材料 硅,采用蝕刻技術獲得微觀結構 尺寸結構: 包括底座          不包括底座 3mm × 3mm × 1mm 13mm ? × 15.4mm 暴露在空氣中的材料 Si, SiOxNy, 金, 環氧材料 注釋: (1) 根據供應商的說明書對于適當的設備提供的壓力參數 (2) α的最小值只適用于與低規格電壓輔助源結合的情況. 產品會不斷的改良使它更接近于DIN 43760的規格. (3) 因數G是由內部的傳感器的機構決定的. 傳感器的機械測試: 振動: 符合IEC 68-2-6 附錄B (1982) 10圈,±1.5mm; 20g; 10..2000Hz; 1階/分鐘 沖擊: 符合IEC 68-2-27 修正#1 (82年10月),徑向和軸向各10次, 100g; 7.5ms / 300g; 2.5ms / 900g; 1.2ms.