一種磷硅鎘單晶體的生長方法與生長容器

新材料及其應用

一種磷硅鎘單晶體的制備方法，以富磷CdSiP2多晶粉末為原料，工藝步驟為：（1）生長容器的清洗與干燥；（2）裝料；（3）將裝有生長原料并封結的雙層坩堝放入三溫區管式晶體生長爐，然后將生長爐的高溫區和低溫區以30~60℃/h的速率分別升溫至1150~1180℃、950~1050℃，并保持該溫度，繼后調節梯度區的溫度，使溫度梯度為10~20℃/cm，當所述生長原料在高溫區保溫12~36h后，控制雙層坩堝以3~6mm/day勻速下降，當雙層坩堝下降到低溫區并完成單晶生長后，使其停止下降，在低溫區保溫24~72h，保溫時間屆滿，將高溫區、梯度溫區、低溫區的溫度同時以20~60℃/h降至室溫。一種單晶體生長容器，由內層坩堝和外層坩堝組成，內層坩堝與外層坩堝之間的環形腔室內加有調壓用CdSiP2多晶粉末。

未應用