葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

|
華中科技大學
華中科技大學 教育部
  • 74 高校采購信息
  • 3296 科技成果項目
  • 0 創新創業項目
  • 0 高校項目需求

一種在 SOI 硅片上制備微機械懸空結構的方法

2021-04-14 00:00:00
云上高博會 http://www.74jv82s.xyz
點擊收藏
所屬領域:
其它領域
項目成果/簡介:

本發明公開了一種在 SOI 硅片上制備微機械懸空結構的方法。對懸空結構及其固定結構采用不同的槽寬設計,其中,固定結構的槽寬明顯大于懸空結構,寬槽底部經刻蝕首先到達或更加接近 SiO2 層,再通過各向同性干法刻蝕使窄槽底部相互連通并與窄槽下方的 Si 層分離,將窄槽間的梁釋放,形成具有平整底面的懸空結構,同時去除固定結構與懸空結構連接區底部的 Si 以及固定結構與其它結構之間的區域底部的 Si,使得固定結構與窄槽下方的 Si 層及其它結構隔離,從而使不同的固定結構間相互絕緣。本發明的方法簡單有效,能廣

項目階段:
未應用
會員登錄可查看 合作方式、專利情況及聯系方式

掃碼關注,查看更多科技成果

取消
大发888官网网址| 现金百家乐官网信誉| 百家乐专用| 百家乐官网路的看法| 鸿胜娱乐城| 兴国县| 百家乐官网娱乐城网址| 迪威网上娱乐| 察隅县| 百家乐官网平台信誉| 百家乐官网象棋玩法| 百家乐官网永利赌场娱乐网规则| 星期八百家乐的玩法技巧和规则| 威尼斯人娱乐城可靠吗| 鸿宝娱乐| 投注平台出租| 百家乐官网的出千手法| 百家乐官网投注技巧建议| 狮威百家乐官网娱乐网| 娱乐城百家乐怎么样| 百家乐游戏机在哪有| 百家乐赢谷输缩| 永利高平台| 肃宁县| 百家乐官网天上人间| 百家乐摇色子网站| 现金百家乐赌法| 百家乐官网从哪而来| 百家乐官网自动下注| 没费用百家乐分析器| 皇家赌场| 百家乐官网必胜课| 威尼斯人娱乐城官方网| 中国百家乐官网游戏| 首席百家乐官网的玩法技巧和规则| 网络赌博游戏| 百家乐园天将| 皇室百家乐官网娱乐城| 百家乐d博彩论坛| 大发888娱乐平台| 百家乐官网最佳投注法下载|