本發(fā)明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法。復合
電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜;其中,
Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發(fā)生 Ni 原子與 Cu 原子的
相互擴散形成,Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3~10)。本發(fā)明避免了石
墨烯轉移過程和圖形化過程對石墨烯質量的破壞,減少了石墨烯缺陷
的數(shù)目,通過調整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度,采用分段
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