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IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor，集成門極換流晶閘管）是在晶閘管（SCR）和門極可關斷晶閘管（GTO）基礎上發展起來的一種大功率半導體開關器件。

IGCT由門極換流晶閘管GCT（Gate Commutated Thyristor）和集成門極驅動單元共同組成。由于集成門極驅動單元承擔了所有驅動、控制和保護的任務，使用者只需要提供電源和光纖控制信號，就可以簡單地實現對IGCT器件開通關斷的控制。

北京交通大學電氣工程學院自2004年開始開展IGCT集成門極驅動技術的研究，成功研制了4000A/4500V不對稱型和1100A/4500V逆導型IGCT器件集成門極驅動單元，在國內率先掌握相關核心技術并完成了產品的試驗測試，已申請相關專利5項，擁有IGCT集成門極驅動技術的完全自主知識產權。在科技部科技支撐計劃項目的支持下，北京交通大學電氣工程學院正與國內多家企業合作，積極開展國產IGCT器件應用技術的研究，共同推進自主大功率電力電子器件的產業化進程。