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新型FinFET?器件工藝

2021-01-12 00:00:00
云上高博會 http://www.74jv82s.xyz
關鍵詞: FinFET
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所屬領域:
新一代信息技術
項目成果/簡介:

已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規FinFET 漏電降低1 個數量級,

驅動電流增大2 倍,驅動性能在低電源電壓下達到國際先進水平。由于替代了傳統

的源漏SiGe 外延技術,與極小pitch 的大規模FinFET 器件的兼容性更好,有助于

降低制造成本,提高良品率,具有很高的技術價值。

項目階段:
小批量或小范圍應用
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