主要配置包括SEM、拉曼、EBSD和EDS 1、 SEM 1.1 電子光學 1.1.1 電子發射源： 肖特基型熱場發射電子源，每個發射電子源質保2年。 *1.1.2 分辨率 二次電子像分辨率≤0.9nm （15kV），≤1.2 nm （1kV） 背散射電子像分辨率≤2.0nm （30kV） 1.1.3 加速電壓 調整范圍：0.05-30 kV,調整步長≤100V 1.1.4 最大束流強度不小于400 nA，連續可調 1.1.5 放大倍數范圍: 4-2,000,000倍，粗、細調模式連續可調 1.2 樣品室 *1.2.1 樣品腔內部不小于340mm*380mm，高度不小于300mm 1.2.2 在樣品室上提供不少于20個附件接口。 1.3 樣品臺 1.3.1 五軸全自動馬達驅動 1.3.2 X方向不小于240 mm，Y方向不小于145mm，Z方向不小于48mm，傾斜角度不小于﹣3°到70o，可360o 連續旋轉，樣品臺最大載重不小于到4Kg。需采用搖籃樣品臺設計以保證樣品臺Z軸精度 1.4鏡筒內至少配置2個獨立探測器，樣品室內需配置至少2個獨立探測器。樣品室內二次電子探測器，支持普通ETD模式以及TOPO-BSE成像模式 2、拉曼 2.1、單次面掃描范圍不小于250 um*250 um*250 um，定位精度好于2 nm； 2.2、電鏡內共聚焦拉曼成像空間分辨率：XY方向優于500 nm（532 nm激光），Z方向優于1500 nm（532 nm激光），可以實現電鏡內共聚焦拉曼2D和3D成像； 2.3、激光波長包括532 nm與457nm，激光功率≥20mW，可連續調節激光功率，精度好于0.1mW，拉曼低波數好于150 cm-1； 2.4、光譜儀焦長≥ 600 mm，光譜分辨率優于1.5 cm-1，光譜重復性優于0.02 cm-1，在電鏡內拉曼共聚焦靈敏度：硅三階峰信噪比好于20:1；采用電鏡內收集物鏡，積分時間總計300 s； 2.5、背照式高端低噪音CCD，量子效率好于90% ； 3、EDS 3.1、探測器：芯片面積≥80mm2，有效面積≥60mm2，探測器探指直徑≤18.2mm； 3.2、能量分辨率：在130,000CPS條件下Mn-Ka保證優于129eV，輕元素分辨率C-K/57eV, F-K/67eV； 4、EBSD 4.1、EBSD相機：高速高靈敏16bit高端CCD相機， 640×480像素，在10pA下可采集到清晰菊池花樣； 4.2、花樣采集速度：945花樣/秒@8×8binning，630花樣/秒@4×4binning，并且在低至4kV時可采集到清晰菊池花樣，角分辨率達到0.1°； 采購標數量：1 采購標的服務： 質保期：貨到驗收合格之日起 12 個月。