多場(chǎng)耦合磁電光電測(cè)試平臺(tái)包括多功能高分辨磁光克爾顯微成像系統(tǒng)與極端低溫強(qiáng)磁電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)。其中，多功能高分辨磁光克爾顯微成像系統(tǒng)主要配置包括磁光克爾顯微鏡、高靈敏度CMOS相機(jī)、克爾圖像處理軟件、氣浮式隔振光學(xué)平臺(tái)、面內(nèi)磁場(chǎng)液氮變溫系統(tǒng)、微秒級(jí)超快磁場(chǎng)模塊、控制系統(tǒng)及軟件。1. 磁光克爾顯微鏡 1.1. 帶有一套面內(nèi)磁鐵，常溫下磁場(chǎng)強(qiáng)度≥1.4T，低溫環(huán)境下磁場(chǎng)強(qiáng)度≥1T；雙極性霍爾探頭可以實(shí)時(shí)反饋和閉環(huán)精確控制磁場(chǎng)，磁場(chǎng)控制精度優(yōu)于1 μT，手動(dòng)精密位移樣品臺(tái)（XY面內(nèi)平移和±5°旋轉(zhuǎn)）；2. 高靈敏度CMOS相機(jī) 2.1. 該相機(jī)的滿像素幀率≥4幀/sec；2.2. 該相機(jī)的分辨率≥1920(H)x1080(V)； 3. 克爾圖像處理軟件 3.1. 實(shí)時(shí)與背底圖片作差增強(qiáng)克爾圖像效果，能夠消除圖像漂移，自動(dòng)增強(qiáng)對(duì)比度，添加比例尺；3.2. 能夠多張圖片做平局以增強(qiáng)顯示效果；4. 氣浮式隔振光學(xué)平臺(tái) 4.1.平臺(tái)平面度≤0.1mm/m2；4.2. 平臺(tái)的粗糙度≤1.6μm。 5. 面內(nèi)磁場(chǎng)液氮變溫系統(tǒng) 5.1. 可實(shí)現(xiàn)變溫范圍77-400K；5.2. 磁場(chǎng)的精確度±50mK。6. 微秒級(jí)超快磁場(chǎng)模塊 6.1.最大磁場(chǎng)50mT；6.2. 上升特征時(shí)間0.5μs。 7. 控制系統(tǒng)及軟件 7.1. 面內(nèi)磁鐵波形發(fā)生及控制，磁場(chǎng)信號(hào)的監(jiān)測(cè)/顯示，磁場(chǎng)信號(hào)與克爾圖像采集時(shí)序關(guān)系控制，根據(jù)克爾信號(hào)繪制全局/微區(qū)的磁滯回線。 極端低溫強(qiáng)磁電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)主要配置包括低溫探針臺(tái)主機(jī)、溫控裝置、顯微單元、磁場(chǎng)單元、樣品臺(tái)、水冷機(jī)、分子泵，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體及半導(dǎo)體功率器件IV、CV特性測(cè)試，配備2.5T垂直磁場(chǎng)（采用超導(dǎo)螺線管）和10K低溫，可在不同的磁場(chǎng)、溫度和電流下根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算出電阻率、霍爾系數(shù)、載流子濃度和霍爾遷移率。 1. 低溫探針臺(tái)主機(jī) 1.1 溫度范圍要求：10K-500K； 1.2至少四個(gè)直流探針臂（預(yù)留光纖接口）； 2. 溫控裝置 2.1溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±100mK，小于100K時(shí)優(yōu)于±50mK； 2.2 配置溫度傳感單元與溫度控制單元，可通過軟件控溫； 3. 顯微單元 3.1 綜合放大倍率不小于500倍； 3.2 顯微分辨率優(yōu)于5μm； 4. 磁場(chǎng)單元 4.1磁場(chǎng)垂直方向，中心磁場(chǎng)最大±2.5T； 4.2磁場(chǎng)均勻性：0.5%中心10mm直徑球體，1%中心20mm直徑球體； 5. 水冷機(jī) 5.1 名義制冷量：8KW @25℃ 5.2 控溫方式：啟停 6. 分子泵 6.1 前級(jí)泵（干式真空泵）：MVP 015 6.2 前級(jí)泵抽速（50 HZ）：3m3/h 多場(chǎng)耦合磁電光電測(cè)試平臺(tái)需求為1臺(tái)，質(zhì)保期為12個(gè)月。